提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请要求于2014年3月21日提交的第10-2014-0033483号韩国专利申请的优 先权，该韩国专利申请的主题通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种非易失性存储器装置、包括所述非易失性存储器装置的存储装置 及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器装置可被分类为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储 器装置。非易失性半导体存储器装置即使在断电时也可保存存储在其中的数据。存储在非 易失性半导体存储器装置中的数据可根据使用的制造技术而是永久性的或可重复编程的。 非易失性半导体存储器装置可以在计算机、航空电子、电信和消费类电子行业中的各种各 样的应用中用于用户数据存储、编程和微码存储。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例实施例，提供一种操作存储装置的方法，所述存储装置包 括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存 储器控制器。每个非易失性存储器装置包括位于基板上的多个串。所述多个串与基板垂直 并连接在位线和共源极线之间。所述操作方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数， 所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状；基于工 序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件，操作所述至少一 个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。 在示例实施例中，使用存储器控制器读取工序能力指数的步骤可包括：从所述至 少一个非易失性存储器装置中的所述一个非易失性存储器装置读取工序能力指数。 在示例实施例中，所述方法还可包括：将工序能力指数以表格格式存储在所述至 少一个非易失性存储器装置中的所述一个非易失性存储器装置中。 在示例实施例中，与所述将被操作的存储器单元相关联的结构可以是所述至少一 个非易失性存储器装置中的所述一个非易失性存储器装置中的所述多个串中的一个串的 通道。 在示例实施例中，所述工序能力指数可以是与偏离目标形状的距离相关联的值。 在示例实施例中，如果与所述将被操作的存储器单元相关联的结构是所述至少一 个非易失性存储器装置中的所述一个非易失性存储器装置中的所述多个串中的一个串的 通道，则所述目标形状可以是圆形和椭圆形之一。 在示例实施例中，所述工序能力指数可以是与偏离目标形状的区域的大小相关联 的值。 在示例实施例中，可使用表格来管理工序能力指数。所述表格可根据工序能力指 数的值被划分成多个组。用于管理工序能力指数的所述表格可使用属于所述多个组的字线 的位置信息来确定。 在示例实施例中，基于读取的工序能力指数调节至少一个操作条件的步骤可包 括：根据所述多个组中的每个组来调节编程操作、读取操作和擦除操作中的至少一个操作 的操作电压和操作时间之一。 在示例实施例中，基于工序能力指数调节至少一个操作条件的步骤可包括：基于 以下项中的至少一项和工序能力指数来调节编程操作、读取操作和擦除操作中的至少一个 操作的操作电压和操作时间之一，所述项包括操作温度、操作单元的劣化水平、与操作结构 相关联的信息和与操作位置相关联的信息。 根据本专利技术构思的示例实施例，一种存储装置包括至少一个非易失性存储器装置 和存储器控制器。每个非易失性存储器装置包括位于基板上的多个存储器块。每个存储器 块包括位于基板上的多个串。所述多个串与基板垂直并连接在位线和共源极线之间。所述 存储器控制器被配置为基于工序能力指数补偿编程操作、读取操作和擦除操作中的至少一 个操作的操作条件。所述操作条件是操作电压和操作时间之一。所述工序能力指数指示与 将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。 在示例实施例中，所述存储装置可被配置为将工序能力指数以表格格式存储在所 述至少一个非易失性存储器装置中。 在示例实施例中，所述存储装置可被配置为将工序能力指数以表格格式存储在所 述存储器控制器中。 在示例实施例中，所述工序能力指数可以以从测试晶圆确定的参考工序能力指数 为基础。所述参考工序能力指数可与所述测试晶圆中的字线的位置对应。在示例实施例中， 所述存储器控制器可被配置为基于工序能力指数或环境信息来补偿所述操作条件。所述环 境信息可包括以下项中的至少一项：操作温度、操作单元的劣化水平、与操作结构相关联的 信息和与操作位置相关联的信息。 根据本专利技术构思的示例实施例，一种非易失性存储器装置包括多个存储器块、地 址解码器、电压产生电路、输入/输出电路和控制逻辑电路。所述非易失性存储器装置包括 相互堆叠的多条字线和多个串。字线具有板形状。每个串包括穿透字线的柱。地址解码器 被配置为响应于地址而选择所述多个存储器块之一。电压产生电路被配置为产生将被施加 到选择的存储器块的字线的字线电压。输入/输出电路被配置为在读取操作读取存储在选 择的存储器块中的数据，并在编程操作存储从选择的存储器块读取的数据。所述控制逻辑 电路被配置为在编程操作和读取操作中的至少一个操作期间控制地址解码器、电压产生电 路和输入/输出电路。所述控制逻辑电路被配置为接收与工序能力指数相关联的操作条件 调节信息，所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形 状。所述控制逻辑电路被配置为根据所述操作条件调节信息来调节编程操作的操作条件和 读取操作的操作条件中的至少一个。 在示例实施例中，所述非易失性存储器装置可被配置为存储与工序能力指数相关 联的工序能力指数表。 在示例实施例中，所述控制逻辑电路被配置为基于所述操作条件调节信息来调节 字线电压的产生时间、字线电压的电平和字线电压的施加时间中的至少一个。 在示例实施例中，所述工序能力指数可以是与穿透字线的柱的截面相关联的指 数。 在示例实施例中，所述每个存储器块具有P-BiCS结构。 根据示例实施例，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括位于基板 上的彼此分隔开的多个串；地址解码器，通过多条字线连接到所述多个串；和控制逻辑电 路。每个串包括在接地选择晶体管和串选择晶体管之间的相互堆叠的多个存储器单元。每 条字线在所述多个串中的至少两个串的相同高度连接到所述多个存储器单元中的至少两 个存储器单元。所述控制逻辑电路被配置为接收与工序能力指数相关联的操作条件调节信 息，所述工序能力指数指示与所述存储器单元阵列的所述多个串中的一个串中的所述多个 存储器单元中的一个存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。所述控制逻辑电路被配 置为根据所述操作条件调节信息来调节施加到所述存储器单元阵列的至少一个驱动条件。 在示例实施例中，所述工序能力指数可指示所述存储器单元阵列的所述多个串中 的所述一个串中的所述多个存储器单元中的所述一个存储器单元的截面区域如何偏离目 标区域。 在示例实施例中，所述非易失性存储器装置可被配置为以表格存储工序能力指数 的值。所述表格可根据工序能力指数的值被划分成多个组。 在示例实施例中，所述控制逻辑电路可被配置为根据所述操作条件调节信息来调 节施加到所述存储器单元阵列的电压的电平和施加到所述存储器单元阵列的电压的施加 时间之一。 在示例实施例中，一种存储装置可包括非易失性存储器装置和存储器控制器。所 述存储器控制器可被配置为从所述非易失性存储器装置读取工序能力指数。所述存储器控 制器可被配置为响应于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储器控制器，每个非易失性存储器装置包括位于基板上的多个串，所述多个串与基板垂直并连接在位线和共源极线之间，所述方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数，所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件，操作所述至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金斗铉，金甫根，朴起台，韩真晚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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