涂覆的电气组件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有保形涂层的电气组件，其中所述保形涂层通过以下方法可得到，该方法包括式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物的沉积以及氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物的沉积：(I)其中：R1代表C1-C3烷基或C2-C3烯基；R2代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R3代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R4代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R5代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；且R6代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂覆的电气组件专利
本专利技术涉及一种涂覆的电气组件和制备涂覆的电气组件的方法。专利技术背景保形涂层在电子行业已经被使用很多年，以保护电气组件在操作过程中免受环境暴露。保形涂层是薄的、柔性的保护漆层，该保护漆层符合电气组件的轮廓，如印刷电路板和它的元件。根据IPC定义，有5种主要种类的保形涂层：AR(丙烯酸树脂)、ER(环氧树脂)、SR(硅酮)、UR(氨基甲酸酯)和XY(对二甲苯)。这5种类型中，对二甲苯(或聚对二甲苯)被普遍接受用来提供最好的化学、电气和物理保护。然而，沉积过程是耗时且昂贵的，且起始原料是昂贵的。聚对二甲苯是具有以下结构的聚合物：聚对二甲苯使用三个阶段气相沉积过程沉积。固相前体在真空下加热并升华。重要的是理解，聚对二甲苯，尽管有时被错误地称作“对二甲苯”，但实际上不是由化合物对二甲苯制备而成。事实上，前体是[2.2]对环芳烷：化学蒸汽然后经过在约680℃下的高温炉，以致前体分裂成反应性单体。该反应性单体然后供入沉积室中并在基材的表面上聚合。聚对二甲苯的典型的涂层厚度在5到25微米之间。以上描述的聚对二甲苯沉积技术是不理想的，这是由于起始原料的高成本、在单体生成过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电气组件，所述电气组件具有保形涂层，其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法可得到：(a)式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上：其中：R1代表C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；R2代表氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；R3代表氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；R4代表氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；R5代表氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基；且R6代表氢、C1‑C3烷基或C2‑C3烯基，和(b)氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(a)中形成的聚合物上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.06 GB 1203927.7;2012.09.14 GB 1216467.9;201.一种电气组件，所述电气组件具有保形涂层，其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法得到：(a)式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上：其中：R1代表C1-C3烷基或C2-C3烯基；R2代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R3代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R4代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；R5代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基；且R6代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基，和(b)氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(a)中形成的聚合物上，其中所述式(I)的化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1,2-二乙烯基苯，并且所述氟代烃是CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C3F8或C4F8，并且其中所述保形涂层包括通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第一层以及通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第二层，并且其中在所述第一层和所述第二层之间的折射率的差是至少0.01，以及所述第一层和/或所述第二层的厚度为从195z/ynm到375z/ynm，其中z是整数且y是所述层的折射率。2.一种电气组件，所述电气组件具有保形涂层，其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法得到：(i)氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上，和(ii)权利要求1中定义的式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(i)中形成的聚合物上，其中所述式(I)的化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1,2-二乙烯基苯，并且所述氟代烃是CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C3F8或C4F8，并且其中所述保形涂层包括通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第一层以及通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第二层，并且其中在所述第一层和所述第二层之间的折射率的差是至少0.01，以及所述第一层和/或所述第二层的厚度为从195z/ynm到375z/ynm，其中z是整数且y是所述层的折射率。3.根据权利要求1所述的电气组件，其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法得到：(a)式(I)的第一化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上，(b)第一氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(a)中形成的聚合物上，(c)式(I)的第二化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(b)中形成的聚合物上，和(d)第二氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(c)中形成的聚合物上，其中所述式(I)的第一化合物和所述式(I)的第二化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1,2-二乙烯基苯，并且所述第一氟代烃和所述第二氟代烃是CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C3F8或C4F8。4.根据权利要求2所述的电气组件，其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法得到：(i)第一氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上，(ii)式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(i)中形成的聚合物上，和(iii)第二氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(ii)中形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁·布鲁克斯，蒂莫西·冯韦尔讷，
申请(专利权)人：赛姆布兰特有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB