液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种液晶显示装置及其制造方法。本发明专利技术提供了一种用于高图像质量和高性能显示的具有TFT上滤色器（COT）结构的液晶显示装置，其中，遮光图案被形成为具有低反射率特性的上层和具有高透射率和高电导率特性的下层的双层结构以替代黑底，从而解决了图像质量和亮度问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种。本专利技术提供了一种用于高图像质量和高性能显示的具有TFT上滤色器（COT）结构的液晶显示装置，其中，遮光图案被形成为具有低反射率特性的上层和具有高透射率和高电导率特性的下层的双层结构以替代黑底，从而解决了图像质量和亮度问题。【专利说明】
本专利技术涉及，具体地，涉及一种具有TFT上滤色器 (C0T)结构的，在C0T结构中，滤色器与薄膜晶体管一起形成在 阵列基板上。
技术介绍
-般来讲，液晶显示装置是这样一种显示装置，其中向以矩阵形式布置的像素单 独地提供根据像素信息的数据信号以调节像素透光率，从而显示期望的图像。 因此，液晶显示装置可包括其中像素以矩阵形式布置的液晶板和配置为驱动像素 的驱动单元。 液晶显示板可包括彼此相接的薄膜晶体管阵列基板和滤色器基板以在彼此面对 时保持相同的单元间隙，以及形成在阵列基板和滤色器基板之间的单元间隙内的液晶层。 这里，公共电极和像素电极形成在其中阵列基板和滤色器基板彼此连接的液晶板 上以向液晶层施加电场。 因此，如果在向公共电极施加电压的状态下对施加到像素电极上的数据信号的电 压进行控制，那么由于介电各向异性，液晶层中的液晶根据公共电极和像素电极之间的电 场而发生旋转以对于每个像素来说允许光透过或被阻挡，从而显示文本或图像。 图1是示例性示出典型的液晶显示装置的截面结构的图，其中，为了便于解释，将 数据线区的截面结构的一部分作为示例示出。 参见图1，典型液晶显示装置可被配置为具有形成在两片玻璃基板5和10之间的 液晶层(未示出），同时对于玻璃基板通过柱状间隔体40保持单元间隙。 在下玻璃基板10上形成以垂直和水平方向布置以限定像素区的选通线（未示出） 和数据线17,并且在选通线和数据线17之间的交叉区域形成有作为开关元件的薄膜晶体 管。 这里，虽然图中未示出，但是多个像素电极和公共电极可交替地形成在像素区内。 此外，薄膜晶体管可包括与选通线连接的栅极、与数据线连接的源极和与像素电 极连接的漏极。另外，薄膜晶体管可包括用于在构成元件之间绝缘的多个绝缘层15a、15b 和15c，以及被配置为通过施加到栅极的栅电压在源极与漏极之间形成导电沟道的有源图 案。 在上玻璃基板5上形成有滤色器阵列，并且滤色器阵列包括黑底6、滤色器7和涂 覆层9。
技术实现思路
一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：位于第一基板上的选通线和数据线，它 们彼此交叉以限定像素区；位于所述选通线与所述数据线之间的交叉区域处的薄膜晶体 管；位于所述第一基板的所述像素区内的滤色器；位于形成有所述滤色器的所述第一基板 的所述像素区内的多个公共电极和像素电极；位于所述像素区的边界处起到黑底的作用的 遮光图案；以及与所述第一基板面对地附接的第二基板；其中，所述公共电极、所述像素电 极和所述遮光图案具有上层和下层的双层结构，所述上层具有低反射率特性，所述下层具 有低透射率和高电导率特性。 这里，所述上层可由低反射率和低透射率材料形成。 所述下层可由低透射率和低电阻率材料形成。 所述上层可由陶瓷、金属氧化物或半导体材料中的一种形成。 所述下层可由铜、铝、镍、钛、钥及其合金中的一种形成。 此外，一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成彼 此交叉的选通线和数据线以限定像素区；在所述选通线和所述数据线之间的交叉区形成薄 膜晶体管；在所述第一基板的所述像素区内形成滤色器；在形成有所述滤色器的所述第一 基板的所述像素区内形成多个公共电极和像素电极；在所述像素区的边界处形成遮光图案 以起到黑底的作用；以及将第二基板与所述第一基板附接， 其中，所述公共电极、所述像素电极和所述遮光图案被形成为上层和下层的双层 结构，所述上层具有低反射率特性，所述下层具有低透射率和高电导率特性。 