一种阵列基板和显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板，阵列基板包括：透明衬底；至少一个形成于所述透明衬底上的遮光图案；形成于所述遮光图案远离所述透明衬底一侧和所述透明衬底靠近所述遮光图案一侧的缓冲层；形成于所述缓冲层远离所述透明衬底一侧的多晶硅层；所述多晶硅层包括至少一个轻掺杂区，每个所述轻掺杂区的在所述透明衬底上的正投影与所述遮光图案在所述透明衬底上的正投影交叠。显示面板包括本实用新型专利技术提供的阵列基板，本实用新型专利技术提供的阵列基板以及显示面板，不仅改善所述多晶硅层的结晶效果，进而提高所述多晶硅层的迁移率，还可以减小多晶硅层与遮光层的寄生电容，提升显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，分辨率高、响应速度块的显示装置的越来越受到人们的欢迎。低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管显示器，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗，因此，LTPS薄膜晶体管显示器逐步成为研究的热点。LTPS薄膜晶体管显示器主要包括阵列基板和与其相对设置的对置基板。如图1所示，现有的LTPS阵列基板包括透明衬底10、遮光层11、缓冲层12、多晶硅层13、栅极绝缘层14、栅极15、介电层16、源极17和漏极18。遮光层12形成于与多晶硅层13与透明衬底10之间，用于防止背光对沟道的影响。但是遮光层12会影响与遮光层12正对部分的多晶硅层13形成，从而降低与遮光层12正对部分的多晶硅层13的电子迁移率；另外，因为遮光层12与多晶硅层13的位置相对，而且被所述缓冲层12隔开，因此遮光层12、多晶硅层13和缓冲层12会形成一寄生电容，该寄生电容的存在会导致漏电流的增大，影响显示效果。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板，用以解决现有LTPS阵列基板以及显示面板中多晶硅层的迁移率低以及多晶硅层与遮光层的寄生电容大的问题。为解决上述问题，本技术提供一种阵列基板，包括：透明衬底；至少一个形成于所述透明衬底上的遮光图案；形成于所述遮光图案远离所述透明衬底一侧和所述透明衬底靠近所述遮光图案一侧的缓冲层；形成于所述缓冲层远离所述透明衬底一侧的多晶硅层；所述多晶硅层包括至少一个轻掺杂区，每个所述轻掺杂区的在所述透明衬底上的正投影与所述遮光图案在所述透明衬底上的正投影交叠。对多晶硅层进行轻掺杂，可以使多晶硅层的电荷密度呈阶梯变化，有利于电子的迁移，另经过大量实验表明，背光照射多晶硅层出现光漏流现象主要发生在轻掺杂区，因此在轻掺杂区在垂直所述透明衬底方向上的投影处设置遮光图案即可有效抑制光漏流现象；而在轻掺杂区以外的多晶硅层可以不设置遮光图案，这样就降低了遮光图案与多晶硅层间的寄生电容。此外，未遮光图案的部分多晶硅层温度降低速度较慢，有利于此部分的多晶硅的结晶，从而形成较大的晶体例子，可提高多晶硅层的电子迁移率。进一步，本技术提供的阵列基板中的所述多晶硅层还包括沟道区、源极区和漏极区；所述轻掺杂区为以第一浓度掺第一离子的多晶硅区域；所述源极区和漏极区为以第二浓度掺杂第一离子的多晶硅区域；所述第一浓度小于所述第二浓度。优选的，第一离子为硼离子或磷离子。本技术提供的阵列基板还可包括：形成于所述多晶硅层远离所述透明衬底一侧的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层远离所述透明衬底一侧的栅极；形成于所述栅极和所述栅极绝缘层远离所述透明衬底一侧的介电层；形成于所述介电层远离所述透明衬底一侧的源极和漏极；所述源极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述介电层的第一过孔与所述多晶硅层连接；所述漏极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述介电层的第二过孔与所述多晶硅层连接。进一步，所述沟道区在所述透明衬底上的正投影与所述栅极在所述透明衬底上的正投影交叠，所述轻掺杂区位于所述源极区与所述沟道区之间；和/或所述轻掺杂区位于所述漏极区与所述沟道区之间。可见，本技术提供的所述多晶硅层进一步包括道区、源极区和漏极区，并按照大于第一浓度的第二浓度对源极区和漏极区进行掺杂，即进一步形成沟道区、轻掺杂区、重掺杂区电荷密度的阶梯变化，再次提升了电子迁移率。进一步，每个所述遮光图案部分或全部在所述透明衬底上的正投影与所述栅极在所述透明衬底上的正投影交叠。进一步，所述栅极包括透光区，所述透光区可接受来自于所述透明衬底方向直射的光。