【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种双极型三极管的制造方法;本专利技术还涉及一种双极型三极管。
技术介绍
常规射频应用的双极型三极管要求在一定的集电区和发射区的击穿电压(BVCEO)下有尽可能高的截止频率,主要影响截止频率的是基区及基区-集电区结形成的耗尽区的渡越时间。截止频率与渡越时间成反比,而渡越时间正比于基区及结耗尽区的宽度。结耗尽区宽度又与发射极到集电极的击穿电压成正比。所以,为在相同的击穿电压下得到更高的截止频率,需要基区宽度越窄越好。同时,发射区-基区结也需要较浅,以符合高频要求。功率器件的要求则有所不同,需要有足够的功率增益。功率增益除了与截止频率成正比外,还与基区电阻及基区-集电区结电容成反比。所以降低基区电阻及基区-集电区结电容是得到高增益的关键。另外,为得到高输出功率,功率管面积都很大,而发射区-基区都是重掺杂的,与器件面积成正比的隧穿漏电而非结的雪崩效应决定了器件的发射区-基区结的击穿电压,而较低的发射区-基区结的击穿电压会引起较高的漏电流。由上可知,现有技术中当发射区-基区都是重掺杂时,发射区-基区结的击穿电压降低,容易造成发射极和基极间的隧穿漏电增加,使得整个器件的集电区和发射区的击穿电压降低,所以如何解决这些问题是功率器件实现工业应用的关键。如图1所示,是现有双极型三极管的制造方法的流程图;现有方法包括步骤:步骤一、在N型重掺杂的基板上生长N型轻掺杂的外延层,由 ...
【技术保护点】
一种双极型三极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在基板上生长N型轻掺杂的外延层,由所述外延层形成双极型三极管的集电区;步骤二、进行第一次P型离子注入形成本征基区,通过调节所述第一次P型离子注入的注入能量调节所述本征基区的深度并使所述本征基区和所述外延层的顶部表面相隔一定距离,由该距离定义出所述双极型三极管的发射极和基极形成的缓变结宽度;步骤三、淀积发射极窗口介质层并采用光刻刻蚀工艺对所述发射极窗口介质层进行刻蚀形成由所述发射极窗口介质层围成的发射极窗口,所述发射极窗口位于所述本征基区上方并定义出发射区和所述本征基区的接触区域;步骤四、以所述发射极窗口为掩膜进行第一次N型离子注入形成第一N型注入区,所述第一N型注入区位于所述本征基区顶部的所述外延层中;步骤五、进行炉管退火推进,该炉管退火推进使所述第一N型注入区和所述本征基区的杂质扩散并激活并相互接触形成所述缓变结;步骤六、淀积发射极多晶硅,采用在位掺杂工艺或离子注入工艺掺杂对所述发射极多晶硅进行N型重掺杂;步骤七、采用光刻刻蚀工艺对所述发射极多晶硅进行刻蚀,刻蚀后所述发射极多晶硅的底部和所述第一N型注入区接触、刻蚀后所述发 ...
【技术特征摘要】
1.一种双极型三极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、在基板上生长N型轻掺杂的外延层,由所述外延层形成双极型三极管的
集电区;
步骤二、进行第一次P型离子注入形成本征基区,通过调节所述第一次P型离子
注入的注入能量调节所述本征基区的深度并使所述本征基区和所述外延层的顶部表
面相隔一定距离,由该距离定义出所述双极型三极管的发射极和基极形成的缓变结宽
度;
步骤三、淀积发射极窗口介质层并采用光刻刻蚀工艺对所述发射极窗口介质层进
行刻蚀形成由所述发射极窗口介质层围成的发射极窗口,所述发射极窗口位于所述本
征基区上方并定义出发射区和所述本征基区的接触区域;
步骤四、以所述发射极窗口为掩膜进行第一次N型离子注入形成第一N型注入区,
所述第一N型注入区位于所述本征基区顶部的所述外延层中;
步骤五、进行炉管退火推进,该炉管退火推进使所述第一N型注入区和所述本征
基区的杂质扩散并激活并相互接触形成所述缓变结;
步骤六、淀积发射极多晶硅,采用在位掺杂工艺或离子注入工艺掺杂对所述发射
极多晶硅进行N型重掺杂;
步骤七、采用光刻刻蚀工艺对所述发射极多晶硅进行刻蚀,刻蚀后所述发射极多
晶硅的底部和所述第一N型注入区接触、刻蚀后所述发射极多晶硅的顶部向所述发射
极窗口外部延伸一定距离,由刻蚀后的所述发射极多晶硅和所述第一N型注入区叠加
形成发射区;
步骤八、在步骤七的光刻刻蚀工艺中采用光刻胶去除之前,进行第二次P型离子
注入形成外基区,所述外基区形成于所述本征基区顶部的所述外延层中并和所述发射
极多晶硅自对准,所述外基区和所述本征基区相接触形成基区;
步骤九、去除光刻胶并采用快速热退火工艺对所述发射极多晶硅和所述外基区的
掺杂杂质进行激活,在所述发射极多晶硅和所述外基区的掺杂杂质激活的条件下,通
过降低所述快速热退火工艺的热开销降低所述发射极多晶硅和所述外基区的掺杂杂
质对所述缓变结宽度的影响。
2.如权利要求1所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:所述基板为N
\t型重掺杂基板,在步骤九之后还包括在所述基板背面形成背面金属的步骤,所述背面
金属引出集电极。
3.如权利要求1所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:所述外延层的N
型轻掺杂的浓度为:4E15cm-3~5E15cm-3。
4.如权利要求1所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤二中所述
第一次P型离子注入的注入深度为1000埃以上,注入杂质为硼或氟化硼,注入剂量
为5E13cm-2~7E13cm-2。
5.如权利要求1所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤三中所述
发射极窗口介质层由氧化硅层和氮化硅层叠加而成。
6.如权利要求1所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤四中所述
第一次N型离子注入的注入杂质原子量小于步骤六中所述发射极多晶硅的掺杂杂质的
原子量。
7.如权利要求6所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤四中所述
第一次N型离子注入的注入杂质为磷,步骤六中所述发射极多晶硅的掺杂杂质为砷。
8.如权利要求1或6或7所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤
四中所述第一次N型离子注入的注入剂量为4E15cm-2~6E15cm-2。
9.如权利要求1或6或7所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤
五所述炉管退火推进的温度为900℃至980℃,时间为10分钟至60分钟。
10.如权利要求1或6或7所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤
六中所述发射极多晶硅的掺杂浓度为:6E19cm-3~7E19cm-3。
11.如权利要求1或6或7所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤
七刻蚀后所述发射极多晶硅的顶部向所述发射极窗口外部延伸距离为0.3μm以下。
12.如权利要求1或6或7所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤
八中所述第二次P型离子注入的注入杂质为硼或氟化硼,注入剂量为:1E15cm-2~3E15
cm-2。
13.如权利要求1或6或7所述的双极型三极管的制造方法,其特征在于:步骤
九中所述快速热退火工艺的退火温度为1000℃以上,退火时间为5秒至20秒...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈曦,史稼峰,周正良,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。