半导体装置及半导体装置的检查方法制造方法及图纸

技术编号:11169318 阅读:53 留言:0更新日期:2015-03-19 04:11
本发明专利技术提供能简便地进行导通检查的半导体装置及半导体装置的检查方法。实施方式的半导体装置(1)具备:布线基板(2),其具有第一面及第二面;半导体芯片(3),其设置于第一面上;外部连接端子(6),其设置于第二面上;密封树脂层(5),其设置于第一面上以将半导体芯片密封;和导电性屏蔽层(7),其将布线基板(2)的侧面的至少一部分和密封树脂层(5)覆盖。布线基板(2)具备:第一接地布线,其与导电性屏蔽层(7)电连接;和第二接地布线,其与导电性屏蔽层电连接且与第一接地布线电分离。

【技术实现步骤摘要】
本申请以日本专利申请2013-187132号(申请日:2013年9月10日)为基础并享 受其优先权。本申请通过参照该在先申请而包括其全部内容。
本专利技术涉及。
技术介绍
在用于通信设备等的半导体装置中,为了抑制EMI(电磁干扰)等电磁波干扰,而 使用将表面用导电性屏蔽层覆盖的结构。为了在上述结构中获得足够的磁场屏蔽效果,优 选将导电性屏蔽层与接地布线电连接,并经接地布线使电磁噪声放出到外部。 此时,存在当导电性屏蔽层和接地布线的电连接不充分时不能得到磁场屏蔽效果 的情况。因此,进行导电性屏蔽层和接地布线的电连接是否充分的检查(导通检查),并选择 能获得足够的磁场屏蔽效果的半导体装置是有效的。上述导通检查通过使万用表7夕 一)的端子与电连接于接地布线的外部连接端子和导电性屏蔽层接触并测定外部连接端子 和导电性屏蔽层之间的电阻值来进行。在该检查方法中,由于必须使用专用的测定设备,因 此很不便,此外,有可能损伤导电性屏蔽层的表面的一部分。因此,需要更简便且损伤小的 检查方法。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供能简便地进行导通检查的半导体装置及半导体装置 的检查方法。 实施方式的半导体装置具备:布线基板,其具有互相相对的.第一面及第二面;半 导体芯片,其设置于布线基板的第一面上;密封树脂层,其设置于第一面上以将半导体芯片 密封;和导电性屏蔽层,其将布线基板的侧面的至少一部分和密封树脂层覆盖。布线基板具 备:第一接地布线,其与导电性屏蔽层电连接;和第二接地布线,其与导电性屏蔽层电连接 且与第一接地布线电分离,外部连接端子具备:第一接地端子,其与第一接地布线电连接; 和第二接地端子,其与第二接地布线电连接。 【附图说明】 图1是表示半导体装置的立体图。 图2是表示半导体装置的剖视图。 图3是布线基板的俯视示意图。 图4是布线基板的俯视示意图。 图5是表示半导体装置的另一例子的剖视图。 图6是表示半导体装置的另一例子的剖视图。 图7是表示半导体装置的另一例子的剖视图。 图8是表示半导体装置的另一例子的剖视图。 图9是表示电阻值的测定结果的图。 附图标记说明: 1半导体装置 2布线基板 3半导体芯片 4A焊料球 4B焊料球 5密封树脂层 6外部连接端子 6A接地端子 6B接地端子 7导电性屏蔽 层 8A接合线(水>夕'' ^ 4 \ ) 8Β接合线IOA露出部IOB露出部 15Α导电层 15Β导电层 20Α触点部 20Β触点部 21绝缘层 21Α绝缘 层 21Β绝缘层 22布线层 22Α布线 22Β布线 22C连接焊盘 23 布线层 23Α布线 23Β布线 24过孔(tn) 24A过孔 24B过孔 30 区域 【具体实施方式】 下面参照附图来说明实施方式的半导体装置。图1是表示半导体装置的立体图, 图2是表示半导体装置的剖视图。 图1及图2所示的半导体装置1具备:具有第一面及第二面的布线基板2 ;具有电 极焊盘且设置于布线基板2的第一面上的半导体芯片3 ;设置于布线基板2的第一面上以 将半导体芯片3密封的密封树脂层5 ;设置于第二面上的外部连接端子6 ;将布线基板2的 侧面的至少一部分和密封树脂层5覆盖的导电性屏蔽层7 ;和接合线8A及接合线8B。再 有,布线基板2的第一面相当于图2中的布线基板2的上表面,第二面相当于图2中的布线 基板2的下表面,布线基板2的第一面及第二面互相相对。 布线基板2具备:设置于第一面和第二面之间的绝缘层21 ;设置于第一面的布线 层22 ;设置于第二面的布线层23 ;贯穿绝缘层21地设置的过孔(穿孔)24 ;设置于布线层22 上的焊料抗蚀剂层28 ;和设置于布线层23上的焊料抗蚀剂层29。 作为绝缘层21,可使用例如硅基板和/或玻璃基板、陶瓷基板、环氧等树脂基板。 此外,作为密封树脂层5,可使用例如绝缘性的有机树脂材料等。 在布线层22及布线层23,设有例如信号布线、电源布线、接地布线等。布线层22 及布线层23的每个不限于单层结构,也可以是隔着绝缘层而层叠多个导电层的层叠结构。 在布线层22及布线层23,使用例如铜箔和/或含有银或铜的导电性浆料并根据需要而在表 面施行了镀镍和/或镀金等。 