包括柔性引线的半导体器件制造技术

包括柔性引线的半导体器件。半导体器件包括了包括晶体管的半导体芯片。第一柔性引线被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第一电极。第二柔性引线被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第二电极。第三柔性引线被电耦合到半导体芯片的第二表面上的第三电极，第二表面与第一表面相对。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
技术介绍
诸如晶体管之类的功率半导体器件被使用在宽泛的各种应用中，诸如便携式电子设备(例如移动电话)。功率晶体管包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)半导体芯片和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)半导体芯片。半导体芯片具有变化的电压和电流标称。半导体芯片由S1、SiC, GaN, GaAs或其它合适的衬底制成。电子设备继续采取新的形状和大小，这使常规的功率半导体器件难以集成到电子设备中。出于这些和其它原因，存在对于本专利技术的需要。
技术实现思路
一个实施例提供了半导体器件。半导体器件包括了包括晶体管的半导体芯片。第一柔性引线被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第一电极。第二柔性引线被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第二电极。第三柔性引线被电耦合到半导体芯片的第二表面上的第三电极的，其中第二表面与第一表面相对。【附图说明】包括附图以提供对实施例的进一步的理解，并且附图被并入并组成本说明书的一部分。附图图示了实施例，并且与描述一起用作解释实施例的原理。其它实施例以及实施例的所意图的优点中的许多将被容易地领会，因为它们通过参照下面的详细描述变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。同样的附图标记指定对应的相同的部分。图1 A到IB图示了半导体器件的一个实施例。图2图示了半导体器件的一个实施例的侧视图。图3图示了半导体器件的另一个实施例的侧视图。图4图示了半导体器件的另一个实施例的侧视图。图5A到5C图示了柔性引线的实施例。图6A到6B图示了被耦合到印刷电路板(PCB)的半导体器件的实施例。图7A到7B图示了被耦合到柔性PCB的半导体器件的实施例。图8A到SE图示了用于制造半导体器件的方法的一个实施例。图9A到9C图示了针对半导体器件的模塑料布置的一个实施例。图1OA到1C图示了针对半导体器件的模塑料布置的另一个实施例。图1lA到IlC图示了针对半导体器件的模塑料布置的另一个实施例。图12A到12C图示了针对半导体器件的模塑料布置的另一个实施例。图13A到13C图示了针对半导体器件的模塑料布置的另一个实施例。图14A到14D图示了针对半导体器件的柔性引线布置的实施例。图15图示了包括围绕柔性引线的铁氧体线圈的半导体器件的一个实施例的侧视图。图16A到16B图示了针对包括源感测柔性引线的半导体器件的柔性引线布置的实施例。【具体实施方式】在下面的详细描述中，参照附图，所述附图形成其的一部分，并且在所述附图中借助于在其中可以实践本公开的图示特定实施例来被示出。在这方面，诸如“顶”、“底”、“正”、“背”、“前”、“尾”等等之类的方向性术语参照正在描述的一个或多个图的取向被使用。因为实施例的部件可以被定位在多个不同取向上，所以方向性术语被用于图示的目的而决不是限制性的。应该理解的是，可以利用其它实施例，并且可以进行结构或逻辑改变而不离开本公开的范围。因此，下面的详细描述不在限制性的意义上被采用，而本公开的范围由所附权利要求限定。应该理解的是，本文中所述的各种示例性的实施例的特征可以被彼此组合，除非另有具体说明。如本文中所使用，术语“电耦合”不意味着意指元件必须直接耦合在一起，而在“电耦合”的元件之间可以提供介于中间的元件。图1A图不了半导体器件100的一个实施例的横截面视图，而图1B图不了半导体器件100的一个实施例的顶视图。半导体器件100包括半导体芯片102、柔性引线112、114和116、以及模塑料(mold compound) 118。