ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜技术

本发明专利技术涉及一种ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜，该ITO薄膜的制备方法包括提供玻璃衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在220～310℃以及在氧化性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述氧化性气体选自N2、NO及NO2中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和NO的混合物气体及Ar和NO2的混合物气体中的一种的步骤。氧化性气体吸附到ITO膜层中，减少了ITO膜层中的载流子数量，减少ITO膜层中的间隙电阻，避免ITO膜层因吸附还原性气体而改变膜层电阻和间隙电阻，其电阻能够保持稳定，解决了电阻下降，避免了电阻降低的幅度和位置没有规律性的问题，较好地控制了ITO薄膜的电阻均匀性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜，该ITO薄膜的制备方法包括提供玻璃衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在220～310℃以及在氧化性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述氧化性气体选自N2、NO及NO2中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和NO的混合物气体及Ar和NO2的混合物气体中的一种的步骤。氧化性气体吸附到ITO膜层中，减少了ITO膜层中的载流子数量，减少ITO膜层中的间隙电阻，避免ITO膜层因吸附还原性气体而改变膜层电阻和间隙电阻，其电阻能够保持稳定，解决了电阻下降，避免了电阻降低的幅度和位置没有规律性的问题，较好地控制了ITO薄膜的电阻均匀性。【专利说明】I το薄膜的制备方法及I TO薄膜
本专利技术涉及镀膜
，特别是涉及一种ΙΤ0薄膜的制备方法及ΙΤ0薄膜。
技术介绍
ΙΤ0 (氧化铟锡）为η型薄膜材料，是目前在平板显示、触控等方面应用最广的透明 导电材料。无论是LCD、电阻式触摸屏还是电容式触摸屏，目前都大量采用ΙΤ0作为其透明 导电膜。 电阻式触摸屏用的ΙΤ0薄膜因膜层太薄，比表面较大，易吸附还原性气体而导致 在生产出来一段时间后其电阻自然下降5%?15%左右，但经清洗、酸刻后电阻又回升，贴 合成成品后再下降，其电阻不易控制，给客户产品造成极大质量隐患。 为了满足客户的要求，目前大多ΙΤ0镀膜厂家一般采取的做法是生产电阻式触摸 屏用的ΙΤ0薄膜时将电阻做高些，以使ΙΤ0产品到客户处时，且客户制程完毕后电阻回落到 客户需求值范围内，从而保证客户成品的线性、回路阻抗都在客户需求范围内，不影响客户 的触控体验。然而，ΙΤ0薄膜的电阻降低的幅度和位置没有明显的规律性，故电阻降落后电 阻均匀性变差，易出现线性不良现象，也难以保证产品的质量。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述电阻式触摸屏用ΙΤ0玻璃的电阻均匀性难以控制的问 题，提供一种ΙΤ0薄膜的制备方法，以较好地控制ΙΤ0薄膜的电阻均匀性。 进一步，提供一种由上述ΙΤ0薄膜的制备方法制备的ΙΤ0薄膜。 -种ΙΤ0薄膜的制备方法，包括如下步骤： 提供玻璃衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在220?310°C ; 在氧化性气体氛围中，在所述衬底上制备ΙΤ0薄膜，其中，所述氧化性气体选自N2、 NO及N02中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和NO的混合物气体及Ar和N0 2的混合 物气体中的一种。 在其中一个实施例中，所述在所述衬底上制备ΙΤ0薄膜的步骤是采用磁控溅射在 所述衬底上制备ΙΤ0薄膜。 在其中一个实施例中，所述提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在 220?310°C的步骤是将所述衬底维持在250?280°C。 在其中一个实施例中，所述Ar和N2的混合气体中，Ar和N2的体积比为95:5、 90:10、85:15或80:20 ;所述Ar和N0的混合物气体中，Ar和N0的体积比为95:5、90:10、 85:15或80:20;所述41'和勵2的混合物气体中，41'和勵 2的体积比为95:5、90:10、85:15 或 80:20。 