阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。本发明专利技术的技术方案能够实现显示装置的窄边框甚至无边框。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
目前平板显示方式主要包括LCD(液晶显示器)、PDP(等离子显示屏)和OLED(有机电致发光)。与LCD相比，OLED具有功耗低、重量轻、厚度薄、可折叠等优点，所以OLED有可能取代LCD成为新的主流显示技术。OLED的驱动可以分为有源驱动(AMOLED)和无源驱动(PMOLED)。AMOLED能够实现大尺寸显示，较省电，解析度高，但制备工艺复杂，TFT稳定性要求较高；PMOLED制程较简单，结构简单，但难以实现大尺寸化。为了使观看者有更好的视觉享受，窄边框显示器是目前的流行趋势。现有窄边框显示器通常采用的技术是压缩处于非显示区域的封框胶宽度、GOA(将栅电极驱动电路集成在阵列基板上)电路设计宽度、Bonding(绑定)区的宽度，在此基础上，压缩显示面板边缘到显示器外壳的距离，以减小显示器的边框宽度，从而实现窄边框的目的。对于采用GOA技术的AMOLED显示装置而言，GOA减少了B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，其特征在于，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动
GOA电路区域，其特征在于，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二
极管PMOLED显示阵列。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域形成有
多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与所述AMOLED显示单元一一对应
的像素薄膜晶体管TFT；
所述PMOLED显示阵列包括多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与
每行PMOLED显示单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对
应设置，每个选通TFT的栅电极与对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制
信号。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述PMOLED显示
单元与所述AMOLED显示单元大小相同。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述选通TFT的源电
极连接预设的高电平，所述选通TFT的漏电极与高电阻元件连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述高电阻元件为栅
电极和漏电极连接的TFT，所述TFT的源电极与所述选通TFT的漏电极连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵
列基板。
7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显
示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，其特征在于，所述制作方法包括：
在所述GOA电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立强，高涛，高静，许晨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11