存储元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种存储元件及其制造方法。本发明专利技术的存储元件的制造方法包括在衬底的第一区上形成第一栅介电层。在衬底的第二区与第三区上形成第二栅介电层。在衬底上依序形成第一导体层、缓冲层以及第一介电层。移除第二区的部分第一介电层、部分缓冲层、部分第一导体层以及部分第二栅介电层。在第二区的衬底上依序形成第三栅介电层与第二导体层。移除缓冲层。在衬底上依序形成第三导体层与第二介电层。在衬底中形成多个隔离结构，隔离结构穿过第二介电层延伸至衬底中。本发明专利技术的存储元件及其制造方法可简化制造工艺、降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种非易失性。
技术介绍
内存可以分为易失性内存(Volatile Memory)与非易失性内存(Non-VolatileMemory)两类。易失性内存在电源供应中断后，其内存所储存的数据便会消失；而非易失性内存即使电源供应中断，其内存所储存的数据并不会消失，重新供电后，就能够读取内存中的数据。因此，非易失性内存可广泛地应用在电子产品，尤其是可携带性产品。然而，半导体元件为了达到降低成本及简化制造工艺步骤的需求，将单元区(CellReg1n)与周边区(Periphery Reg1n)的元件整合在同一芯片上已逐渐成为一种趋势。三重栅氧化层(Triple Gate Oxide)制造工艺则是其中一种能将上述二者整合在同一芯片上的方法。目前，三重氧化层可利用氮植入(Nitrogen Implantat1n)的方法来形成，以通过氮来延缓氧化硅的生成，进而控制氧化硅的生成速率，以形成不同厚度的氧化层。虽然，通过氮植入可以有效抑制以炉管氧化法的氧化硅的成长，但是以炉管氧化法的成长速率过慢。若改以湿式氧化制造工艺来成长氧化娃，氮植入并无法有效地抑制氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区、第二区以及第三区；在所述第一区的所述衬底上形成第一栅介电层；在所述第二区与所述第三区的所述衬底上形成第二栅介电层；在所述衬底上依序形成第一导体层与第一介电层；在所述第一区与所述第三区之间形成穿过所述第一介电层且延伸至所述衬底中的第一隔离结构；在所述衬底上形成缓冲层；依序移除所述第三区的所述缓冲层、所述第一介电层、所述第一导体层以及所述第二栅介电层，以暴露所述衬底的表面；在所述第三区的所述衬底上形成第三栅介电层；在所述衬底上依序形成第二导体层以及第二介电层；在所述第三区的所述第二介电层、所述第二导体层、所述第三栅介电层以及所...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢荣源，倪志荣，苏建伟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71