像素结构、显示装置及像素结构的驱动方法和制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，公开了一种像素结构、显示装置及像素结构的驱动方法和制造方法，像素结构包括：像素开关，包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和下层有源层，上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构，下层源极、下层有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构；触摸单元，输出端分别与上层源极、下层源极连接；像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极与上层漏极连接，接收第一信号，第二子像素电极与下层漏极连接，接收底栅TFT传输的与第一信号不同步的第二信号。本发明专利技术集触摸技术和3D显示技术于一体，制作工艺比较简单，提高了屏幕的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于显示
，公开了一种，像素结构包括：像素开关，包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和下层有源层，上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构，下层源极、下层有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构；触摸单元，输出端分别与上层源极、下层源极连接；像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极与上层漏极连接，接收第一信号，第二子像素电极与下层漏极连接，接收底栅TFT传输的与第一信号不同步的第二信号。本专利技术集触摸技术和3D显示技术于一体，制作工艺比较简单，提高了屏幕的分辨率。【专利说明】
本专利技术属于显示领域，特别是涉及一种像素结构、显示装置及像素结构的驱动方 法和制造方法。
技术介绍
随着触摸屏技术逐渐成熟，具有触摸功能的TFT越来越受到消费者的青睐。但是 现有的具有触摸功能的TFT不仅制作工艺复杂，制作成本较高，且显示效果为2D显示，随着 3D显示效果风靡全球，人们对于具有3D显示效果的触摸屏比较期待。 如何将3D显不与触摸技术结合在一起，已成为一种急需解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决现有的显示装置不能将3D显示与触摸技术结合在一起，本专利技术提供了 一种。 本专利技术采用的技术方案是：一种像素结构，包括： 像素开关，包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和 下层有源层，所述上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构，所述下层 源极、下层有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构，所述上层源极和下层源极相连 接； 触摸单元，用于获取触摸位置信号，所述触摸单元的输出端分别与上层源极、下层 源极相连接，用于将触摸位置信号分别传输到底栅TFT结构和顶栅TFT结构； 像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与上层 漏极相连接，用于接收所述顶栅TFT结构传输过来的第一信号，所述第二子像素电极与所 述下层漏极相连接，用于接收所述底栅TFT结构传输过来的与第一信号不同步的第二信 号。 本专利技术还提供了一种显示装置，包括所述的像素结构。 本专利技术还提供了一种像素的驱动方法，包括： 获取触摸位置信号； 将所述触摸位置信号发送给具有顶栅TFT结构和底栅TFT结构的像素开关，所述 像素开关包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和下层有源 层，所述上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构，所述下层源极、下层 有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构，所述上层源极和下层源极相连接； 将所述顶栅TFT结构输出的第一信号传输给像素电极中的第一子像素电极，并将 所述底栅TFT结构输出的第二信号以与第一信号不同步的速度传递给像素电极中的第二 子像素电极。 本专利技术还提供了一种像素结构的制造方法，包括： 形成一基板； 在所述基板上形成光敏开关的感应TFT、开关TFT和底栅TFT结构，所述感应TFT 包括第一有源层、第一源极、第一漏极和第一栅极，所述开关TFT包括第二有源层、第二源 极、第二漏极和第二栅极，所述上层源极和下层源极相连接； 形成与底栅TFT结构共用栅电极的顶栅TFT结构，所述顶栅TFT结构的源极、底栅 TFT的源极分别与开关TFT的漏极相连接。 本专利技术的有益效果是：本专利技术的像素结构将触摸信号转化成电信号，产生的电信 号传输给不同的子像素电极，由于像素开关具有顶栅TFT结构和底栅TFT结构的设计，使 得给子像素电极的信号的传输具有不同步性，最终的显示画面为立体结构，实现3D显示效 果。本专利技术集触摸技术和3D显示技术于一体，不仅制作工艺比较简单，而且提高了屏幕的 分辨率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术一种实施例的像素结构形成光敏开关栅电极的示意图； 图2为本专利技术一种实施例的像素结构形成电容电极的示意图； 图3为本专利技术一种实施例的像素结构形成光敏开关的绝缘层的示意图； 图4为本专利技术一种实施例的像素结构形成底栅TFT结构的源漏极的示意图； 图5为本专利技术一种实施例的像素结构形成底栅TFT结构的有源层以及光敏开关有 源层的示意图； 图6为本专利技术一种实施例的像素结构形成光敏开关的感应TFT的源漏极的示意 图； 图7为本专利技术一种实施例的像素结构形成光敏开关TFT的源漏极的示意图； 图8为本专利技术一种实施例的形成光敏开关的绝缘层的示意图； 图9为本专利技术一种实施例的像素结构形成栅极的示意图； 图10为本专利技术一种实施例的像素结构形成栅绝缘层的示意图； 图11为本专利技术一种实施例的像素结构形成顶栅TFT结构的有源层的示意图； 图12为本专利技术一种实施例的像素结构形成TFT开关的过孔示意图； 图13为本专利技术一种实施例的像素结构形成顶栅TFT结构的源漏极的示意图； 图14为本专利技术一种实施例的像素结构形成顶栅TFT结构的上层绝缘层的示意 图； 图15为本专利技术一种实施例的像素结构形成遮光层的示意图； 图16为本专利技术一种实施例的像素结构形成外围钝化层的示意图。 图中，1基板，2第一栅电极，3电容的第一电极，4第一绝缘层，5下层源极，6第一 有源层，7第一源极，8第二漏极，9第二绝缘层，10第三栅电极，11栅绝缘层，12上层有源 层，13上层源极，14上层绝缘层，15第一遮光层，16外围钝化层，17第二栅电极，18下层漏 极，19第二有源层，20下层有源层，21第一漏极，22第二源极，23上层漏极，24第二遮光层。 【具体实施方式】 为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具 体实施例进行详细描述。 如图16所示，为本专利技术一种实施例的像素结构的示意图，该像素结构包括： 像素开关，包括第三栅电极10、上层源极13、上层漏极23、上层有源层12、下层源 极5、下层漏极18和下层有源层20,所述上层源极13、上层有源层12、上层漏极23和第三 栅电极10形成底栅TFT结构，所述下层源极5、下层有源层20、下层漏极18和第三栅电极 10形成顶栅TFT结构，所述上层源极13和下层源极5相连接； 触摸单元，用于获取触摸位置信号，所述触摸单元的输出端分别与上层源极13、下 层源极5相连接，用于将触摸位置信号转化为电信号后分别传输到底栅TFT结构和顶栅TFT 结构； 像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与上层 漏极23相连接，用于接收所述顶栅TFT传输过来的第一信号，所述第二子像素电极与所述 下层漏极18相连接，用于接收所述底栅TFT传输过来的与第一信号不同步的第二信号。 本专利技术的像素结构将触摸信号转化成电信号，产生的电信号传输给不同的子像素 电极，由于像素开关具有顶栅TFT结构和底栅TFT结构的设计，使得给子像素电极的信号的 传输具有不同步性，最终的显示画面为立体结构，实现3D显示效果。本专利技术集触摸技术和 3D显示技术于一体，制作工艺比较简单。 本专利技术的触摸单元用于获取触摸位置信号，可以是电容式、电阻式、光敏式，以获 取触摸位置。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：像素开关，包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和下层有源层，所述上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构，所述下层源极、下层有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构，所述上层源极和下层源极相连接；触摸单元，用于获取触摸位置信号，所述触摸单元的输出端分别与上层源极、下层源极相连接，用于将触摸位置信号分别传输到底栅TFT结构和顶栅TFT结构；像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与上层漏极相连接，用于接收所述顶栅TFT结构传输过来的第一信号，所述第二子像素电极与所述下层漏极相连接，用于接收所述底栅TFT结构传输过来的与第一信号不同步的第二信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高会朝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11