一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置，用以解决薄膜晶体管的源极与其他导电功能层短路后无法修补的问题，和/或薄膜晶体管的漏极与其他导电功能层短路后无法修补的问题。所述薄膜晶体管包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部；还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极；所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列；所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

【技术实现步骤摘要】
-种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其修复方法、G0A电路及显 示装置。
技术介绍
在显示
的开关元件对高画质显示装置起着重要的作用。例如开关元件薄 膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT)的导电性能直接影响TFT的开启程度，影响液晶分 子的偏转程度，从而影响图像的显示画面。 目前主要是对TFT的充电电流提出更高的要求。一般地，通过增加 TFT沟道的宽 长比以增加 TFT的充电电流。例如尤其是针对制作在阵列基板上非显示区域的栅极驱动电 路（G0A电路），对其电路中的TFT的充电电流要求更高，并且制作在阵列基板的非显示区域 的中的TFT，其TFT的尺寸要求相比较在像素中的设计会低一些，因此，设计出了面积较大 充电电流较高的TFT。 在TFT的制作过程中，不可避免地存在静电击穿（ESD)现象或灰尘掉落在TFT中 的某些电极结构上。导致TFT内部结构短路，发生短路后的TFT-般会经过维修恢复正常 功能，而在修复过程中，不可避免地会对TFT结构造成影响或损坏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部；还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极；所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列；所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏 极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部； 还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极； 所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列； 所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所 述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的梳柄部和漏极的梳柄 部为沿与所述梳齿部垂直的第一方向延伸的带状结构。3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为沿所述第一方向延伸 的带状电极。4. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述源极和漏极下方 沿所述第一方向延伸的呈带状的有源层，所述有源层在垂直方向的投影位于所述栅极在垂 直方向的投影内。5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述呈带状的有源层的两个侧边 分别延伸至所述源极的梳齿部的末端和漏极的梳齿部的末端。6. 根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层延的两个侧边分别距 离源极的梳柄部和距离漏极的梳柄部相等。7. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隔排列的源极的梳齿部和 漏极的梳齿部平行设置，各相邻两个所述梳齿部之间的距离相等。8. -种权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管的修复方法，其特征在于，当...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛国琪，陈曦，苏盛宇，周冉一，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11