【技术实现步骤摘要】
溅射装置及溅射装置控制方法
本专利技术涉及对基板进行诸如蒸镀工艺等溅射工艺的溅射装置及溅射装置控制方法。
技术介绍
一般，为了制造显示装置、太阳能电池(SolarCell)、半导体器件等，应当在基板上形成预定的薄膜层、薄膜回路图案或光学图案。为此，对基板进行处理工艺，例如，在基板上蒸镀特定材料的薄膜的蒸镀工艺、采用感光性材料以使薄膜选择性暴露的光刻工艺、去除被选择性暴露的部分的薄膜以形成图案的蚀刻工艺等。像这样，对基板进行处理工艺的装备有溅射设备。溅射装置主要实施在基板上蒸镀薄膜的蒸镀工艺，采用物理蒸镀方式，实施溅射工艺。现有技术的溅射装置包括：支撑部，用于支撑基板；靶(Target)，从所述支撑部隔开配置；以及磁体(Magnet)，用于生成等离子体。现有技术的溅射装置在被所述支撑部支撑的基板与所述靶之间生成等离子体，随着多个离子化粒子由于所生成的等离子体而撞击所述靶，形成所述靶的薄膜材料蒸镀到所述基板上，从而进行所述溅射工艺。其中，现有技术的溅射装置利用在所述基板与所述靶之间生成的等离子体进行所述溅射工艺，但等离子体的强度在不同的区域有差异。因此，现有技术的溅射装置存在如下问题。第一，由于现有技术的溅射装置在不同的区域等离子体的强度有差异，将按照所述靶的不同的部分发生侵蚀率的差异。因此，现有技术的溅射装置存在的问题在于，因在所述靶中发生侵蚀最多的部分而导致剩余可使用的部分也不能使用。因此，现有技术的溅射装置随着所述靶的总使用量的减少，所述靶的使用寿命减少，因此由于更换所述靶等...
【技术保护点】
1.一种溅射装置控制方法，该溅射装置利用以第一轴方向为基准时生成在基板与靶之间的等离子体进行溅射工艺，其特征在于，包括：/n获取步骤，测量各个中间区域的等离子体的强度，以获取多个中间等离子体值，测量各个上部区域的等离子体的强度，以获取多个上部等离子体值，测量各个下部区域的等离子体的强度，以获取多个下部等离子体值，其中，多个所述中间区域沿垂直于所述第一轴方向的第二轴方向配置，多个所述上部区域以分别垂直于所述第一轴方向和所述第二轴方向的上下方向为基准配置于多个所述中间区域的上侧，多个所述下部区域以所述上下方向为基准配置于多个所述中间区域的下侧；/n提取步骤，从多个所述中间等离子体值中提取最大中间等离子体值，从多个所述上部等离子体值中提取最大上部等离子体值，从多个所述下部等离子体值中提取最大下部等离子体值；以及/n调节步骤，以所述最大中间等离子体值为基准，调节多个所述中间等离子体值、多个所述上部等离子体值以及多个所述下部等离子体值中的至少一个。/n
【技术特征摘要】
20181115 KR 10-2018-01404431.一种溅射装置控制方法，该溅射装置利用以第一轴方向为基准时生成在基板与靶之间的等离子体进行溅射工艺，其特征在于，包括：
获取步骤，测量各个中间区域的等离子体的强度，以获取多个中间等离子体值，测量各个上部区域的等离子体的强度，以获取多个上部等离子体值，测量各个下部区域的等离子体的强度，以获取多个下部等离子体值，其中，多个所述中间区域沿垂直于所述第一轴方向的第二轴方向配置，多个所述上部区域以分别垂直于所述第一轴方向和所述第二轴方向的上下方向为基准配置于多个所述中间区域的上侧，多个所述下部区域以所述上下方向为基准配置于多个所述中间区域的下侧；
提取步骤，从多个所述中间等离子体值中提取最大中间等离子体值，从多个所述上部等离子体值中提取最大上部等离子体值，从多个所述下部等离子体值中提取最大下部等离子体值；以及
调节步骤，以所述最大中间等离子体值为基准，调节多个所述中间等离子体值、多个所述上部等离子体值以及多个所述下部等离子体值中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
所述调节步骤包括：
比较步骤，比较所述最大上部等离子体值和所述最大下部等离子体值，以导出更大的上限值，判断所述上限值与所述最大中间等离子体值是否一致；
导出步骤，当在所述比较步骤中判断为所述上限值与所述最大中间等离子体值不同时，导出对应于所述上限值的基准区域；以及
移动步骤，使沿所述第二轴方向配置的多个磁体模块全部沿所述第一轴方向移动，以使所述基准区域的等离子体的强度与所述最大中间等离子体值一致。
3.根据权利要求2所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
在所述比较步骤中，当所述上限值与所述最大中间等离子体值的差落在预设的基准范围以内时，判断为所述上限值与所述最大中间等离子体值一致，
在所述获取步骤中，当在所述比较步骤中判断为所述上限值与所述最大中间等离子体值一致时，再次获取多个所述中间等离子体值、多个所述上部等离子体值以及多个所述下部等离子体值。
4.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
在所述获取步骤中，分别实时获取多个所述中间等离子体值、多个所述上部等离子体值以及多个所述下部等离子体值，
在所述提取步骤中，以实时、按预设的单位时间间隔以及按预设的累计电量间隔中的任意一种方式，提取所述最大中间等离子体值、所述最大上部等离子体值以及所述最大下部等离子体值。
5.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
