OLED像素结构及其制备方法、紫外光检测方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了OLED像素结构及其制备方法、紫外光检测方法和装置，以解决现有紫外光检测装置的阵列基板结构复杂、制备成本较高的问题。OLED像素结构，包括：衬底基板；依次形成于衬底基板上的遮光层和透明绝缘层，遮光层具有透光区；形成于透明绝缘层之上的感光TFT和开关TFT，感光TFT设置于透光区的上方，感光TFT的沟道区域正对透光区；其中，感光TFT和开关TFT包括依次形成于透明绝缘层上的源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅电极和钝化层，感光TFT的源电极与开关TFT的漏电极电连接；形成于钝化层之上的阳极、像素界定层、有机发光层和透明阴极，阳极通过过孔与开关TFT的源电极电连接。

【技术实现步骤摘要】
OLED像素结构及其制备方法、紫外光检测方法和装置
本专利技术涉及紫外光检测
，尤其涉及OLED像素结构及其制备方法、紫外光检测方法和装置。
技术介绍
紫外光对人体皮肤具有一定的伤害，较强的紫外光能够使皮肤灼伤，长时间处于较强的紫外光环境中甚至可能引发皮肤病变。例如直接暴露于阳光下、在高原环境下、在具有紫外光的医务工作环境下或具有紫外光的生产环境下，均有可能使人体皮肤受损。为了对环境中是否存在较强的紫外光、判断紫外光的强度，现有技术中将有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示技术与检测技术结合实现实时显示检测环境紫外线的功能，OLED显示器具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、超薄轻薄等特点，便于携带至现场环境或移动中检测紫外光，有利用于应用于微型显示器、头戴式显示器(HeadMountDisplay，HMD)、平视显示器(HeadUPDisplay，HUD)和互动式HMD或实时显示的紫外检测装置中。现在技术通常是在显示器阵列基板的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)之外，制备PN结作为光电转换层，PN结在接受到外部紫外光时使相连接的TFT导通后，控制显示器显示，从而实现对外部的紫外光的检测并显示。但是，基于现有技术，需要在TFT阵列之外单元设置PN结构成的光信号转换电路，因此使阵列基板的结构复杂；同时，在TFT制程之外需要增加PN结的制程，增加了制备成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供OLED像素结构及其制备方法、紫外光检测方法和装置，以解决现有紫外光检测装置的阵列基板结构复杂、制备成本较高的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：本专利技术实施例提供一种OLED像素结构，包括：衬衬底基板；依次形成于所述衬底基板上的遮光层和透明绝缘层，所述遮光层具有透光区；形成于所述透明绝缘层之上的感光TFT和开关TFT，所述感光TFT设置于所述透光区的上方，所述感光TFT的沟道区域正对所述透光区；其中，所述感光TFT和所述开关TFT包括依次形成于所述透明绝缘层上的源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅电极和钝化层，所述源漏极金属层包括源电极和漏电极，所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极电连接；形成于所述钝化层之上的阳极、像素界定层、有机发光层和透明阴极，所述阳极通过过孔与所述开关TFT的漏电极电连接。本专利技术实施例中，OLED像素结构的所述感光TFT，其沟道区域对应所述透光区并接收由所述透光区透过的外部紫外光，由于所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极连接，因此所述感光TFT在检测到紫外光后可以使所述开关TFT控制所述OLED像素结构的有机发光层进行发光，从而对外部紫外光的检测和显示。优选的，所述OLED像素结构还包括设置于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层。优选的，所述感光TFT和所述开关TFT为N型金属氧化物TFT。优选的，所述衬底基板为石英基板。本专利技术实施例中，以石英基板作为所述衬底基板，可以增加紫外光的透过率，使透过的紫外光的损耗降低，使所述OLED像素结构对紫外光的检测更准确。优选的，所述遮光层的材料为不透光的金属或有机物。优选的，所述透明绝缘层的材料为SiO2，厚度为1000-3000埃。本实施例中，所述透明绝缘层能够提供较平坦的表面，有利于OLED像素单元的制备。优选的，所述阳极的材料为对紫外光高反射的金属材料或复合膜层。本专利技术实施例有益效果如下：OLED像素结构的所述感光TFT，其沟道区域对应所述透光区并接收由所述透光区透过的外部紫外光，由于所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极连接，因此所述感光TFT在检测到紫外光后可以使所述开关TFT控制所述OLED像素结构的有机发光层进行发光，从而对外部紫外光的检测和显示；所述感光TFT和所述开关TFT为相同的结构且同步形成，因此不需要额外的制备工艺，降低制备成本；所述感光TFT在导通后可以为所述开关TFT提供电信号，因此不需要增加PN结和相关电路，阵列基板的结构相对简单。本专利技术实施例提供一种紫外光检测装置，包括至少一个如上实施例提供的OLED像素结构。本专利技术实施例有益效果如下：OLED像素结构的所述感光TFT，其沟道区域对应所述透光区并接收由所述透光区透过的外部紫外光，由于所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极连接，因此所述感光TFT在检测到紫外光后可以使所述开关TFT控制所述OLED像素结构的有机发光层进行发光，从而对外部紫外光的检测和显示；所述感光TFT和所述开关TFT为相同的结构且同步形成，因此不需要额外的制备工艺，降低制备成本；所述感光TFT在导通后可以为所述开关TFT提供电信号，因此不需要增加PN结和相关电路，阵列基板的结构相对简单。