薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板的非显示区域的金属导电层表面覆盖有抗氧化结构，用以防止所述金属导电层被氧化，从而当所述金属导电层暴露在环境中，而此时若形成只位于显示区域的薄膜图形，所述抗氧化结构可以保护所述金属导电层不被氧化，降低了所述金属导电层的传输电阻，改善了所述金属导电层与后续形成的导电层的电学接触特性，从而提高了阵列基板的质量。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、 显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市 场占据了主导地位。TFT-IXD阵列基板是TFT-IXD的重要部件之一。其中，阵列基板包括显 示区域和位于显示区域外围的非显示区域，在显示区域形成有横纵交叉的栅线和数据线， 限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管（Thin Film Transistor,简称TFT)和像 素电极，TFT的漏电极和像素电极电性连接，源电极和数据线电性连接，栅电极和栅线电性 连接。通过栅线来打开薄膜晶体管，数据线上传输的像素电压通过薄膜晶体管传输至像素 电极，用于驱动液晶分子偏转，实现特定灰阶的显示。而非显示区域包括PAD区域和GOA区 域，GOA区域是集成栅极开关电路的区域，所述栅极开关电路的信号线由形成阵列基板上的 信号线（包括栅线、数据线等信号线）的导电层形成，可以省掉栅极集成驱动电路。PAD区 域即为压接区域，位于阵列基板的一个边或相邻的两个边上，是将阵列基板上的栅线、数据 线等信号线与外部驱动电路板的引脚压接连通的区域，包括栅线PAD区域、数据线PAD区域 等。PAD区域的信号线也由形成阵列基板上的信号线的导电层形成，且最上层为暴漏在表面 的透明导电层形成，用于与驱动芯片的引脚压接，如图1所示。 目前，市场上显示器屏幕的主流分辨率已经发展到FHD(400以上PPI)，QHD(480以 上PPI)已成趋势。随着PPI的增加，分辨率变大，特征尺寸变小，对阵列基板上金属信号线 的电阻电容延迟要求越来越高，为了获得良好的导电特性，阵列基板的金属信号线通常采 用金属合金层，如Ti-Al-Ti。 高PPI显示器的阵列基板主要采用LTPS工艺，结合图2所示，传统的LTPSTFT阵列 基板基本工艺为：缓冲层2 -多晶硅有源层（图中未示出）一栅绝缘层3 -栅金属层4 - 层间绝缘层5 -源漏金属层6 -平坦层（ACR，图中未示出）一第一透明导电层7,对于驱动 电场为横向电场的阵列基板，还包括形成第二透明导电层8。其中，所述ACR层只分布在阵 列基板的显示区域，在形成ACR层的制作工艺中，GOA区域和PAD区域信号线的源漏金属层 直接暴漏在环境中，在ACR固化时，很容易被氧化，将极大的影响GOA区域和PAD区域源漏 金属层的电阻以及源漏金属层与后续工艺形成的透明导电层的电性接触性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决当非显 示区域的金属导电层暴露在环境中，而此时若形成只位于显示区域的薄膜图形，会造成金 属导电层被氧化的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括显示区域和位 于显示区域外围的非显示区域，所述薄膜晶体管阵列基板包括位于所述非显示区域的金属 导电层，以及覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，以保护所述金属导电层不被氧 化。 本专利技术还提供一种显示装置，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。 本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包 括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述制作方法包括： 形成位于所述非显示区域的金属导电层； 形成覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，以保护所述金属导电层不被氧 化。。 本专利技术的上述技术方案的有益效果如下： 上述技术方案中，阵列基板的非显示区域的金属导电层表面覆盖有抗氧化结构， 用以防止所述金属导电层被氧化，从而当所述金属导电层暴露在环境中，而此时若形成只 位于显示区域的薄膜图形，所述抗氧化结构可以保护所述金属导电层不被氧化，降低了所 述金属导电层的传输电阻，改善了所述金属导电层与后续形成的导电层的电学接触特性， 从而提高了阵列基板的质量。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。 图1表不阵列基板的结构不意图； 图2表示现有技术中图1沿A-A的剖视图； 图3表示本专利技术实施例中图1沿A-A的剖视图； 图4-图7、图9和图10表示本专利技术实施例中阵列基板的制作过程示意图； 图8表不图7的俯视图。 【具体实施方式】 薄膜晶体管阵列基板包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，在非显示 区域形成有传输信号的导电层，用于为显示区域提供显示所需的信号，所述导电层包括金 属导电层。为简化制作工艺，非显示区域的导电层与显示区域的导电层通过同一材料薄膜 的构图工艺形成。 当形成仅位于显示区域形成的薄膜图形时，如：液晶显示器件的平坦层，若此时非 显示区域的金属导电层暴露在环境中，所述金属导电层存在易被氧化的问题。 为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板极其制作方法，通 过形成覆盖位于非显示区域的金属导电层表面的抗氧化结构，可以保护所述金属导电层不 被氧化，降低了所述金属导电层的传输电阻，改善了所述金属导电层与后续形成的导电层 的电学接触特性，从而提高了阵列基板的质量。 