包括转换步骤，在所述提取步骤之后，判断所述最大中间等离子体值是否大于预设的转换值，
当在所述转换步骤中判断为所述最大中间等离子体值处于所述转换值以下时，实施所述调节步骤。
6.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，包括：
转换步骤，在所述提取步骤之后，判断所述最大中间等离子体值是否大于预设的转换值；以及
停止步骤，当在所述转换步骤中判断为所述最大中间等离子体值大于所述转换值时，使沿所述第二轴方向配置的多个磁体模块全部沿所述第一轴方向的移动停止。
7.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，包括：
转换步骤，在所述提取步骤之后，判断所述最大中间等离子体值是否大于预设的转换值；
第一移动步骤，当在所述转换步骤中判断为所述最大中间等离子体值大于所述转换值时，使沿所述第二轴方向配置的多个磁体模块全部沿所述第一轴方向移动；以及
第二移动步骤，在所述第一移动步骤之后，使多个所述磁体模块所具有的多个上部磁体和多个下部磁体沿所述第一轴方向的移动停止，仅使多个所述磁体模块所具有的多个中间磁体沿所述第一轴方向进一步移动。
8.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
所述调节步骤包括：
比较步骤，判断所述最大上部等离子体值和所述最大下部等离子体值是否分别与所述最大中间等离子体值一致；
导出步骤，当在所述比较步骤中判断为所述最大上部等离子体值与所述最大中间等离子体值不同时，导出对应于所述最大上部等离子体值的上部基准区域，当在所述比较步骤中判断为所述最大下部等离子体值与所述最大中间等离子体值不同时，导出对应于所述最大下部等离子体值的下部基准区域；以及
移动步骤，使沿所述第二轴方向配置的多个磁体模块所具有的多个上部磁体全部沿所述第一轴方向移动，以使所述上部基准区域的等离子体的强度与所述最大中间等离子体值一致，并且，使多个所述磁体模块所具有的多个下部磁体全部沿所述第一轴方向移动，以使所述下部基准区域的等离子体的强度与所述最大中间等离子体值一致。
9.根据权利要求8所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
在所述移动步骤中，在使多个所述磁体模块所具有的中间磁体全部沿所述第一轴方向的移动停止的状态下，使多个所述上部磁体及多个所述下部磁体中的至少一个沿所述第一轴方向移动。
10.根据权利要求8所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
在所述比较步骤中，当所述最大上部等离子体值与所述最大中间等离子体值的差落在预设的基准范围以内时，判断为所述最大上部等离子体值与所述最大中间等离子体值一致，当所述最大下部等离子体值与所述最大中间等离子体值的差落在所述基准范围以内时，判断为所述最大下部等离子体值与所述最大中间等离子体值一致，
在所述获取步骤中，当在所述比较步骤中判断为所述最大上部等离子体值和所述最大下部等离子体值分别与所述最大中间等离子体值一致时，再次获取多个所述中间等离子体值、多个所述上部等离子体值以及多个所述下部等离子体值。
11.根据权利要求2或8所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
所述调节步骤包括再执行步骤，该再执行步骤在所述移动步骤实施之后，从所述获取步骤开始再执行。
12.根据权利要求2或8所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
所述调节步骤包括调节摆动距离和等待时间中的至少一个的变更步骤，该摆动距离为多个所述磁体模块相对于所述靶摆动的距离，该等待时间为多个所述磁体模块在摆动路径的两端等待的时间，
所述变更步骤与所述移动步骤并行。
13.根据权利要求2或8所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
所述调节步骤包括变更摆动距离和等待时间中的至少一个的变更步骤，该摆动距离为多个所述磁体模块相对于所述靶摆动的距离，该等待时间为多个所述磁体模块在摆动路径的两端等待的时间，
所述变更步骤包括：
变更开始步骤，当所述最大中间等离子体值或累计电量为预设的变更初始值以上时，开始对于所述摆动距离和所述等待时间中的至少一个的变更；
变更进行步骤，在所述变更开始步骤之后，与所述移动步骤联动地变更所述摆动距离和所述等待时间中的至少一个；以及
变更中断步骤，在所述变更进行步骤之后，当所述最大中间等离子体值或累计电量为预设的变更中断值以上时，中断对于所述摆动距离和所述等待时间中的至少一个的变更。
14.根据权利要求1所述的溅射装置控制方法，其特征在于，包括：
变换步骤，在所述提取步骤之后，变换摆动距离和等待时间中的至少一个，该摆动距离为沿所述第二轴方向配置的多个磁体模块相对于所述靶摆动的距离，该等待时间为多个所述磁体模块在摆动路径的两端等待的时间。
15.根据权利要求14所述的溅射装置控制方法，其特征在于，
在所述变换步骤中，当属于所述最大中间等离子体值与所述最...
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