【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种刻蚀硅通孔的方法，所述方法在一等离子体反应腔内进行，目标刻蚀基片位于所述等离子体反应腔内，其特征在于：所述刻蚀方法包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，向所述等离子体反应腔内交替通入第一刻蚀气体和沉积气体，在第二刻蚀阶段，向所述等离子体反应腔通入第二刻蚀气体，所述第一刻蚀阶段刻蚀硅通孔深度大于等于整个硅通孔深度的90%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：余东洋，卞祖洋，严利均，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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