【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种磁体单元，包含至少一个磁体单元，所述至少一个磁体单元分别包含第一磁体和与所述第一磁体分开且设置在所述第一磁体外部的第二磁体，其中所述第一磁体和所述第二磁体具有彼此不同的极性，且所述磁体单元具有约1∶0.5到约1∶2的所述第一磁体与所述第二磁体之间产生的跑道的宽度与所述跑道与邻近磁场的另一跑道之间的距离的比率；且提供一种包含所述磁体单元的溅射设备。【专利说明】磁体单元和包含所述磁体单元的溅射设备
本专利技术涉及一种溅射设备，且更明确地说，涉及一种能够改进处理均匀性的磁体 单元和一种包含所述磁体单元的溅射设备。
技术介绍
溅射设备在制造半导体、液晶显示器（IXD)或太阳电池时沉积薄膜。举例来说，磁 控管溅射设备将气体注入真空室中以产生等离子体，使离子化气体粒子与沉积的标靶材料 碰撞，且接着在衬底上沉积通过碰撞而溅射的粒子。本文中，为了在标靶上形成具有隧道形 式的磁链，将磁体单元设置在标靶的后部。磁控管溅射设备可在相对较低的温度下制造薄 膜且使电场加速的离子密集地沉积在衬底上，进而大体上得以使用。 另一方面，...
【技术保护点】
一种磁体单元，其特征在于包括至少一个磁体单元，所述至少一个磁体单元分别包括第一磁体和与所述第一磁体分开且设置在所述第一磁体外部的第二磁体，其中所述第一磁体和所述第二磁体具有彼此不同的极性，所述磁体单元具有1∶0.5到1∶2的所述第一磁体与所述第二磁体之间产生的跑道的宽度与所述跑道与邻近磁场的另一跑道之间的距离的比率。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴芝瑛，千庸焕，黄秉寿，
申请(专利权)人：亚威科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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