一种半导体存储器件包括：正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于对刷新命令执行计数操作以产生在预定的时段被激活的多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于正常刷新命令和多个智能刷新命令而执行刷新操作，其中，智能命令发生单元当进入刷新操作时，将计数操作复位。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2013年12月04日提交的申请号为10_2013_0149923的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及半导体设计技术，并且更具体地，涉及执行刷新操作的。
技术介绍
通常，诸如双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)的半导体存储器件包括用于储存数据的多个存储体，并且多个存储体中的每个包括数以千万计的多个存储器单元。每个存储器单元由单元电容器和单元晶体管组成，以及半导体存储器件通过对单元电容器中的电荷充电或放电来储存数据。如果储存在单元电容器中的电荷自身保持不变，则这将是理想的。然而，储存在单元电容器中的电荷量由于单元电容器和外围电路之间的电压差而变化。即，当单元电容器处于充电状态时，电荷可以流出单元电容器，或当单元电容器已被放电时，电荷可以流入单元电容器。随着单元电容器中的电荷量变化，储存在单元电容器中的数据的状态变化。这导致储存的数据丢失。因此，半导体存储器件执行刷新操作以防止储存的数据丢失。由于刷新操作在本领域中已知，所以将省略其详细描述。此外，半导体存储器件的集成度随着处理技术的发展而提高。半导体存储器件的集成度的提闻影响存储体的尺寸。存储体尺寸的减小意味着存储器单兀之间的间距变小，以及与相邻的存储器单元耦接的字线之间的距离变得更靠近。通常，不关心关于字线之间的距离。然而，随着字线之间的距离减小，新的问题出现了。新问题是字线之间发生的耦合现象。在半导体存储器件中，需要对字线的激活操作以访问与该字线耦接的任何存储器单元。随着字线之间的距离变小，这种激活操作对相邻字线引起耦合效应。当在相邻字线中发生耦合效应时，与相邻字线耦接的存储器单元难以保持储存的数据。这可以增加数据丢失的可能性。为了缓解以上问题，半导体存储器件对存储体中的所有存储器单元执行刷新操作。即，可以频繁地执行刷新操作以防止数据的丢失。然而，由于刷新操作被执行的次数的增加恶化了半导体存储器件的工作效率，所以对刷新操作可以被执行的次数存在限制。
技术实现思路
本专利技术的各种示例性实施例涉及能够智能地控制刷新操作以缓解由于高集成度发生的问题的半导体存储器件。根据本专利技术的一个示例性实施例，一种半导体存储器件可以包括:正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于对刷新操作执行计数操作，以产生在预定时段被激活的多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于正常刷新命令和多个智能刷新命令而执行刷新操作，其中，当进入刷新操作时，智能命令发生单元将计数操作复位。可以在每个预定的时段以给定的顺序来激活多个智能刷新命令。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种半导体存储系统可以包括:正常命令发生单元，其适于在刷新操作期间产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于在刷新操作期间产生多个智能刷新命令，以及响应于预设的优先权而输出多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于正常刷新命令和多个智能刷新命令而执行刷新操作。多个智能刷新命令可以被激活以与多个字线之中的至少一个字线相对应。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种刷新控制系统可以包括:半导体存储器件，其具有在智能刷新操作期间基于分组信息被分组的多个字线；以及存储器控制器，其适于响应于多个字线的分组信息而改变半导体存储器件的刷新操作的时段，其中，半导体存储器件基于刷新操作来执行智能刷新操作。可以在智能刷新操作期间响应于优先权信息而激活多个字线。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种刷新控制方法可以包括以下步骤:响应于刷新命令而对多个字线执行正常刷新操作；响应于刷新命令而对具有第一类型优先权的第一字线组执行第一智能刷新操作；以及响应于刷新命令而对具有第二类型优先权的第二字线组执行第二智能刷新操作。在执行第一智能刷新操作时，可以响应于第一类型优先权而顺序地激活包括在第一字线组中的第一字线。在执行第二智能刷新操作时，可以响应于第二类型优先权而顺序地激活包括在第二字线组中的第二字线。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种半导体存储系统可以包括:正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于通过对刷新命令计数来在每个预定的时段产生多个智能刷新命令，其中，多个智能刷新命令以基于优先权设定的顺序来产生；以及刷新操作单元，其适于响应于正常刷新命令和多个智能刷新命令而执行刷新操作。根据本专利技术的实施例，可以通过智能地控制刷新操作来最大化刷新操作效率，使得可以在不恶化半导体存储器件的工作效率的情况下来防止数据的丢失。【附图说明】图1是说明根据本专利技术的一个示例性实施例的半导体存储器件的框图；图2和图3是解释图1中所示的半导体存储器件的操作的波形图；图4是说明图1中所示的智能命令发生单元的详细框图；图5是说明根据本专利技术的另一个示例性实施例的半导体存储器件的框图；图6是描述多个字线的框图；图7A至图7D是解释图5中所示的半导体存储器件的操作的波形图；图8是说明根据本专利技术的另一个示例性实施例的刷新控制系统的框图。【具体实施方式】以下将参照附图更详细地描述本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以采用不同的形式来实施并且不应当被解释为限于本文所列的实施例。更确切地，提供这些实施例使得本公开将全面且完整，以及向本领域中的技术人员全面地传达本专利技术的范围。附图不一定按比例，并且在一些情况下，可以夸大比例以清楚地说明实施例的特征。在本公开中，附图标记与本专利技术的各种附图和实施例中的相同编号部分直接相对应。在本说明书中还应注意的是，“连接/耦接”不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示一个部件经由中间部件与另一个部件间接耦接。另外，只要未在句子中特意提及，单数形式可以包括复数形式。本专利技术的示例性实施例中执行的刷新操作被划分为两种类型。第一种类型是正常刷新操作，即响应于诸如自我刷新命令或自动刷新命令的正常刷新命令而被执行。第二类型是智能刷新操作，即对给定的字线执行。现在将描述智能刷新操作。字线通过激活操作被激活或去激活。然而，由于集成度的增加，在与执行激活操作的字线相邻的字线中发生干扰。当这种情况发生时，相邻字线的电压变得不稳定。因此，储存在与相邻字线耦接的存储器单元中的数据可能会丢失。为了缓解这种问题，对相邻字线执行根据本专利技术的示例性实施例的刷新操作。结果，可以防止数据丢失。这种刷新操作被定义为智能刷新操作。图1是说明根据本专利技术的一个示例性实施例的半导体存储器件的框图。参见图1，半导体存储器件包括:正常命令发生单当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于对所述正常刷新命令执行计数操作以产生在预定的时段被激活的多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于所述正常刷新命令和所述多个智能刷新命令而执行刷新操作，其中，所述智能命令发生单元当进入所述刷新操作时，将所述计数操作复位。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宰承，宋清基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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