优选的，所述遮光图案包括第一遮光图案和第二遮光图案，所述第一遮光图案在所述透明衬底上的正投影与所述轻掺杂区在所述透明衬底上的正投影交叠；所述第二遮光图案在所述透明衬底上的正投影与所述栅极在所述透明衬底上的正投影交叠；所述第二遮光图案彼此间或与所述第一遮光图案形成狭缝，所述狭缝在所述透明衬底上的正投影与所述栅极在所述透明衬底上的正投影交叠。进一步，所述多晶硅层为L型或U型；所述栅极部分覆盖所述多晶硅层；所述至少一个遮光图案沿所述栅极延伸方向延伸且所述遮光图案的至少一侧与所述栅极在垂直于所述透明衬底方向上交叠。可见，本技术提供的阵列基板遮光图案完全覆盖了轻掺杂区，未完全覆盖栅极，即背光不可直射到轻掺杂区，可直射到栅极区，这样在栅极区对应的沟道区即可形成温度梯度，有利于多晶硅形成较大晶体，提高迁移率。进一步，本技术提供的上述阵列基板的所述遮光图案采用导热系数大于50W/m·K的不透明材料。导热系数大于50W/m·K的遮光图案可使位于栅极下方沟道区两侧以及沟道内部的部分多晶硅层温度下降速度增大，在多晶硅结晶时形成温度梯度，易于多晶硅晶格横向生长，进一步提高结晶质量，提升电子迁移率。本技术还提供一种显示面板，包括本技术提供的阵列基板。本技术提供的显示面板依然具备本技术提供的阵列基板的电子迁移率高，寄生电容小的优点。附图说明图1为现有技术的LTPS阵列基板的层级结构图；图2为本技术实施例提供的一种阵列基板的层级结构图；图3为本技术实施例提供的另一种阵列基板的层级结构图；图4a为本技术实施例提供的一种从透明衬底方向视入的直线型多晶硅层与遮光图案、栅极层叠图；图4b为本技术实施例提供的另一种从透明衬底方向视入的直线型多晶硅层与遮光图案、栅极层叠图；图5a为本技术实施例提供的一种从透明衬底方向视入的U型多晶硅层与遮光图案、栅极层叠图；图5b为本技术实施例提供的另一种从透明衬底方向视入的U型多晶硅层与遮光图案、栅极层叠图；图6a为本技术实施例提供的一种从透明衬底方向视入的L型多晶硅层与遮光图案、栅极层叠图；图6b为本技术实施例提供的另一种从透明衬底方向视入的L型多晶硅层与遮光图案、栅极层叠图；图7a为本技术实施例提供的一种显示面板的层级结构图；图7b为本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：透明衬底；至少一个形成于所述透明衬底上的遮光图案；形成于所述遮光图案远离所述透明衬底一侧和所述透明衬底靠近所述遮光图案一侧的缓冲层；形成于所述缓冲层远离所述透明衬底一侧的多晶硅层；所述多晶硅层包括至少一个轻掺杂区，每个所述轻掺杂区的在所述透明衬底上的正投影与所述遮光图案在所述透明衬底上的正投影交叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：
透明衬底；
至少一个形成于所述透明衬底上的遮光图案；
形成于所述遮光图案远离所述透明衬底一侧和所述透明衬底靠近所述
遮光图案一侧的缓冲层；
形成于所述缓冲层远离所述透明衬底一侧的多晶硅层；所述多晶硅层
包括至少一个轻掺杂区，每个所述轻掺杂区的在所述透明衬底上的正投影
与所述遮光图案在所述透明衬底上的正投影交叠。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅层还包括沟道
区、源极区和漏极区；
所述轻掺杂区为以第一浓度掺杂第一离子的多晶硅区域；
所述源极区和漏极区为以第二浓度掺杂所述第一离子的多晶硅区域；
所述第一浓度小于所述第二浓度。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一离子为硼离子或
磷离子。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
形成于所述多晶硅层远离所述透明衬底一侧的栅极绝缘层；
形成于所述栅极绝缘层远离所述透明衬底一侧的栅极；
形成于所述栅极和所述栅极绝缘层远离所述透明衬底一侧的介电层；
形成于所述介电层远离所述透明衬底一侧的源极和漏极；
所述源极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述介电层的第一过孔与所述多
晶硅层连接；
所述漏极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述介电层的第二过孔与所述多
晶硅层连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区在所述透明衬

\t底上的正投影与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邬可荣，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35