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本发明提供了一种CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）、晶圆背部TSV孔刻蚀前，先沉积一层第一绝缘层；（2）、然后继续TSV孔的光刻和干法刻蚀工艺，刻出TSV孔；（3）、沉积TSV孔工艺后续第二绝缘层；（4...
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