一种液晶显示器阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，该方法包括：在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极和该公共电极线；在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；形成一层钝化层覆盖整个该基板；在该钝化层上方沉积一层透明导电层，并蚀刻形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠；图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线；移除该透明导电层；在该钝化层上方形成一公共电极，覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示器阵列基板的制造方法
本专利技术涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板的制造方法。
技术介绍
作为液晶显示器的显示方式，以往扭曲向列(TwistedNematic，TN)方式一直被广泛使用，但是该方式在显示原理上，对视场角存在限制。作为解决该问题的方法，横向电场方式已为众所周知，例如平面内开关(InPlaneSwitching，IPS)方式和边缘场开关(FringeFieldSwitching，FFS)方式。该横向电场方式在阵列基板上形成像素电极和共用电极，对该像素电极和该共用电极之间施加电压，使之产生与该阵列基板大致平行的电场，在与该阵列基板面基本平行的面内驱动液晶分子。然而，现有技术的IPS或FFS型液晶显示器的阵列基板中，公共电极是通过钝化层中的通孔与公共电极线连接的。在蚀刻该通孔的制程中，该通孔的大小难以控制，可能会使该像素电极与该公共电极的距离较近，而在某一地方发生短路，使像素始终处于暗态，造成显示画面中产生颜色异常。
技术实现思路
为此，本专利技术提供一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，能较好地控制钝化层通孔的大小和位置，以避免像素电极和公共电极发生短路，避免画面中存在颜色异常。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极和该公共电极线；在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；形成一层钝化层覆盖整个该基板；在该钝化层上方沉积一层透明导电层，并蚀刻形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠；图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线；移除该透明导电层；在该钝化层上方形成一公共电极，覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。相较于现有技术，根据本专利技术提供的阵列基板的制造方法，由于利用一层透明导电层作为钝化层的掩模，可较好地控制钝化层通孔的大小，防止公共电极和像素电极发生短路，因此，可防止显示画面中存在颜色异常，提高产品品质。附图说明图1—图8中为本专利技术提供的制造液晶显示器阵列基板的示意图。图9为本专利技术提供的液晶显示器阵列基板的俯视图。主要元件符号说明阵列基板100基板10栅极11公共电极线12栅极绝缘层13像素电极14通道层15源极16a漏极16b薄膜晶体管17钝化层18通孔18a公共电极19狭缝19a透明导电层20开孔20a如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式将参照附图表述根据本专利技术的实施例用于液晶显示器的阵列基板。参照图1至图8，根据本专利技术实施例制造液晶显示器阵列基板的方法，具体描述如下。如图1所示，提供一基板10，该基板10可为透明玻璃基板。在该基板上形成栅极11、栅极线（未示出）和公共电极线12。该栅极11、栅极线和该公共电极线12的材质为导电材料，如金属铝、铜、钼，但不限于此。更好的，也可以为多层结构，如钼铝钼结构，钼铝结构或者多层铝结构，但不限于此。如图2所示，形成一栅极绝缘层13，覆盖该基板10和该栅极11、该栅极线、该公共电极线12。该栅极绝缘层13材质为电介质，比如氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，但不限于此。然后，在该栅极绝缘层13上形成像素电极14，该像素电极14的材质可为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO），但不限于此。该像素电极14可以为平板状电极。如图3所示，在该栅极11上方形成通道层15。值得注意的是为了提升开光性能，通常将会形成欧姆接触层（图中未示）。该欧姆接触层能够选择性的形成在该通道层15的上方。该通道层15和该欧姆接触层均为半导体材质比如说非晶硅，但不限于此。本实施方式中，欧姆接触层是被重度参杂的半导体层，如重度参杂氮离子，而通道层15则是轻度参杂的半导体层，比如轻度参杂氮离子。该像素电极14和该通道层15均位于栅极绝缘层13上方，本专利技术也可以设计先形成通道层15、后形成像素电极14（图中未示）。如图4所示，在该通道层15上方形成源极16a、漏极16b以及多条数据线（图中未示）。