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本实用新型公开了一种氧化物半导体晶体管，包括：基板；形成在基板上的氧化物半导体层；形成在氧化物半导体层上的栅电极绝缘层；形成在氧化物半导体层上的替代功能层；形成在替代功能层上，位于栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。其通过在氧化物半导体层上制备替...该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司授权不得商用。