温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法，包括以下步骤：步骤(1)：在图形化衬底上一次生长GaN层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、沉积ITO层；步骤(2)：在P-GaN或ITO表面悬图一层光阻液；步骤(3)：对光阻液进行图...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。