【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种缓冲电路，具有：第１比较器，设置在缓冲放大器的输入端子和输出端子之间，由Ｐ沟道或者Ｎ沟道中其中一方的ＭＯＳ晶体管构成对所述缓冲放大器的输入电压和输出电压进行比较的比较部，对该比较部的比较动作设定给定的偏移电压，在超出该偏移电压时实施比较动作；以及第１开关电路，根据该第１比较器的输出信号进行导通／关断，该缓冲电路，通过根据此第１开关的导通或者关断、电流从电源线往所述输出端子或者从所述输出端子往基准电位线流动，来对所述缓冲放大器的输出电压的上升或者输出电压的下降进行加速，该缓冲电路中，具备：第２比较器，由所述Ｐ沟道或者Ｎ沟道中另一方的ＭＯＳ晶体管构成对所述输入电压和所述输出电压进行比较的比较部；以及，第１动作限制电路，用于将所述第２比较器的比较动作限制在所述其中一方的ＭＯＳ晶体管的死区的范围内， 所述第１开关电路，根据所述第１比较器的所述输出信号以及所述第２比较器的输出信号，进行导通或者关断。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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