一种高压LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术提供一种高压LED芯片的制备方法，该方法包括在反射金属层的部分区域上形成多个第一凹槽和第一沟槽，在反射金属层上的第一绝缘层的部分区域形成多个第二沟槽，在电流扩散金属层的部分区域形成多个第三沟槽，在第二绝缘层的部分区域形成多个第二凹槽，在N型GaN层形成多个第四沟槽。通过这些沟槽和凹槽导电连通，形成高压芯片。由该方法制得的高压LED芯片可以直接采用较高电压驱动，没有电流拥塞，散热优良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种高压LED芯片的制备方法。
技术介绍
目前LED (发光二极管)普通照明市场上使用的是传统的DC LED (直流LED)芯片，DC LED芯片一般在大电流低电压下工作，为提升电压并满足照明所需要的光通量，一般采用COB (集成封装)结构，即多颗芯片串并联。而随后出现的HV LED (高压LED)则在芯片级就实现了微晶粒的串并联，芯片级串并联有以下优势:一是HV LED避免了 COB结构中波长、电压、亮度跨度带来的一致性问题；二是HV LED由于自身工作电压高，容易实现封装成品工作电压接近市电，提高了驱动电源的转换效率，由于工作电流低，其在成品应用中的线路损耗也将明显低于传统DC LED芯片；三是减少了芯片的固晶和键合数量，有利于降低封装的成本。因此HV LED在照明市场上具有广阔的使用前景。但是，现有的高电压半导体发光二极管中的每一个LED单元具有横向结构，横向结构LED单元的缺点是不能采用大电流驱动、发光效率低、电流拥塞(currentcrowding)、热阻大等，因此需要一种高电压半导体发光二极管，可以采用大电流驱动，并且进一步提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压LED芯片的制备方法，包括：在第一衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和反射金属层；其特征在于，在所述反射金属层的部分区域上形成多个第一凹槽和第一沟槽，所述第一凹槽的深度至N型GaN层，所述第一沟槽的深度至P型GaN层；在所述反射金属层上沉积一层第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖了第一凹槽的侧壁及所述第一沟槽；在所述覆盖在反射金属层上的第一绝缘层的部分区域形成多个第二沟槽，所述第二沟槽的深度至反射金属层；在所述第一绝缘层上沉积一层电流扩散金属层，所述电流扩散金属层覆盖了所述第一凹槽和第二沟槽；在所述电流扩散金属层的部分区域形成多个第三沟槽，所述第三沟槽的深度至第一绝...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：封波，邓彪，孙钱，赵汉民，王敏，
申请(专利权)人：晶能光电常州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32