一种三线性缓冲驱动式放大电源装置制造方法及图纸

技术编号:12268052 阅读:113 留言:0更新日期:2015-10-31 15:07
本发明专利技术公开了一种三线性缓冲驱动式放大电源装置,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路组成;其特征在于,在直流电源S与光敏电阻CDS之间还串接有三线性缓冲驱动电路。本发明专利技术整体结构简单,其制作和使用非常方便。同时,本发明专利技术能根据外部环境的温度变化来自动调整输出电流值,而且经三线性缓冲驱动电路后的信号不会发生较大的衰减,从而能确保放大信号的质量和性能,确使其性能更加稳定,并有效的降低电路自身和外界的射频干扰,从而确保其性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电源装置,具体是指一种三线性缓冲驱动式放大电源装置
技术介绍
目前,电池厂商在制作完电池保护电路板以后,一般都需要用双极性电源来检测该电池保护电路板的各项功能是否已经达标,即利用双极性电源快速的实现对电池保护电路板的过压、欠压、过流的快速校准和测试。所谓的双极性电源是指该电源放电时其电源内部的电流是从负极流向正极,而对该电源充电时其电源内部的电流是从正极流向负极(传统的普通电源其内部的电流无论在什么情况下都只能从负极流向正极,而不能从正极流向负极)。但是,目前市面上所销售的双极性电源容易受到外部环境温度的影响,而且经传统的功率放大电路进行功率驱动放大后,其放大信号的衰减幅度较大,而且还会受到外部的电磁干扰,进而使得放大信号性能较为不稳定,使得其供电性能极其不稳定。因此严重影响了其深层次的使用和推广,便是人们急需要解决的难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前双极性电源容易受到外部环境温度的影响,进而导致性能不稳定的缺陷,提供一种三线性缓冲驱动式放大电源装置。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种三线性缓冲驱动式放大电源装置,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路组成;其特征在于,在直流电源S与光敏电阻CDS之间还串接有三线性缓冲驱动电路;所述三线性缓冲驱动电路由集成块Ul,场效应管MOS,三极管Q5,三极管Q6,负极与三极管Q5的集电极相连接、正极顺次经电阻R17、极性电容C11、电阻R15后与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C9,正极经电阻R19后与三极管Q5的发射极相连接、负极与集成块Ul的CS脚相连接的极性电容C8,正极经电感L2后与集成块Ul的D頂脚相连接、负极经电阻R18后与集成块Ul的HYS脚相连接的极性电容C10,一端与电阻R17与极性电容Cll的连接点相连接、另一端经电感LI后与三极管Q5的基极相连接的电阻R16,正极与三极管Q6的集电极相连接、负极经电阻R14后与集成块Ul的UM脚相连接的极性电容C12,P极接地、N极与场效应管MOS的漏极相连接的二极管D3,以及一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与集成块Ul的SNS脚相连接的电阻R13组成;所述集成块Ul的HG脚与场效应管MOS的栅极相连接,其GND脚接地,以及其IN脚与电感LI与电阻R16的连接点相连接;所述极性电容ClO的正极与直流电源S的负极相连接;所述三极管Q6的发射极与光敏电阻⑶S的一端相连接。所述的光束激发式逻辑放大电路,主要由功率放大器P2,与非门ICl,与非门IC2,与非门IC3,负极与功率放大器P2的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容C5,一端与极性电容C5的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R8,正极与电阻R8和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C6,一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P2的正极输入端相连接的电阻R9,串接在功率放大器P2的负极输入端与输出端之间的电阻R10,一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R11,正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7,以及一端与极性电容C6的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R12组成;所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器P2的负极输入端相连接,其输出端与非门IC2的正极输入端相连接;与非门IC3的正极输入端与功率放大器P2的输出端相连接,其输出端与光敏电阻CDS的一端与三极管Q6的发射极的连接点相连接;所述功率放大器P2的正极输入端与直流电源S的负极相连接;所述控制电路由三极管Q1,三极管Q2,串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R1,串接在三极管Ql的发射极与直流电源S的负极之间的RC滤波电路,串接在三极管Ql的基极与直流电源S的负极之间的电阻R2,以及与直流电源S相并联的电阻R5组成;所述三极管Q2的发射极与直流电源S的正极相连接,而三极管Q2的基极还与三极管Ql的集电极相连接;所述光二极管Dl的N极与直流电源S的负极与极性电容ClO的正极的连接点相连接。