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本发明提供一种存储元件及其制造方法。本发明的存储元件的制造方法包括在衬底的第一区上形成第一栅介电层。在衬底的第二区与第三区上形成第二栅介电层。在衬底上依序形成第一导体层、缓冲层以及第一介电层。移除第二区的部分第一介电层、部分缓冲层、部分第一...
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