阵列基板结构与显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种阵列基板结构与显示装置，该阵列基板结构包括：一基板；一绝缘层，位于该基板上；一半导体层，位于该绝缘层上；一介电层，位于该半导体层上，且该介电层具有一开口，并部分地露出该半导体层与该绝缘层，其中该开口于一第一方向上具有一第一宽度；以及一导线，沿不同于该第一方向的一第二方向延伸而设置于该介电层之上并填入该开口内，以电连接为该开口所露出的该半导体层，其中该导线包括位于该介电层的一顶面上的一第一部以及位于该开口内的一第二部，而该导线的该第一部于该第一方向上具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板结构与显示装置
本技术涉及显示装置，且特别是涉及用于显示装置的一种阵列基板结构。
技术介绍
为了实现高速影像处理以及高品质显示影像，近年来如彩色液晶显示装置的平面显示器已广泛地使用。在液晶显示装置中，通常包括两个上、下基板，以黏合或是封合材料接合在一起。而液晶材料被填入两个基板之间，为了保持两板之间固定的距离，具有一定粒径的颗粒被散布于上述两板之间。 通常，下基板表面形成有用来当作开关元件的薄膜晶体管，此薄膜晶体管具有连接于扫描线(scanning line)的栅极电极(gate electrode)、连接于数据线(data line)的源极电极(source electrode)、与连接于像素电极(pixel electrode)的漏极电极(drain electrode)。而上基板置于下基板上方,此上基板表面形成有一滤光片与多个遮光材料(如由树脂黑矩阵(Resin BM)构成)。此两基板的周边具有封合材料黏合固定住，而两基板之间具有液晶材料。下基板也称之为阵列基板(array substrate)，而形成于其上的如薄膜晶体管、接触物等数个元件则通常通过数道光刻制作工艺所制作而成。 然而，随着显示装置的影像的分辨率的提升趋势，便需要于下基板上形成如薄膜晶体管、接触物等尺寸更为缩减的数个元件时，提供可维持或提升显示装置的光穿透率表现与显示表现的阵列基板结构。
技术实现思路
依据一实施例，本技术提供了一种阵列基板结构，包括:一基板；一绝缘层，位于该基板上；一半导体层，位于该绝缘层上；一介电层，位于该半导体层上，且该介电层具有一开口，并部分地露出该半导体层与该绝缘层，其中该开口于一第一方向上具有一第一宽度；以及一导线，沿不同于该第一方向的一第二方向延伸而设置于该介电层之上并填入该开口内，以电连接为该开口所露出的该半导体层，其中该导线包括位于该介电层的一顶面上的一第一部以及位于该开口内的一第二部，而该导线的该第一部于该第一方向上具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。 该开口的该第一宽度为该开口的最大宽度。 该半导体层于该第一方向上具有一第三宽度，且该第三宽度大于该第二宽度但小于该第一宽度。 该导线还包括一第三部，以连接该第一部与该第二部，而该第三部位于该介电层的该顶面上及邻近该开口，而该导线的该第三部于该第一方向上具有一第四宽度，且该第四宽度小于该第二宽度。 该导线的该第二部覆盖该开口所露出的该半导体层的一顶面与一侧壁面。 该半导体层的材料为多晶硅、非晶硅或金属氧化物。 从上视观之，该半导体层具有类U形结构。 该半导体层的边缘具有一圆导角结构。 该绝缘层为一缓冲层或一栅绝缘层。 该导线为一数据线。 依据另一实施例，本技术提供了一种阵列基板结构，包括:一基板；一绝缘层，位于该基板上；一介电层，位于该绝缘层上，且该介电层具有一开口，并部分露出该绝缘层；一凹槽，位于该绝缘层中并与该开口相连接；以及一导线，位于该开口与该凹槽内，以覆盖该开口与该凹槽所露出的该绝缘层以及部分覆盖为该开口所露出的该介电层的一侧壁面。 该绝缘层为一缓冲层或一栅绝缘层。 该开口所露出的该绝缘层的一顶面与该凹槽的一底面之间具有一段差。 该凹槽还具有一连接面，以连接该开口所露出的该绝缘层的该顶面与该凹槽的一 。 该导线为一数据线。 该阵列基板结构还包括一半导体层，位于该绝缘层和该介电层之间，其中该导线经由该开口以与该半导体层电连接。 该导线覆盖该开口所露出的该半导体层的一顶面与一侧壁面。 依据又一实施例，本技术提供了一种显示装置，包括:前述的一阵列基板结构；一透光基板；以及一显示层，设置于该透光基板与该阵列基板结构之间。 该显示层为一液晶层或一有机发光二极管层。 本技术的优点在于，本技术提供的阵列基板结构在随着阵列基板结构上的薄膜晶体管及导电接触物等元件的尺寸缩减时，仍可维持或更为提升包括此些阵列基板结构的显示装置的光穿透率表现与显示表现。 为让本技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。 【附图说明】 图1为一上视示意图，显示了依据本技术的一比较例的一种阵列基板结构的布局情形； 图2为一示意图，显示了图1内区域A的放大情形； 图3为一示意图，显示了依据本技术的一比较例的沿图1内3-3线段的阵列基板结构的剖面情形； 图4为一示意图，显示了依据本技术的一比较例的沿图1内4-4线段的阵列基板结构的剖面情形； 图5为一示意图，显示了依据本技术的另一比较例的沿图1内3-3线段的阵列基板结构的剖面情形； 图6为一示意图，显示了依据本技术的另一比较例的沿图1内4-4线段的阵列基板结构的剖面情形； 图7为一上视示意图，显示了依据本技术的一实施例的一种阵列基板结构的布局; 图8为一不意图，显不了图7内区域B的放大情形； 图9为一示意图，显示了依据本技术的一实施例的沿图7内9-9线段的阵列基板结构的剖面情形； 图10为一示意图，显示了依据本技术的一实施例的沿图7内10-10线段的阵列基板结构的剖面情形； 图11为一示意图，显示了依据本技术的另一实施例的沿图7内9-9线段的阵列基板结构的剖面情形； 图12为一示意图，显示了依据本技术的另一实施例的沿图11内10-10线段的阵列基板结构的剖面情形；以及 图13为一剖面示意图，显示了依据本技术的一实施例的一种显示装置。 符号说明 100?基板 102?第一绝缘层 104?半导体层 104a?源极区 106?第二绝缘层 108?第一导线 110?第一介电层 112?第二介电层 114、114，?开口 116、116’ ?第二导线 118?金属层 150 ?凹口 160?中间线 W、W，?线宽 Wl?线宽 W2?线宽 W3?线宽 W4?线宽 wr?线宽 W2’?线宽 W3，?线宽 A、B?区域 D、D’?开口的宽度 SI?导线的第一部 S2?导线的第二部 S3?导线的第三部 【具体实施方式】 请参照图1-图3，显示了依据本技术的一比较例的一种阵列基板结构的一系列示意图。在此，如图1-图3所示的阵列基板结构为本案专利技术人所知悉的一种阵列基板结构，并于下文中通过其说明随着形成于阵列基板结构上的如数据线、接触开口等元件的尺寸缩减趋势时，技术人所发现的开口率与对比度的降低以及数据线断线等可能的不期望的电性表现与显示表现的产生情形。 请参照图1，显示了依据本技术的一比较例的一种阵列基板结构的布局情形的一上视示意图。在此，阵列基板结构主要包括:一基板100 (在此未显示，请参见图2-图3)、数个U形半导体层104，分隔地设置于基板100上；一第一导线108，沿如X方向的一第一方向沿伸而设置于基板100上并部分覆盖此些半导体层104的数个部分；一第二介电层112，形成于基板100、半导体层104、第一导线108上；数个第二导线116，沿如Y方向的一第二方向沿伸而分隔地设置于介电层112上并部分覆盖此些半导体层10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板结构，其特征在于，该阵列基板结构包括： 基板； 绝缘层，位于该基板上； 半导体层，位于该绝缘层上； 介电层，位于该半导体层上，且该介电层具有一开口，并部分地露出该半导体层与该绝缘层，其中该开口于一第一方向上具有一第一宽度；以及 导线，沿不同于该第一方向的一第二方向延伸而设置于该介电层之上并填入该开口内，以电连接为该开口所露出的该半导体层，其中该导线包括位于该介电层的一顶面上的一第一部以及位于该开口内的一第二部，而该导线的该第一部于该第一方向上具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板结构，其特征在于，该阵列基板结构包括: 基板； 绝缘层，位于该基板上； 半导体层，位于该绝缘层上； 介电层，位于该半导体层上，且该介电层具有一开口，并部分地露出该半导体层与该绝缘层，其中该开口于一第一方向上具有一第一宽度；以及 导线，沿不同于该第一方向的一第二方向延伸而设置于该介电层之上并填入该开口内，以电连接为该开口所露出的该半导体层，其中该导线包括位于该介电层的一顶面上的一第一部以及位于该开口内的一第二部，而该导线的该第一部于该第一方向上具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。2.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，该开口的该第一宽度为该开口的最大宽度。3.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，该半导体层于该第一方向上具有一第三宽度，且该第三宽度大于该第二宽度但小于该第一宽度。4.如权利要求3所述的阵列基板结构，其特征在于，该导线还包括一第三部，以连接该第一部与该第二部，而该第三部位于该介电层的该顶面上及邻近该开口，而该导线的该第三部于该第一方向上具有一第四宽度，且该第四宽度小于该第二宽度。5.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，该导线的该第二部覆盖该开口所露出的该半导体层的一顶面与一侧壁面。6.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，该半导体层的材料为多晶硅、非晶硅或金属氧化物。7.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，从上视观之，该半导体层具有类U形结构。8.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，该半导体层的边缘具有一圆导角结构。9.如权利要求1所述的阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘侑宗，李淂裕，邱冠宇，王兆祥，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71