本专利技术实施例提供一种OLED像素结构的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成遮光层薄膜，通过构图工艺使遮光层薄膜形成包括透光区的遮光层；在所述遮光层形成透明绝缘层；在所述透明绝缘层之上依次形成源电极和漏电极所在层、有源层、栅极绝缘层、栅电极所在层和钝化层，从而同步制备完成感光TFT和开关TFT；其中，所述感光TFT设置于所述透光区的上方，所述感光TFT的沟道区域正对所述透光区，且所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极电连接；在所述钝化层之上依次阳极、像素界定层、有机发光层和透明阴极，使所述阳极通过过孔与所述开关TFT的漏电极电连接。优选的，还包括在所述钝化层和所述阳极之间形成平坦化层。本专利技术实施例有益效果如下：OLED像素结构的所述感光TFT，其沟道区域对应所述透光区并接收由所述透光区透过的外部紫外光，由于所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极连接，因此所述感光TFT在检测到紫外光后可以使所述开关TFT控制所述OLED像素结构的有机发光层进行发光，从而对外部紫外光的检测和显示；所述感光TFT和所述开关TFT为相同的结构且同步形成，因此不需要额外的制备工艺，降低制备成本；所述感光TFT在导通后可以为所述开关TFT提供电信号，因此不需要增加PN结和相关电路，阵列基板的结构相对简单。本专利技术实施例提供一种紫外光检测方法，包括：使感光TFT的源电极接高电平信号，所述感光TFT的栅电极接第一控制信号，开关TFT的栅电极接接第二控制信号；在第一时间段，所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平，所述感光TFT导通，所述开关TFT关断；在第二时间段，所述第一控制信号为低电平，所述第二控制信号为高电平，所述感光TFT关断，所述开关TFT导通，所述感光TFT检测透光区入射的紫外光后导通并将自身漏电极接收的高电平信号经所述开关TFT提供给OLED像素结构的阳极，使OLED像素结构的有机发光层发光；第三时间段至扫描结束，所述第一控制信号重复第一时间段和第二时间段的时序，复位所述感光TFT，所述第二控制信号为低电平，使所述开关TFT关断。本专利技术实施例有益效果如下：所述感光TFT的沟道区域对应所述透光区并接收由所述透光区透过的外部紫外光，由于所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极连接，因此所述感光TFT在检测到紫外光后可以使所述开关TFT控制所述OLED像素结构的有机发光层发光，从而对外部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管OLED像素结构，其特征在于，包括：衬底基板；依次形成于所述衬底基板上的遮光层和透明绝缘层，所述遮光层具有透光区；形成于所述透明绝缘层之上的感光TFT和开关TFT，所述感光TFT设置于所述透光区的上方，所述感光TFT的沟道区域正对所述透光区；其中，所述感光TFT和所述开关TFT包括依次形成于所述透明绝缘层上的源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅电极和钝化层，所述源漏极金属层包括源电极和漏电极，所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极电连接；形成于所述钝化层之上的阳极、像素界定层、有机发光层和透明阴极，所述阳极通过过孔与所述开关TFT的源电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管OLED像素结构，其特征在于，包括：衬底基板；依次形成于所述衬底基板上的遮光层和透明绝缘层，所述遮光层具有透光区；形成于所述透明绝缘层之上的感光TFT和开关TFT，所述感光TFT设置于所述透光区的上方，所述感光TFT的沟道区域正对所述透光区；其中，所述感光TFT和所述开关TFT包括依次形成于所述透明绝缘层上的源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅电极和钝化层，所述源漏极金属层包括源电极和漏电极，所述感光TFT的源电极与所述开关TFT的漏电极电连接；形成于所述钝化层之上的阳极、像素界定层、有机发光层和透明阴极，所述阳极通过过孔与所述开关TFT的源电极电连接。2.如权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，所述OLED像素结构还包括设置于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层。3.如权利要求1或2所述的OLED像素结构，其特征在于，所述感光TFT和所述开关TFT为N型金属氧化物TFT。4.如权利要求1或2所述的OLED像素结构，其特征在于，所述衬底基板为石英基板。5.如权利要求1或2所述的OLED像素结构，其特征在于，所述遮光层的材料为不透光的金属或有机物。6.如权利要求1或2所述的OLED像素结构，其特征在于，所述透明绝缘层的材料为SiO2，厚度为1000-3000埃。7.如权利要求1或2所述的OLED像素结构，其特征在于，所述阳极的材料为对紫外光高反射的金属材料或复合膜层。8.一种紫外光检测装置，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至7任一项所述的OLED像素结构。9.一种OLED像素结构的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11