该源极16a、该漏极16b和该数据线的材质为导体，比如说为金属铝、铜、钼，但不限于此。在较好的实施例中，例如，该导体材质可以是多层结构，比如钼铝钼结构，钼铝结构或者是多层铝结构，但不限于此。其中，该源极16a和该漏极16b位于该通道层15的上方并彼此分离，该漏极16b部分覆盖该像素电极14，与该像素电极14连接。该源极16a、该漏极16b、该通道层15和该栅极11构成了薄膜晶体管（TFT）17。该数据线与该栅极线交叉限定多个子像素区，每个子像素区包括一个TFT17和一个像素电极14。如图5所示，形成一层钝化层18覆盖整个基板，该钝化层18为无机材质，比如说氮化硅，或者是有机材料，比如说丙烯酸脂。在图案化钝化层18之前，先沉积一层透明导电层20，该透明导电层20覆盖该钝化层18。该透明导电层20的材质可以为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO），但不限于此。利用该钝化层18对应的掩模（图中未示）先对该透明导电层20进行图案化，以在对应公共电极线12的上方形成一开孔20a。该开孔20a至少与部分该公共电极线12重叠，且该开孔20a与该像素电极14相互隔离。由于该透明电极层20的材质与该钝化层18、该栅极绝缘层13的材质不同，适用的蚀刻溶液也不同，所以，在蚀刻钝化层18的过程中，并不会蚀刻到该透明电极层20。因此，具有开孔20a的该透明电极层20也可作为蚀刻该钝化层18的掩模。如图6所示，利用钝化层18的掩模和该透明导电层20共同作为掩模，对该钝化层18和该栅极绝缘层13图案化，以定义一通孔18a。该通孔18a位于该透明导电层20的开孔20a下方，并与该透明导电层20的开孔20a的大小大致相等。该通孔18a贯穿部分该钝化层18和部分该栅极绝缘层13，以暴露出部分该公共电极线12。利用该透明导电层20为掩模，可以精准控制该通孔18a的位置，防止该通孔18a偏移，同时可以防止在蚀刻该通孔18a的过程中，造成该钝化层18和该栅极绝缘层13的过蚀刻，因此可防止该通孔18a过大或者各通孔18a大小不均；由于透明导电层的开孔20a与像素电极14相互隔离，该通孔18a也将与该像素电极14相互隔离，因此，后续填充该通孔18a的公共电极19将不会与像素电极14发生短路，防止显示画面中产生颜色异常。如图7所示，移除该透明导电层20。移除该透明导电层20的方法例如为使用酸性溶液蚀刻该透明导电层20。如图8所示，最后在该钝化层的上方形成公共电极19。该公共电极19的材质可为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO），但不限于此。该公共电极19包括多个平行排列的狭缝19a。该公共电极19覆盖该通孔18a的内表面并与公共电极线12连接。图9是该阵列基板100的俯视图。如图9所示，该公共电极19包含多个狭缝19a，狭缝19a大致为平行排列的“<”字型，但不限于此。该狭缝19a还可以是条形或其他形状。以上仅为本专利技术的一个实施例，本专利技术还可设计该像素电极14具有多个狭缝，而该公共电极19为平板状电极，不具有狭缝；或者设计该像素电极14和该公共电极19均具有多个狭缝。换句话说，至少像素电极14和公共电极19中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器阵列基板的制造方法，该方法包括：在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极、该栅极线和该公共电极线；在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；形成一层钝化层覆盖整个该基板；形成一层透明导电层覆盖该钝化层，并图案化该透明导电层以形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠；图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线；移除该透明导电层；在该钝化层上方形成一公共电极，覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示器阵列基板的制造方法，该方法包括：在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极、该栅极线和该公共电极线；在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；形成一层钝化层覆盖该栅极绝缘层和该多个像素电极；形成一层透明导电层覆盖该钝化层，并图案化该透明导电层以形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠且该开孔与该像素电极相互隔离，该透明导电层的材质与该钝化层、该栅极绝缘层的材质不同，使得该透明导电层的刻蚀溶液与该钝化层、该栅极绝缘层的刻蚀溶液不同；以该图案化的透明导电层作为掩模，图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线，所述图案化该钝化层和该绝缘层是采用蚀刻溶液对该钝化层和该绝缘层进行蚀刻，该蚀刻溶液对该透明导电层无蚀刻作用；移除该透明导电层；在该钝化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓倩，王明宗，柳智忠，郑亦秀，
申请(专利权)人：深超光电深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44