下面将结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实 施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。 本专利技术实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述薄膜晶体管阵列 基板包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述制作方法包括： 形成位于所述非显示区域的金属导电层； 形成覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，以保护所述金属导电层不被氧 化。 通过上述技术方案，可以保护非显示区域的金属导电层不被氧化，降低了所述金 属导电层的传输电阻，改善了所述金属导电层与后续形成的导电层的电学接触特性，从而 提1? 了阵列基板的质量。 相应地，本专利技术实施例中还提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包括显示区域和位 于显示区域外围的非显示区域。所述薄膜晶体管阵列基板包括位于所述非显示区域的金属 导电层，以及覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，所述第一抗氧化结构用于保护 所述金属导电层不被氧化。 优选地，在形成覆盖所述金属导电层表面的抗氧化结构的步骤之后，再形成仅位 于显示区域的薄膜图形，从而在形成仅位于显示区域的薄膜图形的制作工艺中，位于非显 示区域的金属导电层表面覆盖有抗氧化结构，可以保护所述金属导电层不被氧化。 为了简化阵列基板的制作工艺，非显示区域的导电层图形与显示区域的导电层图 形通过对同一材料薄膜的构图工艺同时形成。 在薄膜晶体管阵列基板的显示区域形成有多个像素单元，每个像素单元包括薄膜 晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层图案、源电极和漏电极。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述薄膜晶体管阵列基板包括位于所述非显示区域的金属导电层，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，以保护所述金属导电层不被氧化。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管阵列基板，包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述 薄膜晶体管阵列基板包括位于所述非显示区域的金属导电层，其特征在于，所述薄膜晶体 管阵列基板还包括： 覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，以保护所述金属导电层不被氧化。2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基 板还包括： 仅位于显示区域的薄膜图形。3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基 板还包括： 位于所述第一抗氧化结构上的透明导电层； 所述第一抗氧化结构中设置有第一过孔，所述透明导电层通过所述第一过孔与所述金 属导电层电性接触。4. 根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基 板为LTPS阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括位于显示区域的薄膜晶体管和像素电 极，所述仅位于显示区域的薄膜图形为平坦层； 所述金属导电层为源漏金属层。5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层的材质 为Ti/Al/Ti合金。6. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述非显示区域的源漏 金属层与薄膜晶体管的源电极、漏电极为同一材质； 所述非显示区域的透明导电层与像素电极为同一材质。7. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基 板还包括： 覆盖所述薄膜晶体管的漏电极表面的第二抗氧化结构，以保护所述漏电极不被氧化； 所述第二抗氧化结构与第一抗氧化结构为同一材质。8. 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第二抗氧化结构中 设置有第二过孔，所述像素电极通过所述第二过孔与薄膜晶体管的漏电极电性接触。9. 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一抗氧化结构和 第二抗氧化结构的材质为SiNx、SiOx或Si (ON) X。10. -种显示装置，包括权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。11. 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括显示区域和 位于显示区域外围的非显示区域，所述制作方法包括： 形成位于所述非显示区域的金属导电层，其特征在于，所述制作还包括： 形成覆盖所述金属导电层表面的第一抗氧化结构，以保护所述金属导电层不被氧化。12. 根据强烈要求11所述的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层表面的 第一抗氧化结构的步骤之...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小飞，杨玉清，莫再隆，石天雷，朴承翊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11