像素结构、阵列基板及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构、阵列基板及液晶显示面板。子像素区域水平设置，且数据线沿竖直方向贯穿子像素区域，使数据线与像素电极之间的寄生电容得到了有效减少，改善了垂直串扰现象。本发明专利技术使数据线与公共电极之间的距离大于预设距离，从而避免设置额外的黑色矩阵，提高了面板的开口率和穿透率，优化了显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素结构，还涉及一种具有该像素结构的阵列基板、以及具有该阵列基板的液晶显示面板。
技术介绍
随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示面板作为显示部件已广泛应用于移动电话、数码相机、PDA等电子产品中。液晶显示面板具有像素结构。图1示出了现有技术中像素结构(未显示像素电极)的结构示意图。图2示出了在图1所示的像素结构的基础上加入像素电极后的结构示意图。参照图1和图2，现有技术中的像素结构包括像素电极40、扫描线10、两条数据线30和三个公共电极20。由扫描线10和公共电极20围成的子像素区域竖直设置。扫描线10与子像素区域的宽度方向平行。其中两个公共电极与子像素区域的长度方向平行，这两个公共电极分别设置在子像素区域的左右两侧。两条数据线30与子像素区域的长度方向平行，这两条数据线30分别邻近设置在上述两个公共电极的左右两侧。现有技术中像素结构的缺陷在于:邻近设置的数据线30与公共电极之间的电压差会形成电场，电场使得相应位置的液晶分子发生明显偏转，从而使得液晶显示面板在该像素电极40的两侧出现漏光的现象。为了克服上述漏光的缺陷，通常要在邻近设置的数据线30与公共电极的上方覆盖黑色矩阵来进行遮光。然而，黑色矩阵的使用会大幅降低液晶显示面板的开口率，进而影响液晶显示面板的穿透率。最终，需要更大的背光亮度才能满足整个面板的亮度要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:采用现有技术中的像素结构，大幅降低了液晶显示面板的开口率和穿透率，需要更大的背光亮度才能满足整个面板的亮度要求。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种像素结构、阵列基板及液晶显示面板。根据本专利技术的第一个方面，提供了一种像素结构，其包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极；所述扫描线和所述公共电极围成子像素区域；所述子像素区域的长度方向与所述扫描线平行，所述子像素区域的宽度方向与所述数据线平行；所述数据线穿过所述子像素区域并与所述像素电极重叠。优选的是，所述公共电极包括与所述子像素区域的宽度方向平行的第一条形公共电极和第二条形公共电极，所述第一条形公共电极和第二条形公共电极分别位于所述子像素区域的短边的外侧，所述第一条形公共电极和第二条形公共电极与所述扫描线围成所述子像素区域；所述数据线位于所述第一条形公共电极和第二条形公共电极之间。优选的是，所述数据线与所述第一条形公共电极和第二条形公共电极之间的距离均大于预设距离。优选的是，所述数据线与所述第一条形公共电极之间的距离等于所述数据线与所述第二条形公共电极之间的距离。优选的是，所述公共电极还包括与所述子像素区域的长度方向平行的第三条形公共电极，所述第三条形公共电极的两端分别与所述第一条形公共电极和第二条形公共电极连通。优选的是，所述第三条形公共电极位于所述子像素区域内。优选的是，所述数据线位于所述像素电极的下方，所述像素电极被其具有的分隔电极分隔成第一子像素电极区域和第二子像素电极区域，所述分隔电极与所述像素电极的沿长度方向的中心线重合；所述第一子像素电极区域和所述第二子像素电极区域分别关于所述数据线对称；每个子像素电极区域上开设有若干缝隙，该若干缝隙将该子像素电极区域分隔为若干分隔片，该若干缝隙与该若干分隔片依次交替排列分布。优选的是，所述第一子像素电极区域上的分隔片与所述第二子像素电极区域上对应的分隔片分别在所述数据线上方断开，所述数据线上方的像素电极沿着该数据线的长度方向形成了条状的开口，以减少所述数据线与该数据线上方的像素电极的重叠面积。根据本专利技术的第二个方面，提供了一种阵列基板，其包括衬底基板以及上述像素结构。所述像素结构设置在所述衬底基板上。根据本专利技术的第三个方面，提供了一种液晶显示面板，其包括:彩膜基板、上述阵列基板以及设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。彩膜基板与所述阵列基板相对设置。与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:应用本专利技术的像素结构，由于子像素区域水平设置，并且数据线沿竖直方向贯穿子像素区域，因此有效减少了数据线与像素电极之间的寄生电容，从而改善了垂直串扰(V-Crosstalk)现象。另外，本专利技术通过水平设置子像素区域，明显增大了数据线与两侧公共电极之间的距离，使数据线与公共电极之间的距离大于预设距离，保证了数据线与公共电极之间的由于电压差而产生的电场不足以使液晶分子发生明显偏转。该设计能有效减少或者完全取消对应用于遮挡相邻的数据线和公共电极的黑色矩阵的面积，从而提高了液晶显示面板的开口率和穿透率，优化了显示效果。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例共同用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1示出了现有技术中像素结构(未显示像素电极)的结构示意图；图2示出了在图1所示的像素结构的基础上加入像素电极后的结构示意图；图3示出了本实施例像素结构(未显示像素电极)的结构示意图；图4示出了在图3所示的像素结构的基础上加入像素电极后的一种结构示意图；图5示出了图4中所示的像素电极的结构示意图；图6示出了在图3所示的像素结构的基础上加入像素电极后的另一种结构示意图；以及图7示出了图6中所示的像素电极的结构示意图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术实施例所要解决的技术问题是:采用现有技术中的像素结构，大幅降低了液晶显示面板的开口率和穿透率，需要更大的背光亮度才能满足整个面板的亮度要求。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种能显著提高液晶显示面板的开口率和穿透率的像素结构。图3示出了本专利技术实施例的像素结构(未显示像素电极)的结构示意图。本实施例的像素结构主要包括一个主动元件(图中未示出)、两条扫描线10、一条数据线30、一个像素电极40和三个条形公共电极20。主动元件优选为薄膜晶体管，且主动元件分别与扫描线10、数据线30和像素电极40电连接。三个条形公共电极20分别为第一条形公共电极21、第二条形公共电极22和第三条形公共电极23。在本实施例中，由横向设置的两条扫描线10和纵向设置的两个条形公共电极(21,22)围成的区域为子像素区域50。该子像素区域50与彩膜基板上的一个子像素相对应，并且该子像素区域50上覆盖有像素电极40。子像素区域50水平设置，即子像素区域50的长度方向与扫描线10所在的水平方向平行，子像素区域50宽度方向与第一条形公共电极21和第二条形公共电极22所在的竖直方向平行。图4和图6分别示出了两种设置有像素电极40的像素结构。参照图4和图6，布设在子像素区域50内的像素电极40也相应地水平设置。两条扫描线10与子像素区域50的长度方向平行。两条扫描线10分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极；所述扫描线和所述公共电极围成子像素区域；所述子像素区域的长度方向与所述扫描线平行，所述子像素区域的宽度方向与所述数据线平行；所述数据线穿过所述子像素区域并与所述像素电极重叠。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王金杰，郭晋波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44