一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法技术

本发明专利技术提供一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法，包括以下步骤：步骤(1)：在图形化衬底上一次生长GaN层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、沉积ITO层；步骤(2)：在P-GaN或ITO表面悬图一层光阻液；步骤(3)：对光阻液进行图形曝光、显影、烘烤等黄光工艺或采用纳米压印的方式制备图形；步骤(4)：选用ICP或湿法蚀刻方法对其进行图形转移至外延片或ITO层。本发明专利技术将通过在P-GaN层或在ITO层进行开微孔，一方面破坏光在经过P-GaN层、ITO、SiO2与空气界面时发生反射现象；另一方面降低P-GaN层、ITO的光吸收，有效增加了光出射的机率，提高发光效率。本发明专利技术方法通过现有的技术易实现、过程受控、便于产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管的制造方法
，具体为一种高提取外量子效率的 LED芯片制造方法。
技术介绍
LED因具有色纯度高、响应速度快、体积小、可靠性好、寿命长、环保等优点，无疑成 为最受重视的光源技术。一般采用蓝宝石衬底的外延片来制备高亮GaN基LED，如何提高及 发光效率是一直以来的研宄重点。LED的发光效率主要有三方面因素：器件的内量子效率、载流子注入效率和光出 射效率。目前，对GaN基LED的器件而言，通过改善量子阱、异质结构载流子限制效应以及 量子限制斯塔克效应和提高空穴的注入和降低电子的泄漏已将内量子效率、载流子注入效 率已达较高水平，而相对前两者其光出射效率受制于全反射，仅有极少部分光可逃逸。所以 如何提高LED光出射效率，成为LED芯片制备亟需解决的突出问题。 针对光出射效率低的解决途径，目前国内外采取的主要技术途径有一下几点：1、 生长分布布拉格反射层（DBR/ODR)结构，；2、芯片倒装技术；3、光子晶体技术；4、设计合理 的电极结构；5、表面粗化技术。其中表面粗化技术是目前被普遍看好的技术。在目前已提 出的表面粗化方法中，虽有不同程度的提高了L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)：在图形化衬底上一次生长GaN层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层、沉积ITO层；步骤(2)：在P‑GaN或ITO表面悬图一层光阻液；步骤(3)：对光阻液进行图形曝光、显影、烘烤等黄光工艺或采用纳米压印的方式制备图形；步骤(4)：选用ICP或湿法蚀刻方法对其进行图形转移至外延片或ITO层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕振兴，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34