这里，上述方法还可包括在与所述选通线平行的方向上、与所述选通线的上侧或 下侧相邻的位置形成公共线。 这里，所述遮光图案可包括：被形成为在所述数据线的上部覆盖所述数据线的第 一遮光图案；以及在所述像素区的垂直边界处以平行于所述选通线的方向分别形成在所述 选通线和所述公共线的上部的第二遮光图案和第三遮光图案。 这里，形成在所述多个公共电极和所述数据线的上部的所述第一遮光图案的一端 可以与平行于所述选通线的所述第二遮光图案相连接，并且所述第二遮光图案可以在其下 部与所述选通线的一部分相交叠。 所述多个像素电极的一端可以与平行于所述选通线的所述第三遮光图案相连接， 并且所述第三遮光图案可以在其下部与所述公共线的一部分相交叠。 所述上层可由低反射率和低透射率材料形成，例如，陶瓷、金属氧化物或半导体材 料。 所述下层可由低透射率和低电阻率材料形成，例如，铜、铝、镍、钛、钥及其合金。 在根据本专利技术的一种中，提供了一种用于高图像质量 和高性能显示的具有TFT上滤色器（C0T)结构的液晶显示装置，其中，遮光图案形成为具有 低反射率特性的上层和具有高透射率和高电导率特性的下层的双层结构以替代黑底，从而 解决了图像质量和亮度问题。 具有这种双层结构的遮光图案具有与现有技术中的低电阻率电极相似的电特性， 同时具有低反射率和低透射率特性，因此，仅采用双层就能够实现电极120,因此，具有能够 摆脱电极应当形成为多层或具有大于三层的高厚度的束缚的特性。此外，相比于多层电极， 双层结构的遮光图案在成本和工艺方面具有优势。 【专利附图】【附图说明】 所包括的用来提供对本专利技术的进一步理解并与说明书结合且构成说明书的一部 分的附图对本专利技术的实施方式进行说明并与说明书一起用来解释本专利技术的原理。其中： 图1是示例性示出典型的液晶显示装置的截面结构的图； 图2是是示例性示出根据本专利技术实施方式的液晶显示装置的截面的图； 图3是示例性示出根据本专利技术实施方式的液晶显示装置中的阵列基板的一部分 的图； 图4是示例性示出沿着根据本专利技术实施方式的图3所示的阵列基板的A-A'线的 截面的图； 图5是示例性示出根据本专利技术实施方式的液晶显示装置中的遮光图案的双层结 构的图； 图6A至6F是顺序地示出制造根据本专利技术实施方式的图3所示的阵列基板的过程 的平面图； 图7A至7F是顺序地示出制造根据本专利技术实施方式的图4所示的阵列基板的过程 的平面图； 图8是示例性示出利用根据本专利技术实施方式的液晶显示装置的立体图像显示装 置结构的图。 【具体实施方式】 以下将会结合附图描述根据本专利技术优选的实施方式的液晶显示装置及其制造方 法，使得本专利技术所属的本领域技术人员能够容易地对其进行实施。 通过参考附图随后详细描述的实施方式并结合附图将会清楚理解本专利技术的优点 和特征以及实现这些优点和特征的方法。但是，本专利技术不应被解释为受到这些示例性实施 方式的限制而是能够以各种形成实施。应当理解，所提出的实施方式仅用来使本专利技术充分 公开，并且也允许本领域技术人员全面了解本专利技术。本专利技术仅通过权力要求进行限定。此 夕卜，在整个说明书中的相同或相似的符号或数字表示相同或相似的组件。 图2是是示例性示出根据本专利技术实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成彼此交叉的选通线和数据线以限定像素区；在所述选通线和所述数据线之间的交叉区形成薄膜晶体管；在所述第一基板的所述像素区内形成滤色器；在所述第一基板的形成有所述滤色器的所述像素区内形成多个公共电极和像素电极；在所述像素区的边界处形成遮光图案以起到黑底的作用；以及将第二基板与所述第一基板附接，其中，所述公共电极、所述像素电极和所述遮光图案被形成为上层和下层的双层结构，所述上层具有低反射率特性，所述下层具有低透射率和高电导率特性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金治完，金政汉，郑容彬，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR