本实用新型专利技术的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可提高液晶显示器的可视角度，同时降低阵列基板内TFT的结构复杂度。该方案包括：像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与第一TFT的漏极相连，所述第二子像素电极与第二TFT的漏极相连；其中，所述第一TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻大于所述第二TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻；和/或,所述第一TFT的漏极与所述第一子像素电极之间的电阻大于所述第二TFT的漏极与所述第二子像素电极之间的电阻。该方案用于阵列基板及显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
在液晶显示装置中，电场作用下的液晶分子呈规则排列，使液晶表现出晶体属性， 在光学上具有各向异性。具体的，若液晶分子均沿同一方向整齐地排列，则通过液晶向各个 方向出射的光线是不同的，因此，由出射的光线构成的宏观画面在各个观察视角上也并不 相同。随视角变化而画面保持不变的能力称为液晶显示装置的视角特性，对于视角特性较 差（即可视角度较小）的液晶显示装置而言，在从较大的视角上观看时，可能产生对比度下 降、黑白反转、色差等问题。 然而，观察者经常需要从较大的角度观看液晶显示装置，因此，需要提高液晶显示 装置的视角特性。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板及显示装置，可提高液晶显示器的可视角度，同时 降低阵列基板内TFT的结构复杂度。 为达到上述目的，本技术采用如下技术方案： 本技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括由交叉设置的栅线和数据线划 分出的多个像素单元， 所述像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与第 一 TFT的漏极相连，所述第二子像素电极与第二TFT的漏极相连； 其中，所述第一 TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻大于所述第二TFT的源 极与其相连的数据线之间的电阻；和/或，所述第一 TFT的漏极与所述第一子像素电极之 间的电阻大于所述第二TFT的漏极与所述第二子像素电极之间的电阻。 进一步地，所述第一 TFT的源极与其相连的数据线之间通过折线状的源极线相 连，所述第二TFT的源极与其相连的数据线之间通过直线状的源极线相连；和/或， 所述第一 TFT的漏极与所述第一子像素电极之间通过折线状的漏极线相连，所述 第二TFT的漏极与所述第二子像素电极之间通过直线状的漏极线相连。 进一步地，与所述第一 TFT的源极相连的源极线上设有第一分压电阻，和/或， 与所述第一 TFT的漏极相连的漏极线上设有第二分压电阻。 进一步地，所述源极线包括间隔设置的第一源极段，所述第一分压电阻包括与所 述第一源极段异层设置的第二源极段；其中， 所述第二源极段通过过孔与所述间隔设置的第一源极段连接；所述第二TFT的源 极与所述第一源极段同层设置，或与所述第二源极段同层设置。 进一步地，所述第一 TFT的第二源极段与所述第一子像素电极和/或所述第二子 像素电极同层设置。 又或者，所述源极线包括第一源极段和第二源极段，所述第一分压电阻包括二极 管组对，其中， 所述二极管组对的一端与所述第一源极段连接，所述二极管组对的另一端与所述 第二源极段连接；所述二极管组对包括并联的正向二极管和反向二极管。 进一步地，所述正向二极管和所述反向二极管，是由两个薄膜晶体管分别短接形 成的，其中， 所述正向二极管包括：第一短接源极、第一短接漏极和第一栅极区，其中，所述第 一短接源极与所述第一源极段相连，所述第一短接漏极与所述第二源极段相连，所述第一 栅极区通过过孔与所述第一短接源极短接； 所述反向二极管包括：第二短接源极、第二短接漏极和第二栅极区，其中，所述第 二短接源极与所述第一源极段相连，所述第二短接漏极与所述第二源极段相连，所述第二 栅极区通过过孔与所述第二短接漏极短接。 进一步地，所述第一栅极区、所述第二栅极区均与所述第一 TFT的栅极、所述第二 TFT的栅极同层设置。 进一步地，在所述第一栅极区和所述第一短接源极之上分别形成过孔，且两过孔 之上覆盖透明导电层连接； 在所述第二栅极区和所述第二短接漏极之上分别形成过孔，且两过孔之上覆盖透 明导电层连接。 进一步地，所述栅线上设置有不穿透的凹槽，所述凹槽的开口朝向所述第一子像 素电极或所述第二子像素电极，所述第一 TFT的源极线经过所述凹槽的底部与所述第一 TFT的栅极交叠。 进一步地，在同一所述像素单元中，所述第一 TFT的源极与所述第二TFT的源极连 接同一条数据线；所述第一 TFT的栅极与所述第二TFT的栅极连接同一条栅线。 本技术还提供一种显示装置，包括上述任一种阵列基板。 本技术供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括由交叉设置的栅线和数 据线划分出的多个像素单元，每一个像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极，分 别由第一 TFT和第二TFT驱动，具体的，第一子像素电极与第一 TFT的漏极相连，第二子像 素电极与第二TFT的漏极相连，其中，第一 TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻大于 第二TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻；和/或，第一 TFT的漏极与第一子像素电 极之间的电阻大于第二TFT的漏极与第二子像素电极之间的电阻。可以看出，对于每个像 素单元而言，由于在第一 TFT的源极或漏极串联有电阻进行分压，那么，在相同的驱动电压 下，第一 TFT的漏极处的输出电压小于第二TFT的漏极处的输出电压，进而，使得分别与第 一 TFT的漏极和第二TFT的漏极相连的子像素电极之间形成电压差，改变各对应液晶区域 内的液晶分子的偏转角度，这样，在入射光透过同一像素单元对应的液晶区域时，出射光在 不同方向上大致保持均匀，从而在不引入额外TFT的同时，提高了液晶显示器的可视角度， 同时降低阵列基板内的结构复杂度。【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图一； 图2为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图二；图3为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图三； 图4为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图四；图5为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图五；图6为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图六； 图7为本技术实施例提供的阵列基板上的像素单元结构的平面示意图七。【具体实施方式】 以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之 类的具当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括由交叉设置的栅线和数据线划分出的多个像素单元，所述像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与第一TFT的漏极相连，所述第二子像素电极与第二TFT的漏极相连；其中，所述第一TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻，大于所述第二TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻；和/或,所述第一TFT的漏极与所述第一子像素电极之间的电阻，大于所述第二TFT的漏极与所述第二子像素电极之间的电阻。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李文波，李盼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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