溅射装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于对基板进行沉积工序的溅射装置，提供一种溅射装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法，溅射装置包括：腔室，配置有基板并且包括实现基板的沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部配置为与所述旋转型靶相隔开。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种用于对基板进行沉积工序的溅射装置，提供一种，溅射装置包括：腔室，配置有基板并且包括实现基板的沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部配置为与所述旋转型靶相隔开。【专利说明】
本专利技术涉及一种溅射装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制 造方法，更为详细地涉及一种能够有效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性的溅射 装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法。
技术介绍
半导体元件、显示装置以及其他电子元件等具备多个薄膜。这种多个薄膜的形成 方法有多种，沉积方法是其中的一种方法。 沉积方法例如有溉射（sputtering)、化学气相沉积（CVD :chemical vapor deposition)、原子层沉积（ALD:atomic layer deposition)以及其他多种方法。 另外，在显示装置中有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度高的优点，还具有 响应速度快的优点，因此作为下一代显示装置备受瞩目。 有机发光显示装置在彼此相对的第一电极和第二电极之间包括具备有机发光层 的中间层，此外还具备一个以上的多种薄膜。此时，为了形成有机发光显示装置的薄膜，有 时利用溅射工序。 进行这种溅射工序时，在靶和基板之间发生等离子放电，不易确保这种等离子放 电特性的均匀度。 特别是，随着有机发光显示装置的大型化、要求高清晰度，对包括在有机发光显示 装置中的薄膜要求均匀的特性。但是，在利用溅射工序形成薄膜时，因难以维持等离子的放 电特性，形成具有期望特性的薄膜是有限的。
技术实现思路
本专利技术能够提供一种溅射沉积装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示 装置的制造方法，该溅射沉积装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法能够有 效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性。 本专利技术公开一种溅射装置，用于对基板进行沉积工序，包括：腔室，用于配置基板， 所述腔室包括对基板进行沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基 板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内配置为 与所述基板相对，并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件可具备以所述旋转型靶为中心配置在两侧的第一 磁铁部件及第二磁铁部件。 在本专利技术中，所述第一磁铁部件可配置为与所述旋转型靶的一侧面区域相对，所 述第二磁铁部件可配置为与所述旋转型靶的所述一侧面区域的相反侧面区域相对。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件可具有与所述旋转型靶的长度方向并排延长的形 状。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件可配置为与所述内部磁铁部件平行。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件可配置为与所述基板平行。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件可配置为相对于所述基板按规定的角度倾斜，使 得所述外部磁铁部件和所述基板之间的距离逐渐变化。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件可包括多个分割磁铁部件，并且所述多个分割磁 铁部件可分别相互独立地配置，从而独立控制所述多个分割磁铁部件和所述基板之间的距 离。 在本专利技术中，所述外部磁铁部件至少可具有与所述内部磁铁部件对应的长度。 在本专利技术中，所述旋转型靶形成为中空的圆柱形状，并且所述旋转型靶的内部可 配置有支撑所述旋转型靶的衬板。 在本专利技术中，所述旋转型靶可发挥阴极功能。 在本专利技术中，可包括电极部件，所述电极部件配置在所述旋转型靶的外部，并与所 述基板相对且与所述旋转型靶相隔开。 在本专利技术中，所述电极部件可包括以所述旋转型靶为中心配置在两侧的第一电极 部件及第二电极部件。 在本专利技术中，所述电极部件可配置在所述外部磁铁部件和所述旋转型靶之间。 在本专利技术中，所述电极部件可发挥阳极功能。 根据本专利技术的另一方面，公开一种薄膜形成方法，利用溅射装置在基板上形成薄 膜，所述薄膜形成方法包括如下步骤：在腔室内装入所述基板；以及利用旋转型靶将沉积 材料沉积在所述基板上，所述旋转型靶在所述腔室内配置为与所述基板相对，且在内部配 置有内部磁铁部件，所述将沉积材料沉积在所述基板上的步骤包括利用外部磁铁部件控制 所述旋转型靶的周边磁场的步骤，所述外部磁铁部件配置为与所述基板相对并且在所述旋 转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。 在本专利技术中，可进一步包括如下步骤：配置电极部件，所述电极部件配置在所述旋 转型靶的外部并与所述基板相对且与所述旋转型靶相隔开，并且在将所述沉积材料沉积在 所述基板的步骤中对所述电极部件施加电压。 根据本专利技术的再一方面，公开一种有机发光显示装置的制造方法，利用溅射装置 形成有机发光显示装置，包括如下步骤：在腔室内装入基板；以及利用旋转型靶将沉积材 料沉积在所述基板上，所述旋转型靶在所述腔室内配置为与所述基板相对，且在内部配置 有内部磁铁部件，所述将沉积材料沉积在所述基板上的步骤包括利用外部磁铁部件控制所 述旋转型靶的周边磁场的步骤，所述外部磁铁部件配置为与所述基板相对并且在所述旋转 型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。 本专利技术的特征可为，所述有机发光显示装置包括：第一电极、第二电极、配置在所 述第一电极和第二电极之间且具备有机发光层的中间层以及形成在所述第二电极上的密 封层；通过进行将所述沉积材料沉积在所述基板中的步骤，形成所述密封层。 本专利技术的特征可为，所述密封层包括一个以上的有机层以及一个以上的无机层， 通过进行将所述沉积材料沉积在所述基板上的步骤，形成所述密封层的所述无机层中的至 少一层。 本专利技术的沉积装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方 法，能够有效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性。 【专利附图】【附图说明】 图1是示意地图示本专利技术的一实施例的溅射装置的立体图。 图2是图1的II - II向剖视图。 图3是图1的III - III向剖视图。 图4及图5是图示图1的溅射装置的外部磁铁部件的变形例的图。 图6是示意地图示本专利技术的另一实施例的溅射装置的图。 图7是示意地图示利用本专利技术的溅射装置制造的有机发光显示装置的图。 图8是图7中F部分的放大图。 附图标记说明 S、30 :基板 100、200 :溅射装置 101、201 :腔室 120、220 :衬板 130、230 :旋转型靶 150、250 :内部磁铁部件 190、290 :外部磁铁部件 【具体实施方式】 以下，参照附图中图示的有关本专利技术的实施例，详细说明本专利技术的结构及作用。 图1是示意地图示本专利技术的一实施例的溅射装置的立体图，图2是图1的II - II 向剖视图，图3是图1的III - III向剖视图。 参照图1至图3,溅射装置100大致包括腔室101、旋转型靶130、内部磁铁部件150 及外部磁铁部件190。 腔室101可连接在泵(未图示)上，以控制沉积工序的压力气氛，并且收容及保护基 板S、靶130及外部磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射装置，用于对基板进行沉积工序，包括：腔室，用于配置基板，所述腔室包括对基板进行沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔丞镐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR