【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种用于对基板进行沉积工序的溅射装置，提供一种，溅射装置包括：腔室，配置有基板并且包括实现基板的沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部配置为与所述旋转型靶相隔开。【专利说明】
本专利技术涉及一种溅射装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制 造方法，更为详细地涉及一种能够有效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性的溅射 装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法。
技术介绍
半导体元件、显示装置以及其他电子元件等具备多个薄膜。这种多个薄膜的形成 方法有多种，沉积方法是其中的一种方法。 沉积方法例如有溉射（sputtering)、化学气相沉积（CVD :chemical vapor deposition)、原子层沉积（ALD:atomic layer deposition)以及其他多种方法。 另外，在显示装置中有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度高的...
【技术保护点】
一种溅射装置，用于对基板进行沉积工序，包括：腔室，用于配置基板，所述腔室包括对基板进行沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。
【技术特征摘要】
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