无电镀方法与所得产物技术

本发明专利技术涉及一种无电镀方法，其中，通过使经抗无电镀涂层图案化的基底与无电镀溶液接触来进行无电镀，从而通过无电镀，使金属沉积到所述基底上未经所述抗无电镀涂层图案化的部分，所述抗无电镀涂层具有多层，其中每层是通过前体混合物的等离子体沉积来获得的，所述前体混合物包括：(a)一种或多种有机硅化合物；(b)可选的O2、N2O、NO2、H2、NH3、N2、SiF4和/或六氟丙烯(HFP)；以及(c)可选的He、Ar和/或Kr。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无电镀方法与所得产物
本专利技术涉及无电镀方法、在该方法中有用的抗无电镀涂层、被镀基底、以及经该抗无电镀涂层图案化(pattern)的基底。
技术介绍
无电镀技术为本领域所知已有数十年。无电镀是一种自催化方法，使用氧化还原反应，将金属沉积在基底上而不必通过电流。无电镀通常涉及使用温和的还原剂(例如甲醛)还原络合金属(complexedmetal)，从而将金属沉积在基底上。例如，可以使用以下反应(其中R代表有机基团或氢)通过无电镀沉积银：RCHO+2[Ag(NH3)2]OH→2Ag+RCOONH4+H2O+3NH3适当的化学反应可以用来沉积其它金属。例如，可以在碱性溶液中并且在存在钯催化剂的情况下，通过使用温和的还原剂(例如甲醛)还原络合铜来沉积铜。镍也经常通过无电镀来沉积。无电镀方法涉及将待镀基底浸入含有沉积所需金属所需试剂的溶液中。这会使金属均匀沉积在基底上，包括沿着边缘、内孔和不规则形状的异物上。因此，可以使用无电镀将金属沉积在使用其它技术(例如电镀)难以镀覆的具有复杂结构的基底上。在大多数情况下，无电镀涉及预清洗、镀覆、后清洗步骤以及若干次水冲洗步骤。总而言之，无电镀方法通常涉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无电镀方法，其中通过使经抗无电镀涂层图案化的基底与无电镀溶液接触来进行无电镀，从而通过无电镀，使金属沉积到所述基底上未经所述抗无电镀涂层图案化的部分，所述抗无电镀涂层具有多层，其中每层能够通过前体混合物的等离子体沉积来获得，所述前体混合物包括：(a)一种或多种有机硅化合物；(b)可选的O2、N2O、NO2、H2、NH3、N2、SiF4和/或六氟丙烯HFP；以及(c)可选的He、Ar和/或Kr。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.14 GB 1514501.41.一种无电镀方法，其中通过使经抗无电镀涂层图案化的基底与无电镀溶液接触来进行无电镀，从而通过无电镀，使金属沉积到所述基底上未经所述抗无电镀涂层图案化的部分，所述抗无电镀涂层具有多层，其中每层能够通过前体混合物的等离子体沉积来获得，所述前体混合物包括：(a)一种或多种有机硅化合物；(b)可选的O2、N2O、NO2、H2、NH3、N2、SiF4和/或六氟丙烯HFP；以及(c)可选的He、Ar和/或Kr。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗无电镀涂层具有2至10层，优选为4至8层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体沉积是等离子体增强化学气相沉积PECVD。4.根据以上任一项权利要求所述的方法，其中所述等离子体沉积在0.001至10毫巴的压强下发生。5.根据以上任一项权利要求所述的方法，其中所述抗无电镀涂层中与所述基底接触的第一层/最下层是有机的。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述抗无电镀涂层的所述第一层/最下层能够通过不含或基本不含O2、N2O或NO2的前体混合物的等离子体沉积来获得。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述抗无电镀涂层的所述第一层/最下层能够通过不含或基本不含O2、N2O、NO2、含氟有机硅化合物、SiF4或HFP的前体混合物的等离子体沉积来获得。8.根据以上任一项权利要求所述的方法，其中所述抗无电镀涂层的最终层/最上层能够通过不含或基本不含O2、N2O或NO2的前体混合物的等离子体沉积来获得。9.根据以上任一项权利要求所述的方法，其中所述抗无电镀涂层的最终层/最上层能够通过包括一种或多种含卤素有机硅化合物、SiF4和/或HFP的前体混合物的等离子体沉积来获得。10.根据以上任一项权利要求所述的方法，其中所述多抗无电镀涂层的最终层/最上层能够通过包括He、Ar和/或Kr的前体混合物的等离子体沉积来获得。11.根据以上任一项权利要求所述的方法，其中所述抗无电镀涂层的至少一层是防潮层，所述防潮层能够通过包括O2、N2O和/或NO2的前体混合物的等离子体沉积来获得。...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉安弗兰可·阿拉斯塔，亨尼根·加雷思，安德鲁·西蒙·霍尔·布鲁克斯，沙林达·维克拉姆·辛格，
申请(专利权)人：赛姆布兰特有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB