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本发明公开了一种半导体器件栅氧化层的形成方法，包括下列步骤：在衬底上形成氧化层；在所述氧化层上沉积多晶硅；对所述多晶硅进行光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极；对所述多晶硅栅极的侧壁进行热氧化，在所述侧壁上生长氧化硅；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，将位...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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