氧化物半导体晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氧化物半导体晶体管，包括：基板；形成在基板上的氧化物半导体层；形成在氧化物半导体层上的栅电极绝缘层；形成在氧化物半导体层上的替代功能层；形成在替代功能层上，位于栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。其通过在氧化物半导体层上制备替代功能层，代替氧化物半导体层作为引线使用，有效减小了源/漏电极与氧化物半导体层间的接触电阻，并通过自对准结构，减小了栅电极与源/漏电极之间的寄生电容，实现了顶栅结构的氧化物半导体晶体管的应用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
氧化物半导体晶体管
本技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种氧化物半导体晶体管。
技术介绍
驱动有源矩阵显示基板，包括非晶硅晶体管、低温多晶硅晶体管和氧化物半导体晶体管；非晶娃晶体管主要应用于中低分辨率的LCD (Liquid Crystal Display,液晶显示面板)显示领域,低温多晶硅晶体管主要应用于中高分辨率的IXD显示领域和AMOLED (ActiveMatrix Organic Light Emitting D1de,有源矩阵有机发光二极体面板)显示领域,氧化物半导体晶体管则主要应用于中大尺寸的中高分辨率的LCD显示领域和中大尺寸的AMOLED显示领域。 其中，氧化物半导体晶体管由于具有较高的迁移率和较好的面内均匀性，目前已得到广泛的研究与应用，通常，氧化物半导体晶体管的结构为底栅结构，如图1所示，由于底栅结构的氧化物半导体晶体管中栅电极与源/漏电极的重叠面积较大，导致氧化物半导体晶体管的寄生电容和晶体管尺寸均相对较大，从而限制其应用。相对于底栅结构，具有顶栅结构的晶体管则具有更小的寄生电容和晶体管尺寸，但是，顶栅结构的LIPS (LowTem本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括： 基板； 形成在所述基板上的氧化物半导体层； 形成在所述氧化物半导体层上的栅电极绝缘层； 形成在所述氧化物半导体层上的替代功能层； 形成在所述替代功能层上，位于所述栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括: 基板； 形成在所述基板上的氧化物半导体层； 形成在所述氧化物半导体层上的栅电极绝缘层； 形成在所述氧化物半导体层上的替代功能层； 形成在所述替代功能层上，位于所述栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。2.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述替代功能层为自对准结构。3.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括: 形成在所述栅电极绝缘层上的栅电极； 其中，所述栅电极上形成有所述替代功能层。4.根据权利要求1至3任一项所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述替代功能层的材料为钥、钛、钥合金、或钛合金。5.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉成，蔡世星，袁波，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32