【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种新型倒装芯片，包括透明衬底，在透明衬底上表面依次层叠有N型外延层、载流子复合层及P型外延层，所述N型外延层与P型外延层均为掺杂的氮化镓外延层；其特征在于：所述N型外延层下表面与所述透明衬底上表面面积相等，所述载流子复合层上表面与所述P型外延层下表面面积相等且小于N型外延层下表面面积；所述N型外延层一端的上表面依次层叠设有N‑GaN电极和第一锡球，所述P型外延层远离N‑GaN电极的一端的上表面依次层叠设有P‑GaN电极和第二锡球；所述N‑GaN电极和P‑GaN电极的间距约为300μm；所述P型外延层和N型外延层上表面以及P型外延层和载流子复合层靠近N‑GaN电极的侧面裸露处设有一阻焊保护层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高凯，颜海灿，
申请(专利权)人：常州乐迪电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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