CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）、晶圆背部TSV孔刻蚀前，先沉积一层第一绝缘层；（2）、然后继续TSV孔的光刻和干法刻蚀工艺，刻出TSV孔；（3）、沉积TSV孔工艺后续第二绝缘层；（4）、对晶圆背整面进行干法刻蚀，直到将TSV孔底部PAD上面的绝缘层刻蚀完全。本发明专利技术的优点在于第一次沉积的第一绝缘层可以为后续的PAD上面的第二绝缘层去除做阻挡层，在后续的对PAD表面第二绝缘层进行过蚀刻时不用担心晶圆背表面第一绝缘层被破坏，省去了工艺难度较高的光刻工艺，节省了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、在晶圆背表面沉积第一绝缘层；（2）、通过黄光和蚀刻工艺刻蚀出TSV孔；（3）、在TSV孔内和第一上沉积第二绝缘层；（4）、对开TSV孔的一面进行整面刻蚀，将孔内PAD上面绝缘层去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，张文奇，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32