布线层22具有布线22A及布线22B。布线22A具有作为第一接地布线的功能,布 线22B具有作为第二接地布线的功能。再有,向布线22A供给的接地电位的值可以与向布 线22B供给的接地电位的值不同。此外,布线22A及布线22B具有连接焊盘。布线层23具 有布线23A及布线23B。布线23A及布线23B具有连接焊盘。再有,布线23A也可具有作为 第一接地布线的功能,且布线23B也可具有作为第二接地布线的功能。 贯穿绝缘层21地设有多个过孔24。过孔24具有例如在贯穿绝缘层21的开口的 内面设置的导体层和在导体层的内侧填充的填孔材料。在导体层,使用例如铜箔和/或含 有银或铜的导电性浆料并根据需要而在表面施行了镀镍和/或镀金等。填孔材料使用例如 绝缘性材料或导电性材料来形成。再有,并不限于此,例如,也可通过在贯过孔内利用电镀 等填充金属材料(铜等)来形成过孔24。 再有,作为外部连接端子6,设有例如信号端子、电源端子、接地端子等。例如,夕卜 部连接端子6具有接地端子6A及接地端子6B。接地端子6A与布线22A电连接,接地端子 6B与布线22B电连接。换言之,接地端子6A与第一接地布线电连接,接地端子6B与第二接 地布线电连接。外部连接端子6具有焊料球4。焊料球4设置于布线层23的连接焊盘上。 再有,也可设置焊台(land)来代替焊料球4。 导电性屏蔽层7具有将从半导体芯片3等放射的多余电磁波屏蔽并防止向外部泄 漏的功能。作为导电性屏蔽层7,优选使用例如电阻率低的金属层,且优选使用例如含有铜、 银、镍等的金属层。通过使用电阻率低的金属层来作为导电性屏蔽层7,而能抑制经半导体 芯片3和/或布线基板2而放射的多余电磁波的泄漏。 导电性屏蔽层7通过用例如转印法、丝网印刷法、喷涂法、喷射分配法(7'二7卜 7?> 7法)、喷墨法、气溶胶法(i7α'/>法)等涂敷导电性浆料而形成。导电性浆 料优选含有例如银和/或铜和树脂来作为主成分且电阻率低。此外,也可使用由无电解电 镀法或电解电镀法将铜和/或镍等成膜的方法、由溅射法将铜等成膜的方法来形成导电性 屏蔽层7。 导电性屏蔽层7的厚度优选基于其电阻率来设定。例如,优选的是,设定导电性屏 蔽层7的厚度以使将导电性屏蔽层7的电阻率以厚度来分配的导电性屏蔽层7的电阻率的 薄片一卜)电阻值为0.5Ω以下。通过使导电性屏蔽层7的薄片电阻值为0.5Ω以下, 而能再现性良好地抑制多余电磁波从密封树脂层5泄漏。再有,能根据需要而以耐腐蚀性 和/或耐迁移4夕'' >一> 3 >)性优良的保护层覆盖导电性屏蔽层7。作为保护层,可 使用聚酰亚胺树脂等。 接合线8A电连接于布线22A及半导体芯片3,接合线8B电连接于布线22B及半导 体芯片3。再有,并不限于此,只要至少由接合线8A将布线基板2的连接焊盘或半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,具备:布线基板,其具有第一面及第二面;半导体芯片,其设置于所述第一面上;外部连接端子,其设置于所述第二面上;密封树脂层,其设置于所述第一面上以将所述半导体芯片密封;和导电性屏蔽层,其将所述布线基板的侧面的至少一部分和所述密封树脂层覆盖,所述布线基板具备:第一接地布线,其与所述导电性屏蔽层电连接;和第二接地布线,其与所述导电性屏蔽层电连接且与所述第一接地布线电分离,所述外部连接端子具备:第一接地端子,其与所述第一接地布线电连接;和第二接地端子,其与所述第二接地布线电连接。

【技术特征摘要】
2013.09.10 JP 187132/20131. 一种半导体装置,其特征在于, 具备: 布线基板,其具有第一面及第二面; 半导体芯片,其设置于所述第一面上; 外部连接端子,其设置于所述第二面上; 密封树脂层,其设置于所述第一面上以将所述半导体芯片密封;和 导电性屏蔽层,其将所述布线基板的侧面的至少一部分和所述密封树脂层覆盖, 所述布线基板具备: 第一接地布线,其与所述导电性屏蔽层电连接;和 第二接地布线,其与所述导电性屏蔽层电连接且与所述第一接地布线电分离, 所述外部连接端子具备: 第一接地端子,其与所述第一接地布线电连接;和 第二接地端子,其与所述第二接地布线电连接。2. 根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于, 所述布线基板还具备: 绝缘层,其设置于所述第一面和所述第二面之间;和 过孔,其贯穿所述绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员:高野勇佑后藤善秋渡部武志井本孝志
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:日本;JP

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