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本发明提供一种高压LED芯片的制备方法，该方法包括在反射金属层的部分区域上形成多个第一凹槽和第一沟槽，在反射金属层上的第一绝缘层的部分区域形成多个第二沟槽，在电流扩散金属层的部分区域形成多个第三沟槽，在第二绝缘层的部分区域形成多个第二凹槽，...
该专利属于晶能光电（常州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（常州）有限公司授权不得商用。

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