半导体器件栅氧化层的形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括下列步骤：在衬底上形成氧化层；在所述氧化层上沉积多晶硅；对所述多晶硅进行光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极；对所述多晶硅栅极的侧壁进行热氧化，在所述侧壁上生长氧化硅；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，将位于源极和漏极上的部分所述氧化层进行减薄。本专利技术能够保证高压器件栅氧化层厚度的均匀性，大大改善了栅氧化层的横向均匀度，使高压器件工作更加稳定。【专利说明】
本专利技术涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及一种半导体器件栅氧化层的形成 方法。
技术介绍
0. 18微米以下的高压器件的制造过程，其栅极氧化硅较厚（M00埃)，以实现较高 的工作电压。而传统的高压器件栅极的形成步骤一般包括：栅极氧化硅的沉积，多晶硅的沉 积，多晶硅的刻蚀，多晶硅侧壁的氧化等几个部分，如图1A?图1C所示。图1A的器件结构 包括硅衬底110、氧化硅层120及多晶硅130,对图1A所示的结构进行源、漏极氧化层的刻 蚀后得到图1B所示结构，氧化硅层120刻蚀后得到源、漏极氧化层124和栅极氧化层122 ; 再对图1B所示结构进行热氧化生长，使得...
【技术保护点】
一种半导体器件栅氧化层的形成方法，其特征在于，其包括下列步骤：在衬底上形成氧化层；在所述氧化层上沉积多晶硅；对所述多晶硅进行光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极；对所述多晶硅栅极的侧壁进行热氧化，在所述侧壁上生长氧化硅；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，将位于源极和漏极上的部分所述氧化层进行减薄。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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