进一步,所述的温度补偿电路由三极管Q3,三极管Q4,功率放大器Pl,串接在三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R4,串接在功率放大器Pl的正极输入端与输出端之间的电容C2,串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电容C3,负极与三极管Q4的发射极相连接、正极经光敏电阻CDS后接地的电容C4,与电容C4相并联的电阻R6,以及一端与功率放大器Pl的输出端相连接、另一端经光敏电阻⑶S接地的电阻R7组成;所述功率放大器Pl的正极输入端与三极管Q4的集电极相连接,其负极输入端与三极管Q3的发射极相连接;所述三极管Q4的集电极与三极管Q2的集电极相连接,其基极接地;三极管Q3的基极与直流电源S的正极相连接。所述RC滤波电路由电阻R3,以及与电阻R3相并联的电容Cl组成。所述的电容C2、电容C3及电容C4均为极性电容。所述的集成块Ul采用型号为LM3402的驱动集成块。本专利技术与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术整体结构简单,其制作和使用非常方便。(2)本专利技术采用三线性缓冲驱动电路具有降压、稳压、可编程电流限制、过电流保护。(3)本专利技术能根据外部环境的温度变化来自动调整输出电流值,而且经功率放大电路放大后的信号不会发生较大的衰减,从而能确保放大信号的质量和性能,确使其性能更加稳定,并有效的降低电路自身和外界的射频干扰。。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例及附图,对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示,本专利技术所述的温度补偿式电源主要由直流电源S,,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路,同时,在直流电源S与光敏电阻CDS之间还串接有三线性缓冲驱动电路组成。其中,控制电路由三极管Ql,三极管Q2,电阻Rl,电阻R2,电阻R5以及RC滤波电路组成。连接时,电阻Rl串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间,而RC滤波电路则串接在三极管Ql的发射极与直流电源S的负极之间。电阻R2串接在三极管Ql的基极与直流电源S的负极之间的,电阻R5则与直流电源S相并联。同时,三极管Q2的发射极与直流电源S的正极相连接,其基极还与三极管Ql的集电极相连接。为确保运行效果,电阻RU电阻R2、电阻R3及电阻R5的阻值均为10ΚΩ。本申请中的RC滤波电路由电阻R3,以及与电阻R3相并联的电容Cl组成。所述三线性缓冲驱动电路由集成块U1,场效应管M0S,三极管Q5,三极管Q6,电阻R13,电阻R14,电阻R15,电阻R16,电阻R17,电阻R18,电阻R19,极性电容C8,极性电容C9,极性电容ClO,极性电容Cl I,极性电容C12,以及二极管D3组成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三线性缓冲驱动式放大电源装置,其特征在于,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路组成;其特征在于,在直流电源S与光敏电阻CDS之间还串接有三线性缓冲驱动电路;所述三线性缓冲驱动电路由集成块U1,场效应管MOS,三极管Q5,三极管Q6,负极与三极管Q5的集电极相连接、正极顺次经电阻R17、极性电容C11、电阻R15后与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C9,正极经电阻R19后与三极管Q5的发射极相连接、负极与集成块U1的CS脚相连接的极性电容C8,正极经电感L2后与集成块U1的DIM脚相连接、负极经电阻R18后与集成块U1的HYS脚相连接的极性电容C10,一端与电阻R17与极性电容C11的连接点相连接、另一端经电感L1后与三极管Q5的基极相连接的电阻R16,正极与三极管Q6的集电极相连接、负极经电阻R14后与集成块U1的LIM脚相连接的极性电容C12,P极接地、N极与场效应管MOS的漏极相连接的二极管D3,以及一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与集成块U1的SNS脚相连接的电阻R13组成;所述集成块U1的HG脚与场效应管MOS的栅极相连接,其GND脚接地,以及其IN脚与电感L1与电阻R16的连接点相连接;所述极性电容C10的正极与直流电源S的负极相连接;所述三极管Q6的发射极与光敏电阻CDS的一端相连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:雷明方
申请(专利权)人:成都颉盛科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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