半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及使用氧化物半导体形成的半导体装置及其制造方法，特别涉及液晶显示装置和有机EL显示装置的有源矩阵基板及其制造方法。此处，半导体装置包括有源矩阵基板和具备它的显示装置。
技术介绍
液晶显示装置等中使用的有源矩阵基板按每像素具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，以下，“TFT”)等开关元件。作为开关元件具备TFT的有源矩阵基板被称为TFT基板。作为TFT，历来广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、或以多晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。近年来，作为TFT的活性层的材料，提案有代替非晶硅和多晶硅使用氧化物半导体的技术。将这样的TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体与非晶硅相比具有更高的移动度。因此，氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能够以更高速度动作(工作)。此外，氧化物半导体膜能够利用比多晶硅膜更简便的工艺形成。在专利文献1中，公开有具备氧化物半导体TFT的TFT基板的制造方法。根据专利文献1中记载的制造方法，使氧化物半导体层的一部分低电阻化而形成像素电极，由此能够削减TFT基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的栅极电极和第一透明电极；在所述栅极电极和所述第一透明电极上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和与所述漏极电极电连接的第二透明电极，所述氧化物半导体层的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠，所述第一透明电极的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述第二透明电极重叠，且所述氧化物半导体层和所述第二透明电极由相同的氧化物膜形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.31 JP 2012-0187531.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的栅极电极和第一透明电极；在所述栅极电极和所述第一透明电极上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和与所述漏极电极电连接的第二透明电极，所述半导体装置还具有在所述栅极电极与所述基板之间形成的第二绝缘层，所述氧化物半导体层的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠，所述第一透明电极的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述第二透明电极重叠，且所述氧化物半导体层和所述第二透明电极由相同的氧化物膜形成，所述第二透明电极以比所述氧化物半导体层高的浓度含有杂质，所述第二绝缘层形成在所述第一透明电极上。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述漏极电极形成在所述第二透明电极上，所述第二透明电极与所述漏极电极直接接触。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：还具有在所述源极电极和所述漏极电极上形成的绝缘保护层，所述绝缘保护层以与所述氧化物半导体层的沟道区域接触的方式形成，所述绝缘保护层由氧化物形成。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一绝缘层包括氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层接触。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述氧化物膜包含In、Ga和Zn。6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O类的半导体。7.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的栅极电极和第一透明电极；在所述栅极电极和所述第一透明电极上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和与所述漏极电极电连接的第二透明电极，所述半导体装置还具有在所述栅极电极上形成的第二绝缘层，所述氧化物半导体层的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠，所述第一透明电极的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述第二透明电极重叠，且所述氧化物半导体层和所述第二透明电极由相同的氧化物膜形成，所述第二透明电极以比所述氧化物半导体层高的浓度含有杂质，所述第一透明电极形成在所述第二绝缘层上。8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述漏极电极形成在所述第二透明电极上，所述第二透明电极与所述漏极电极直接接触。9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：还具有在所述源极电极和所述漏极电极上形成的绝缘保护层，所述绝缘保护层以与所述氧化物半导体层的沟道区域接触的方式形成，所述绝缘保护层由氧化物形成。10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述第一绝缘层包括氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层接触。11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述氧化物膜包含In、Ga和Zn。12.如权利要求7～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O类的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本忠芳，伊东一笃，森重恭，宫本光伸，小川康行，中泽淳，内田诚一，松尾拓哉，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP