本实用新型专利技术公开了一种晶片成型装置，下模（2）上设置有至少一对成型凹槽（3），成型凹槽（3）的位置与晶片引线（7）的位置相匹配，冲模（1）上设置有与成型凹模（3）相配合的冲头（4）。冲模（1）和下模（2）上均设置有与晶片本体（6）相配合的空腔（5）。冲头（4）的外表面包覆有硬质合金层，成型凹槽（3）的内表面包覆有抗磨层。本实用新型专利技术采用冲压成型方式，结构简单，设计合理，加工成本低；冲模和下模可根据需要做成多行多列，可实现对物料盘上的二极管晶片的批量冲压成型，成型效率高；冲头外表面设有硬质合金层，成型凹槽的内表面包覆有抗磨层，冲模和下模的使用寿命长。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种晶片成型装置，下模（2）上设置有至少一对成型凹槽（3），成型凹槽（3）的位置与晶片引线（7）的位置相匹配，冲模（1）上设置有与成型凹模（3）相配合的冲头（4）。冲模（1）和下模（2）上均设置有与晶片本体（6）相配合的空腔（5）。冲头（4）的外表面包覆有硬质合金层，成型凹槽（3）的内表面包覆有抗磨层。本技术采用冲压成型方式，结构简单，设计合理，加工成本低；冲模和下模可根据需要做成多行多列，可实现对物料盘上的二极管晶片的批量冲压成型，成型效率高；冲头外表面设有硬质合金层，成型凹槽的内表面包覆有抗磨层，冲模和下模的使用寿命长。【专利说明】晶片成型装置
本技术涉及一种晶片装配装置，特别是涉及一种晶片成型装置。
技术介绍
在电子电路中经常用到半导体二极管，它在许多电路中起着重要的作用，是诞生 最早的半导体器件之一，常用于整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等 电路中，应用非常广泛。晶体三极管是内部含有两个PN结，并且具有放大功能的特殊器件， 晶体三极管在电路中对信号具有放大和开关作用，应用也十分广泛。 由于PCB板焊接工艺等需要，通常要将二极管加工成如图1所示的结构，即晶片本 体两端的引线需要加工成带弯钩的形状。传统的成型方式是先将二极管从物料盘上切割下 来，然后一个一个地对二极管进行冲压，使其引线冲压成弯钩状，这种传统成型方式效率极 其低下，且对于单个二极管而言，因其体积较小，所以抓取很困难，加工难度较大。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种成型效率高、效果好的晶 片成型装置，成型模具使用寿命长。 本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：晶片成型装置，包括冲模和下 模，下模上设置有至少一对成型凹槽，成型凹槽的位置与晶片引线的位置相匹配，冲模上设 置有与成型凹模相配合的冲头。 所述的冲模和下模上均设置有与晶片本体相配合的，用于成型时放置晶片本体的 空腔。 所述下模上的成型凹槽有六对。 所述冲头的外表面包覆有硬质合金层。 所述成型凹槽的内表面包覆有抗磨层。 本技术的有益效果是： 1)采用冲压成型方式，结构简单，设计合理，加工成本低； 2)冲模和下模可根据需要做成多行多列，可实现对物料盘上的二极管晶片的批量 冲压成型，成型效率高、效果好； 3)冲头外表面设有硬质合金层，增加了冲头的刚性和抗磨损程度，增长了冲头的 使用寿命； 4)成型凹槽的内表面包覆有抗磨层，大大增强了成型凹槽的耐磨性能，增长了下 模的使用寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1为需成型的晶片结构示意图； 图2为晶片在物料盘上的结构示意图； 图3为本技术冲模、下模结构示意图； 图4为本技术使用状态示意图； 图中，1-冲模，2-下模，3-成型凹槽，4-冲头，5-空腔，6-晶片本体，7-晶片引线。 【具体实施方式】 下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围 不局限于以下所述。 晶片在物料盘上的结构如图2所示，每行有六块晶片，每块晶片的晶片本体6均通 过晶片引线7连接在物料盘上。 如图3、图4所示，晶片成型装置，包括冲模1和下模2,下模2上设置有至少一对 成型凹槽3,成型凹槽3的位置与晶片引线7的位置相匹配，冲模1上设置有与成型凹模3 相配合的冲头4。 所述的冲模1和下模2上均设置有与晶片本体6相配合的，用于成型时放置晶片 本体6的空腔5,空腔5也可起到协助定位的作用，使物料盘平稳的放置在下模2上，避免侧 滑。 所述下模2上的成型凹槽3有六对。 所述冲头4的外表面包覆有硬质合金层。 所述成型凹槽3的内表面包覆有抗磨层。 以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当理解本技术并非局限于本文 所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并 能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域 人员所进行的改动和变化不脱离本技术的精神和范围，则都应在本技术所附权利 要求的保护范围内。【权利要求】1. 晶片成型装置，其特征在于：包括冲模（1)和下模（2)，下模（2)上设置有至少一对成 型凹槽（3)，成型凹槽（3)的位置与晶片引线（7)的位置相匹配，冲模（1)上设置有与成型凹 模（3)相配合的冲头（4)。2. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述的冲模（1)和下模（2)上均 设置有与晶片本体（6)相配合的，用于成型时放置晶片本体（6)的空腔（5)。3. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述下模（2)上的成型凹槽（3) 有六对。4. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述冲头（4)的外表面包覆有硬 质合金层。5. 根据权利要求1所述的晶片成型装置，其特征在于：所述成型凹槽（3)的内表面包覆 有抗磨层。【文档编号】B21F1/00GK203875251SQ201420325169【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年6月18日 优先权日:2014年6月18日 【专利技术者】钟锡全 申请人:四川蓝彩电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
晶片成型装置，其特征在于：包括冲模（1）和下模（2），下模（2）上设置有至少一对成型凹槽（3），成型凹槽（3）的位置与晶片引线（7）的位置相匹配，冲模（1）上设置有与成型凹模（3）相配合的冲头（4）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟锡全，
申请(专利权)人：四川蓝彩电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。