一种在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法及其在湿敏电容元件中的应用技术

本发明专利技术属于电子元件的制备技术领域，特别涉及一种在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法及其在湿敏电容元件中的应用。所述方法如下：先部分水解正硅酸乙酯，再加入硅烷偶联剂和沸点高于乙醇的第二溶剂组分，制备二氧化硅基有机-无机杂化膜预聚体，然后在清洁的不锈钢基底表面制备二氧化硅基有机-无机杂化膜膜层。本发明专利技术提供的在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法可成功在不锈钢基片上制作一层绝缘层，用作湿敏电容元件的基底时，可以提高湿敏元件制造过程的成品率，同时减少元件的湿滞。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元件的制备
，特别涉及一种在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法及其在湿敏电容元件中的应用。
技术介绍
目前，很多电容元件需要在不锈钢基底表面制备绝缘膜，例如湿敏电容元件，其采用平面电容器结构，该型电容型湿敏元件具有一对相对设置的平面电极板，下电极为不锈钢材质基片，上电极多为平面碳电极。湿敏膜层处于上下电极之间。湿敏膜层在制作过程中常有气孔生成，这些孔隙吸水后极易造成上下电极短路，造成成品率低，制作过程无法实现大规模生产。因此，如果能提高湿敏膜的绝缘性能，则能提高成品率，解决大规模生产的 难题。此外，湿滞是电容型湿度传感器的一项重要性能指标，电容型湿度传感器中存在湿滞也是湿度传感器中普遍存在的较难解决的问题，因此，降低湿敏电容元件的湿滞也是函待解决的问题。申请人在前期工作中利用硅氧烷热分解聚合在不锈钢基底上成功构建绝缘层，使湿敏元件成品率由50%提高至95%，湿滞降低至7%RH左右。然而，所得湿敏元件的湿滞仍然太大，达不到实际应用的要求。绝缘膜的制备方法很多，目前使用比较多的为热氧化法、电化学、化学气相沉积(CVD)、喷涂热解、物理气相沉积、溶胶-凝胶(Sol-G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法，其特征在于，先部分水解正硅酸乙酯，再加入硅烷偶联剂和沸点高于乙醇的第二溶剂组分，制备二氧化硅基有机?无机杂化膜预聚体，然后在清洁的不锈钢基底表面制备二氧化硅基有机?无机杂化膜膜层。

【技术特征摘要】
1.一种在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法，其特征在于，先部分水解正硅酸乙酯，再加入硅烷偶联剂和沸点高于乙醇的第二溶剂组分，制备二氧化硅基有机-无机杂化膜预聚体，然后在清洁的不锈钢基底表面制备二氧化硅基有机-无机杂化膜膜层。2.如权利要求1所述的在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法，其特征在于，所述的硅烧偶联剂为1，2-双(二乙氧基娃基)乙烧、苯基二甲氧基娃烧、3_氛基丙基二乙氧基娃烧中的一种或一种以上的混合物。3.如权利要求1所述的在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法，其特征在于，所述的第二溶剂组分为异丙醇、丙三醇或乙二醇。4.如权利要求1所述的在不锈钢基底表面制备绝缘膜的方法，其特征在于，制备二氧化娃基有机-无机杂化膜预聚体的方法如下在室温搅拌下在烧杯中加入1. O mo I的正娃酸乙酯、2. 0-10.0 mol乙醇、0. 01-0. 10 mol乙酸、1. 0-3. 0 mol去离子水,搅拌1-3 h,使正硅酸乙酯部分水解；然后加入0. 5-2. 0 mol I, 2-双(三乙氧基硅基)乙烷，0. 1-0. 5 mol苯基三甲氧基硅烷，0. 1-0. 5 mol 3-氨基丙基三乙氧基硅烷，搅拌2-8 h，然后再加入第二溶剂组分 0. 5-2. 0 mol、搅拌 20-30 min 后，陈化 12-36 h。5.如权利要求4所述的在不锈钢基...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹自力，张鹏帅，彭溦，詹青燃，周志玉，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：