一种回收蓝宝石衬底的方法技术

本发明专利技术针对现有技术存在的蓝宝石衬底生产成本高、衬底不能重复利用的问题，提供一种回收蓝宝石衬底的方法，该方法在使用物理性高温烘烤的同时，配合湿法腐蚀，用特殊的腐蚀液不仅可以清除氮化镓颗粒和一般残留物，对难熔金属残留物和表面油污的去除效果也很显著。该方法可以针对PSS衬底和平片衬底进行可持续回收，回收周期短、操作简单、成本低廉，经过上述操作流程，每片蓝宝石衬底均可达到衬底初次使用水平、产出高质量外延片，目单片回收成本仅需10元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于光电子

技术介绍
氮化镓材料具有宽带隙、高电子迁移率、高热导率、高稳定性等一系列优点，因此在高亮度蓝色发光二极管(LED)、蓝色半导体激光器(LD)以及抗辐射、高频、高温、高压等电子电力器件中有着广泛的实际应用和巨大的市场前景。GaN基LED应用领域的多样性决定了其市场需求十分火热，2010年，中国大陆和台湾地区都出现了供不应求的的现象。在外延生长过程中，由于工艺波动或者设备异常等不可控因素，会产出一些不满足入库标准的无法投料的废外延片，对于这些外延片通常只能进行报废处理。报废的外延片中分摊的衬底、水电、MO源用量都是一笔较大的资源浪费，其中衬底费用是整个外延过程中不可忽视的大开支。如果可以想办法对外延片进行处理，使其恢复为可用状态，将极大地节约成本。一片衬底能够多次生长直至参数达标，降低了外延成本，可以创造大量的利润。随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体工艺相关器件的特征尺寸不断缩小，至今已达到22nm量级。由此，表面缺陷也成为影响器件合格率的重要因素之一。在特征尺寸不断减小的趋势下，减小表面缺陷成为工艺发展的必然要求。表面缺陷通常包含工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种回收蓝宝石衬底的方法，其特征在于，该方法包括步骤如下：取废外延片、第一次高温烘烤、第一次清洗、第二次高温烘烤、第二次清洗、循环N个周期。(1)取废外延片，领取废外延片，核对晶片数目，并检查晶片是否完整；(2)第一次高温烘烤，将废外延片放入高温烘烤炉内进行第一次高温烘烤，烘烤时间为2‑15小时，烘烤温度为800‑1800℃，烘烤室内气氛为氮气和氢气的混合气，其中，氢气所占的体积比为0％‑20％；(3)第一次清洗，经过上述步骤(2)烘烤后的外延片，进行第一次清洗，所述第一次清洗的腐蚀液为浓酸和双氧水的混合液，浓酸的浓度为70％‑98％，浓酸和双氧水的混合比在1∶10‑5∶2之间，腐蚀时间为5‑...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：逯瑶，王志强，王成新，曲爽，李毓锋，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37