晶圆级芯片封装中背面互连的方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级芯片封装中背面互连的方法，通过激光刻蚀的方式，去除晶圆焊垫上的阻挡材料，暴露出一定面积的焊垫表面，以与金属布线层连接，将元件区的电性引到晶圆的背面。本发明专利技术采用激光直接刻蚀去除焊垫上的阻挡材料的方法，避免了光刻胶涂布、光刻曝光、显影和去胶等工艺步骤；通过选定合适激光波长，调节激光聚焦位置及作用到第一开口底部激光能量、激光聚焦光斑面积、激光作用脉冲数等参数，控制激光刻蚀到焊垫表面而不穿透焊垫，从而暴露出较大的焊垫面积。本发明专利技术操作方便，扩大了焊垫与金属布线层的接触面积，导电性能更可靠。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶圆级芯片封装中背面互连的方法，其特征在于：包括以下步骤：a、提供一具有若干个芯片单元的晶圆，所述芯片单元包括基底(1)和位于所述基底的正面的介质层(4)，所述基底的正面设有元件区(8)，所述元件区周边设有若干焊垫(2)，且所述焊垫位于所述介质层内，所述元件区与其周边的焊垫电性相连；b、在所述基底的背面形成与所述焊垫相对的第一开口(3)，且所述第一开口由基底的背面延伸至对应焊垫的上方；c、在步骤b形成的所述第一开口内和所述基底的背面上铺设绝缘层(5)；d、利用激光辐射所述第一开口的底部，使激光(7)光束刻蚀去除所述焊垫上的阻挡材料，暴露出设定面积的焊垫表面；e、在所述第一开口内的绝缘层上和暴露出的焊垫表面上铺设金属布线层(9)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谷成进，万里兮，范俊，廖建亚，黄小花，翟玲玲，钱静娴，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32