在其中一个实施例中，所述Ν2、Ν0和N02的流量均为0. 1?6sccm，所述Ar和队的 混合气体、Ar和N0的混合物气体和Ar和N02的混合物气体的流量均为0. 5?50sccm。 一种由上述ΙΤ0薄膜的制备方法制备的ΙΤ0薄膜。 上述ΙΤ0薄膜的制备方法在220?310°C的衬底温度下、在氧化性气体氛围中制 备ΙΤ0薄膜，在220?310°C的衬底温度下，氧化性气体吸附到ΙΤ0膜层中，同In和Sn原子 相结合，成为ΙΤ0膜层晶体的一部分，减少了 ΙΤ0膜层中的载流子的数量，减少了 ΙΤ0膜层 中的间隙电阻，避免ΙΤ0膜层因吸附还原性气体而改变膜层电阻和间隙电阻，其电阻能够 保持稳定，从而避免了电阻降低的幅度和位置没有明显的规律性的问题，较好地控制了 ΙΤ0 薄膜的电阻均匀性。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的ΙΤ0薄膜的制备方法的流程图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术 的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发 明。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不 违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 请参阅图1，一实施方式的ΙΤ0薄膜的制备方法，包括下述步骤S110和步骤S120。 步骤S110 :提供衬底，对衬底进行加热，并将衬底维持在220?310°C。 衬底根据需要选择。当需要将ΙΤ0薄膜应用于LCD、电阻式触摸屏或电容式触摸屏 时，衬底一般为玻璃衬底。 首先对玻璃衬底进行清洗，并干燥后对衬底进行加热，并将衬底维持至220? 31(TC。 衬底的温度对后续生成的ΙΤ0薄膜的电阻控制存在重要影响。当衬底温度太高 时，影响N原子对电阻下降的改善效果；当衬底的温度太低时，无法打开N = N、N = 0键，难 以实现改善电阻下降的效果。优选地，衬底的温度维持在250?280°C。 步骤S120 :在氧化性气体氛围中，在衬底上制备ΙΤ0薄膜，其中，氧化性气体选自 N2、N0及N02中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和N0的混合物气体及Ar和N0 2的 混合物气体中的一种。 可以采用磁控溅射在衬底上制备ΙΤ0薄膜。在氧化性气体氛围中制备ΙΤ0薄膜， 使氧化性气体吸附到ΙΤ0膜层中，利用氧化性气体改善或避免膜层电阻下降的问题。 N2、N0和N02这三种氧化性气体及Ar和N2的混合气体、Ar和N0的混合物气体或 Ar和N02的混合物气体这三种氧化性混合气体能够与ΙΤ0薄膜中的In和Sn原子相结合，减 少了 ΙΤ0膜层中的载流子的数量，减少ΙΤ0膜层中的间隙电阻。并且，这种气体不会与ΙΤ0 发生其他化学反应，不会影响ΙΤ0薄膜本身的性能，从而能够保证ΙΤ0薄膜的质量。 优选地，Ar和N2的混合气体中，Ar和N2的体积比为95:5、90:10、85:15或80:20 ; Ar和N0的混合物气体中，Ar和N0的体积比为95: 5、90:10、85:15或80:20 ;Ar和N02的混 合物气体中，Ar和N02的体积比为95: 5、90:10、85:15或80:20。 氧化性气体的流量太低，则难以达到降低ΙΤ0薄膜电阻的效果；而氧化性气体的 流量太高，则会使ΙΤ0薄膜难以刻蚀，从而给后续的加工带来困难，并使ΙΤ0薄膜的透过率 过低而难以满足使用需要。因此，优选地，N 2、N0和N02的流量均为0. 1?6sccm，Ar和N2 的混合气体、Ar和NO的混合物气体和Ar和N02的混合物气体的流量均为0. 5?50sccm。 可以理解，当采用磁控溅射制备ΙΤ0薄膜时，除了在上述氧化性气体氛围中制备 ΙΤ0薄膜外，溅射腔室也通入工艺气体，如Ar。上述氧化性气体作为反应气体，与工艺气体 的作用不同。 上述ΙΤ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在220～310℃；在氧化性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述氧化性气体选自N2、NO及NO2中的一种，或选自Ar和N2的混合气体、Ar和NO的混合物气体及Ar和NO2的混合物气体中的一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉华，方凤军，
申请(专利权)人：宜昌南玻显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42