一种TFT基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上形成TFT结构；在基板上进一步形成色阻层，色阻层在TFT结构的对应位置形成第一开口区域；在第一开口区域内形成第一黑色矩阵，以由第一黑色矩阵覆盖TFT结构；在色阻层和第一黑色矩阵上形成像素电极，像素电极经第一黑色矩阵与TFT结构电连接。通过上述方法，本发明专利技术能够在TFT基板组成的面板发生弯曲时，充分的遮住光线，减小透光效果，提高面板的对比度。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种TFT基板及其制造方法。
技术介绍
曲面电视由于具有更出色的对比度、更广泛的视角以及沉浸式体验，为用户提供更具深度的观赏感受，因此其越来越受到人们的热爱。 在曲面电视应用中，由于面板会有一定程度的弯曲，使得组成面板的TFT (薄膜晶体管,Thin Film Transistor)基板和CF(彩色滤光片，color filter)基板之间会产生相对错位，导致设置在CF基板上的黑色矩阵(Black Matrix,BM)的光遮效果受到影响。具体请参阅图1和图2所示，其中，图1是面板100没有弯曲时，黑色矩阵101的遮光情况，图2为面板100弯曲后，黑色矩阵101的遮光情况，由图1和图2可知，在面板100弯曲后，有部分光从黑色矩阵101旁边射出，产生漏光现象，影响黑色矩阵101的光遮效果，从而会降低面板的对比度。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种TFT基板及其制造方法，能够在TFT基板组成的面板发生弯曲时，充分的遮住光线，减小透光效果，从而提高面板的对比度。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种基板的制造方法，该方法包括以下步骤:提供一基板；在基板上形成TFT结构；在基板上进一步形成色阻层，色阻层在TFT结构的对应位置形成第一开口区域；在第一开口区域内形成第一黑色矩阵，以由第一黑色矩阵覆盖TFT结构；在色阻层和第一黑色矩阵上形成像素电极，像素电极经第一黑色矩阵与TFT结构电连接。 其中，在基板上形成TFT结构的步骤还包括:在基板上形成电容电极，其中色阻层在电容电极的对应位置形成第二开口区域；在第一开口区域内形成第一黑色矩阵的步骤还包括:在第二开口区域内形成第二黑色矩阵，以由第二黑色矩阵覆盖电容电极。 其中，电容电极包括第一电容电极和第二电容电极，在基板上形成TFT结构的步骤包括:在基板上形成栅电极以及与栅电极同层设置的扫描线和第一电容电极；在栅电极上依次形成第一绝缘层和有源层，第一绝缘层进一步覆盖于扫描线和第一电容电极上，有源层未覆盖于扫描线和第一电容电极上；在有源层上形成源电极和漏电极，并在第一电容电极上形成与源电极和漏电极同层设置的第二电容电极；在源极、漏极和第二电容电极上形成第二绝缘层，其中色阻层、第一黑色矩阵和第二黑色矩阵形成于第二绝缘层上，像素电极经第一黑色矩阵和第二绝缘层与源电极和漏电极中的一者电连接，并进一步经第二黑色矩阵和第二绝缘层与第二电容电极电连接。 其中，方法还包括:在第一黑色矩阵、第二黑色矩阵和色阻层与像素电极之间形成绝缘保护层。 其中，在第一开口区域内形成第一黑色矩阵的步骤包括:在第一黑色矩阵和第二绝缘层对应于源电极和漏电极中的一者的位置形成第一接触孔，并在第二黑色矩阵和第二绝缘层对应于第二电容电极的位置形成第二接触孔；在第一黑色矩阵、第二黑色矩阵和色阻层与像素电极之间形成绝缘保护层的步骤包括:在第一接触孔和第二接触孔内形成绝缘保护层；在第一接触孔和第二接触孔内的绝缘保护层分别形成第三接触孔和第四接触孔，其中像素电极通过第三接触孔与源电极和漏电极中的一者电连接，并通过和第四接触孔与第二电容电极电连接。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种TFT基板，该TFT基板包括基板；TFT结构，设在基板上；色阻层，设置在基板上，其中，色阻层在TFT结构的对应位置形成第一开口区域；第一黑色矩阵，设置在第一开口区域内，以由第一黑色矩阵覆盖TFT结构；像素电极，设置在色阻层和第一黑色矩阵上，像素电极经第一黑色矩阵与TFT结构电连接。 其中，TFT基板还包括:电容电极，设置在基板上，其中色阻层在信号线的对应位置形成第二开口区域；第二黑色矩阵，设置在第二开口区域内，以由第二黑色矩阵覆盖电容电极。 其中，电容电极包括第一电容电极和第二电容电极，TFT基板还包括:栅电极，设置在基板上；扫描线和第一电容电极，与栅电极同层设置；第一绝缘层和有源层，依次设置在栅电极上，其中，第一绝缘层进一步覆盖于扫描线和第一电容电极上，有源层未覆盖于扫描线和第一电容电极上；源电极和漏电极，设置在有源层上，第二电容电极，设置在第一电容电极上，并与源电极和漏电极同层设置；第二绝缘层，设置在源极、漏极和第二电容电极上，其中色阻层、第一黑色矩阵和第二黑色矩阵形成于第二绝缘层上，像素电极经第一黑色矩阵和第二绝缘层与源电极和漏电极中的一者电连接，并进一步经第二黑色矩阵和第二绝缘层与第二电容电极电连接。 其中，TFT基板还包括:绝缘保护层，设置在第一黑色矩阵、第二黑色矩阵和色阻层与像素电极之间。 其中，在第一黑色矩阵和第二绝缘层对应于源电极和漏电极中的一者的位置形成第一接触孔，并在第二黑色矩阵和第二绝缘层对应于第二电容电极的位置形成第二接触孔；在第一接触孔和第二接触孔内形成绝缘保护层；在第一接触孔和第二接触孔内的绝缘保护层分别形成第三接触孔和第四接触孔，其中像素电极通过第三接触孔与源电极和漏电极中的一者电连接，并通过和第四接触孔与第二电容电极电连接。 本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术将黑色矩阵设置在TFT基板侧，使得在TFT基板组成的面板发生弯曲时，充分的遮住光线，减小透光效果，提高面板的对比度。 【附图说明】 图1是现有技术的面板没有弯曲时黑色矩阵的遮光效果图； 图2是现有技术的面板在发生弯曲时黑色矩阵的遮光效果图； 图3本专利技术实施例提供的一种TFT基板的结构示意图； 图4是图3所示的TFT基板的其中一个像素单元的结构示意图； 图5是图4所示的像素单元沿EF虚线的剖视图； 图6本专利技术实施例的TFT基板组成的面板在发生弯曲时黑色矩阵的遮光效果图； 图7是图4所示的像素单元沿⑶虚线的剖视图； 图8是本专利技术实施例提供的一种TFT基板的制造方法的流程图； 图9-10是图8所示的TFT基板制造方法的工艺制程图。 【具体实施方式】 请参阅图3，图3是本专利技术实施例的一种TFT基板的结构示意图。如图3所示，本专利技术实施例的TFT基板10包括多个像素单元110，其中每个像素单元110的结构都相同。本专利技术将以其中一个像素单元的结构进行详细描述。 请参阅图4-图5，图4是图3所示的TFT基板10中的其中一个像素单元110的结构示意图，图5是图4所示的像素单元110沿虚线EF的剖视图。如图4和图5所示,本专利技术实施例的TFT基板10的像素单元110包括基板11、TFT结构12、色阻层13、黑色矩阵140以及像素电极15。其中，TFT结构12设置在基板11上，色阻层13设置在基板11上，其中，色阻层13在TFT结构12的对应位置形成第一开口区域Ml。黑色矩阵140设置在第一开口区域Ml内，以由黑色矩阵140覆盖TFT结构12。像素电极15设置在色阻层13和黑色矩阵140上，像素电极15经黑色矩阵140与TFT结构12电连接。 其中，色阻层13包括红色、绿色以及蓝色(R、G以及B)材料组成，黑色矩阵140由黑树脂材料组成。 因此，本实施例中，在TFT基板10侧设置了黑色矩阵140，使得在TFT基板10组成的面板发生弯曲时，设置在TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成TFT结构；在所述基板上进一步形成色阻层，所述色阻层在所述TFT结构的对应位置形成第一开口区域；在所述第一开口区域内形成第一黑色矩阵，以由所述第一黑色矩阵覆盖所述TFT结构；在所述色阻层和所述第一黑色矩阵上形成像素电极，所述像素电极经所述第一黑色矩阵与所述TFT结构电连接。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 提供一基板； 在所述基板上形成TFT结构； 在所述基板上进一步形成色阻层，所述色阻层在所述TFT结构的对应位置形成第一开口区域； 在所述第一开口区域内形成第一黑色矩阵，以由所述第一黑色矩阵覆盖所述TFT结构； 在所述色阻层和所述第一黑色矩阵上形成像素电极，所述像素电极经所述第一黑色矩阵与所述TFT结构电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成TFT结构的步骤还包括: 在所述基板上形成电容电极，其中所述色阻层在所述电容电极的对应位置形成第二开口区域； 所述在所述第一开口区域内形成第一黑色矩阵的步骤还包括: 在所述第二开口区域内形成第二黑色矩阵，以由所述第二黑色矩阵覆盖所述电容电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电容电极包括第一电容电极和第二电容电极，所述在所述基板上形成TFT结构的步骤包括: 在所述基板上形成栅电极以及与所述栅电极同层设置的扫描线和第一电容电极； 在所述栅电极上依次形成第一绝缘层和有源层，所述第一绝缘层进一步覆盖于所述扫描线和所述第一电容电极上，所述有源层未覆盖于所述扫描线和所述第一电容电极上； 在所述有源层上形成源电极和漏电极，并在所述第一电容电极上形成与所述源电极和漏电极同层设置的第二电容电极； 在所述源极、所述漏极和所述第二电容电极上形成第二绝缘层，其中所述色阻层、所述第一黑色矩阵和所述第二黑色矩阵形成于所述第二绝缘层上，所述像素电极经所述第一黑色矩阵和所述第二绝缘层与所述源电极和漏电极中的一者电连接，并进一步经所述第二黑色矩阵和所述第二绝缘层与所述第二电容电极电连接。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 在所述第一黑色矩阵、第二黑色矩阵和色阻层与所述像素电极之间形成绝缘保护层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一开口区域内形成第一黑色矩阵的步骤包括: 在所述第一黑色矩阵和所述第二绝缘层对应于所述源电极和漏电极中的所述一者的位置形成第一接触孔，并在所述第二黑色矩阵和所述第二绝缘层对应于所述第二电容电极的位置形成第二接触孔； 在所述第一黑色矩阵、第二黑色矩阵和色阻层与所述像素电极之间形成绝缘保护层的步骤包括: 在所述第一接触孔和所述第二接触孔内形成所述绝缘保护层； 在所述第一接触孔和所述第二接触孔内的所述绝缘保护层分别形成第三接触孔和第四接触孔，其中所述像素电极通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：连水池，熊源，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44