半导体芯片102的第一表面104上的第一电极通过第一焊料或烧结接头108被电耦合到第一柔性引线112。半导体芯片102的与第一表面104相对的第二表面106上的第二电极通过第二焊料或烧结接头110被电耦合到第二柔性引线114。半导体芯片102的第一表面104或第二表面106上的第三电极通过第三焊料或烧结接头被电耦合到第三柔性引线116。模塑料118密封半导体芯片102以及柔性引线112、114和116的部分。柔性引线112、114和116使得半导体器件100能够被安装到常规的平坦印刷电路板(PCB)上或者柔性PCB上。在一个实施例中，柔性引线112、114和116是带状引线，在其中每个引线的宽度126、122和124都大于每个引线的厚度120。在一个实施例中，柔性引线112、114和116的厚度在约0.05mm到0.1mm之间，柔性引线114的宽度122大于2mm，柔性引线116的宽度124在约0.7mm到Imm之间，而柔性引线112的宽度126大于2mm。在其它实施例中，每个柔性引线的宽度都是每个柔性引线的厚度的至少十倍。在一个实施例中，柔性引线112的宽度126大于柔性引线116的宽度124，而柔性引线114的宽度122大于柔性引线112的宽度126。柔性引线112、114和116可以包括铜、无铅合金，或者其它合适的材料。在一个实施例中，柔性引线112、114和116由预先形成的铜或者另一个合适的电导电材料制成，使得柔性引线112、114和116具有类弹簧特性，在其中引线在被压、抒或拉之后返回到它们的最初的形状。在其它实施例中，柔性引线112、114和116由诸如焊料材料之类的弹性或软化材料制成，其使得引线能够是柔性的。例如，柔性引线112、114和116可以由Au-S1、Au-Ge、Au-Sn> Pb-1n、Sn-Cu> Sn-Cu-Ni> Sn-Ag> Sn-Ag-Cu> Sn-Ag-Cu-Sb> Sn-Pb 或 B1-Sn 制成。半导体芯片102包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极晶体管(IGBT)。在其它实施例中，半导体芯片102包括二极管或另一个合适的部件。在一个实施例中，第一柔性引线112被电耦合到源电极，第二柔性引线114被电耦合到漏电极，而第三柔性引线116被电耦合到MOSFET半导体芯片102的栅电极。在另一个实施例中，柔性引线112被电耦合到发射极电极，第二柔性引线114被电耦合到集电极电极，而第三柔性弓I线116被电耦合到IGBT半导体芯片102的基极电极。柔性引线112、114和116对于高电流应用是合适的，在所述高电流应用中，柔性引线可以经历归因于高电流的高温(例如高达200 °C) ο在一个例子中，每个柔性引线112、114和116都通过用Sn-Pb、Sn-Ag、Sn_Ag-Cu或另一个合适的焊料合金的软焊接来被电耦合到半导体芯片102。在另一个实施例中，每个柔性引线112、114和116都通过用Cu-Sn、Cu-Sn, Sn-Ag, Sn-Ni或另一个合适的焊料合金的扩散焊接来被电耦合到半导体芯片102，以提供每个柔性引线112、114和116与半导体芯片102之间的金属间接头。每个柔性引线112、114和116还可以通过用Au、Ag、Cu或另一个合适的金属烧结来被电耦合到半导体芯片102。模塑料118包括硬模塑料或软模塑料。例如，硬模塑料可以包括环氧树脂、交联聚合物或可交联聚合物、塑料、树脂或其它电绝缘材料。软模塑料可以包括弹性或柔性电绝缘材料，诸如任何类胶体材料或类弹性物材料(例如，橡胶、硅胶、胶体、或诸如碳氢化合物、CxHy之类的聚合物)。在一个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：包括晶体管的半导体芯片；被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第一电极的第一柔性引线；被电耦合到半导体芯片的第一表面上的第二电极的第二柔性引线；被电耦合到半导体芯片的第二表面上的第三电极的第三柔性引线，其中第二表面与第一表面相对。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：龙登超，陈天山，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE