一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够在保证寄生电容不增大的前提下，提高薄膜晶体管的开态电流，有利于提高显示装置的解析度、分辨率和开口率。该阵列基板上包括衬底基板以及位于衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，栅线和数据线围成像素单元，像素单元内设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，栅极位于第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分之间，第二栅极绝缘部分位于栅极和有源层之间；阵列基板还包括导电衬垫，位于栅线两侧的栅极绝缘层上设置有对应于导电衬垫的第一过孔，数据线通过第一过孔与导电衬垫连接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示装置是一种平面超薄的显示装置，其具有体积小，功耗低、无辐射等特点，应用十分广泛。具体地，薄膜晶体管液晶显示装置包括阵列基板，示例性地，阵列基板包括衬底基板以及设置于衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线、薄膜晶体管和像素电极等结构。具体地，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，栅极绝缘层位于栅极和有源层之间，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，以使得栅线和数据线交叉位置处栅线和数据线之间形成的寄生电容较小，进而使得薄膜晶体管液晶显示装置的能耗较小。专利技术人发现，由于栅极绝缘层的厚度较大，使得薄膜晶体管的开态电流较小。为了使薄膜晶体管具有较大的开态电流，通常薄膜晶体管的沟道的宽长比比较大，进而导致薄膜晶体管的尺寸较大，不利于提高薄膜晶体管液晶显示装置的解析度、分辨率和开口率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在保证寄生电容不增大的前提下，提高薄膜晶体管的开态电流，进而有利于提高显示装置的解析度、分辨率和开口率。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，采用如下技术方案：一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线围成像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；所述阵列基板还包括位于所述栅线和所述数据线交叉位置处的导电衬垫，位于所述栅线两侧的所述栅极绝缘层上设置有对应于所述导电衬垫的第一过孔，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接。沿垂直于所述栅线的方向上，所述导电衬垫的尺寸大于所述栅线的尺寸。所述薄膜晶体管处的所述第一栅极绝缘部分、所述栅极、所述第二栅极绝缘部分、所述有源层、同层设置的所述源极和漏极沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上；所述栅线和所述数据线交叉位置处的所述导电衬垫、所述第一栅极绝缘部分、所述栅线、所述第二栅极绝缘部分和所述数据线沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上。所述薄膜晶体管处的同层设置的所述源极和漏极、所述有源层、所述第二栅极绝缘部分、所述栅极、所述第一栅极绝缘部分沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上，所述数据线通过所述栅极绝缘层上的第二过孔与所述源极连接；所述栅线和所述数据线交叉位置处的所述导电衬垫、所述第二栅极绝缘部分、所述栅线、所述第一栅极绝缘部分和所述数据线依次设置于所述衬底基板上。所述第二栅极绝缘部分的介电常数大于所述第一栅极绝缘部分的介电常数。所述第一栅极绝缘部分的厚度为所述第二栅极绝缘部分的厚度为本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，其中栅极位于第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分之间，第二栅极绝缘部分位于栅极和有源层之间，进而可以有效提高薄膜晶体管的开态电流。另外，阵列基板还包括位于栅线和数据线交叉位置处的导电衬垫，位于栅线两侧的栅极绝缘层上设置有对应于导电衬垫的第一过孔，数据线通过第一过孔与导电衬垫连接，具有此结构的阵列基板上的寄生电容的大小与现有技术中寄生电容的大小相同，因此，本专利技术实施例提供的阵列基板能够在保证寄生电容不增大的前提下，提高薄膜晶体管的开态电流，进而有利于提高显示装置的解析度、分辨率和开口率。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一种实施方式所述的阵列基板。为了进一步解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，采用如下技术方案：一种阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成栅线、栅极、栅极绝缘层、有源层、数据线、源极、漏极和导电衬垫；形成所述栅极绝缘层包括形成第一栅极绝缘部分和形成第二栅极绝缘部分；所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；所述导电衬垫位于所述栅线和所述数据线交叉位置处，在所述栅线两侧的所述栅极绝缘层上形成对应于所述导电衬垫的第一过孔，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接。所述在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、数据线、源极、漏极和导电衬垫，包括：在所述衬底基板上形成包括所述导电衬垫的图形；在形成了包括所述导电衬垫的图形的所述衬底基板上，形成所述第一栅极绝缘部分；在形成了所述第一栅极绝缘部分的所述衬底基板上，形成栅极金属层，经过构图工艺形成包括所述栅线和所述栅极的图形；在形成了包括所述栅线和所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成第二栅极绝缘薄膜，经过构图工艺形成所述第二栅极绝缘部分；在形成了所述第二栅极绝缘部分的所述衬底基板上，形成半导体层，经过构图工艺形成包括所述有源层的图形；经过构图工艺，在所述栅线两侧的所述栅极绝缘层上形成对应于所述导电衬垫的所述第一过孔；在形成了所述第一过孔的所述衬底基板上，形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括所述数据线、所述源极和所述漏极的图形，所述数据线与所述栅线交叉于所述导电衬垫上方，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接。所述在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、数据线、源极、漏极和导电衬垫，包括：在所述衬底基板上形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括所述源极、所述漏极和所述导电衬垫的图形；在形成了包括所述源极、所述漏极和所述导电衬垫的图形的所述衬底基板上，形成半导体层，经过构图工艺形成包括所述有源层的图形；在形成了包括所述有源层的图形的所述衬底基板上，形成第二栅极绝缘薄膜，经过构图工艺形成所述第二栅极绝缘部分；在形成了所述第二栅极绝缘部分的所述衬底基板上，形成栅极金属层，经过构图工艺形成包括所述栅线和所述栅极的图形；在形成了包括所述栅线和所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成所述第一栅极绝缘部分；经过构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成对应于所述导电衬垫的所述第一过孔和对应于所述源极的第二过孔；在形成了所述第一过孔和所述第二过孔的所述栅极绝缘层上，形成数据线金属层，经过构图工艺形成包括所述数据线的图形，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接，通过所述第二过孔与所述源极连接。沉积形成所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘薄膜，其中，沉积形成所述第二栅极绝缘薄膜的工艺参数不同于沉积形成所述第一栅极绝缘部分的工艺参数，以使得经过构图工艺后形成的所述第二栅极绝缘部分的介电常数大于所述第一栅极绝缘部分的介电常数。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括在衬底基板上形成栅线、栅极、栅极绝缘层、有源层、数据线、源极、漏极和导电衬垫，其中，形成栅极绝缘层包括形成第一栅极绝缘部分和形成第二栅极绝缘部分，栅极位于第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分之间，第二栅极绝缘部分位于栅极和有源层之间，从而使得薄膜晶体管的栅极和有源层之间仅设置有第二栅极绝缘部分，进而可以有效提高薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线围成像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，其特征在于，所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；所述阵列基板还包括位于所述栅线和所述数据线交叉位置处的导电衬垫，位于所述栅线两侧的所述栅极绝缘层上设置有对应于所述导电衬垫的第一过孔，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线围成像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部分和第二栅极绝缘部分，其特征在于，所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；所述阵列基板还包括位于所述栅线和所述数据线交叉位置处的导电衬垫，所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分分别位于所述栅线两侧，所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分上均设置有对应于所述导电衬垫的第一过孔，所述数据线通过所述第一过孔与所述导电衬垫连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿垂直于所述栅线的方向上，所述导电衬垫的尺寸大于所述栅线的尺寸。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管处的所述第一栅极绝缘部分、所述栅极、所述第二栅极绝缘部分、所述有源层、同层设置的所述源极和漏极沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上；所述栅线和所述数据线交叉位置处的所述导电衬垫、所述第一栅极绝缘部分、所述栅线、所述第二栅极绝缘部分和所述数据线沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管处的同层设置的所述源极和漏极、所述有源层、所述第二栅极绝缘部分、所述栅极、所述第一栅极绝缘部分沿远离所述衬底基板的方向上依次设置于所述衬底基板上，所述数据线通过所述栅极绝缘层上的第二过孔与所述源极连接；所述栅线和所述数据线交叉位置处的所述导电衬垫、所述第二栅极绝缘部分、所述栅线、所述第一栅极绝缘部分和所述数据线依次设置于所述衬底基板上。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极绝缘部分的介电常数大于所述第一栅极绝缘部分的介电常数。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘部分的厚度为所述第二栅极绝缘部分的厚度为7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅线、栅极、栅极绝缘层、有源层、数据线、源极、漏极和导电衬垫；形成所述栅极绝缘层包括形成第一栅极绝缘部分和形成第二栅极绝缘部分；所述栅极位于所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分之间，所述第二栅极绝缘部分位于所述栅极和所述有源层之间；所述导电衬垫位于所述栅线和所述数据线交叉位置处，所述第一栅极绝缘部分和所述第二栅极绝缘部分分别位于所述栅线两侧，在所述第一栅极绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈奇雨，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34