本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置，用以解决薄膜晶体管的源极与其他导电功能层短路后无法修补的问题，和/或薄膜晶体管的漏极与其他导电功能层短路后无法修补的问题。所述薄膜晶体管包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部；还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极；所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列；所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。
【技术实现步骤摘要】
-种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其修复方法、G0A电路及显 示装置。
技术介绍
在显示
的开关元件对高画质显示装置起着重要的作用。例如开关元件薄 膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT)的导电性能直接影响TFT的开启程度，影响液晶分 子的偏转程度，从而影响图像的显示画面。 目前主要是对TFT的充电电流提出更高的要求。一般地，通过增加 TFT沟道的宽 长比以增加 TFT的充电电流。例如尤其是针对制作在阵列基板上非显示区域的栅极驱动电 路（G0A电路），对其电路中的TFT的充电电流要求更高，并且制作在阵列基板的非显示区域 的中的TFT，其TFT的尺寸要求相比较在像素中的设计会低一些，因此，设计出了面积较大 充电电流较高的TFT。 在TFT的制作过程中，不可避免地存在静电击穿（ESD)现象或灰尘掉落在TFT中 的某些电极结构上。导致TFT内部结构短路，发生短路后的TFT-般会经过维修恢复正常 功能，而在修复过程中，不可避免地会对TFT结构造成影响或损坏，例如当修复源极与栅极 之间的短路过程中，采用激光或其他切断方式进行修复时，容易导致栅极的结构损坏。 现有技术提供的TFT结构的设计，无法通过维修使其正常工作，该异常的TFT无法 正常工作，因而会对显示装置的图像显示造成一定影响。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其修复方法、G0A电路及显示装置，用以解决 现有TFT在出现不良现象后无法维修正常的问题。 为实现上述目的，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括：呈梳状的源极和呈梳状 的漏极，所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部； 还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极； 所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列； 所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部 与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。 较佳地，所述源极的梳柄部和漏极的梳柄部为沿与所述梳齿部垂直的第一方向延 伸的带状结构。 较佳地，所述栅极为沿所述第一方向延伸的带状电极。 较佳地，还包括位于所述源极和漏极下方沿所述第一方向延伸的呈带状的有源 层，所述有源层在垂直方向的投影位于所述栅极在垂直方向的投影内。 较佳地，所述呈带状的有源层的两个侧边分别延伸至所述源极的梳齿部的末端和 漏极的梳齿部的末端。 较佳地，所述有源层延的两个侧边分别距离源极的梳柄部和距离漏极的梳柄部相 等。 较佳地，所述间隔排列的源极的梳齿部和漏极的梳齿部平行设置，各相邻两个所 述梳齿部之间的距离相等。 本专利技术实施例还提供一种上述任一方式的薄膜晶体管的修复方法，当所述薄膜晶 体管中的源极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，通过切割工艺至少将与栅极短路的源 极的梳齿部与所述源极的梳柄部断开；所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳 齿部的连接区域，该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；和/或 当所述薄膜晶体管中的漏极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，通过切割工艺 至少将与栅极短路的漏极的梳齿部与所述漏极的梳柄部断开；所述切割工艺的切割区域位 于所述漏极的梳柄部与所述漏极的梳齿部的连接区域，该连接区域与所述栅极在垂直方向 的投影无交叠区域。 较佳地，当所述薄膜晶体管中的源极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，还包 括：通过切割工艺将所述与栅极短路的源极的梳齿部相邻的漏极的梳齿部与该漏极的梳柄 部断开，所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域，该连接区域 与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域； 当所述薄膜晶体管中的漏极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时，还包括：通过 切割工艺将所述与栅极短路的漏极的梳齿部相邻的源极的梳齿部与该源极的梳柄部断开， 所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域，该连接区域与所述栅 极在垂直方向的投影无交叠区域。 本专利技术实施例提供一种G0A电路，包括上述薄膜晶体管。 本专利技术实施例提供一种显示装置，包括上述G0A电路。 本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括：呈梳状结构的源极和呈梳状结构的漏极， 所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部；还包括：位于所述源极和 漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极；所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间 隔排列；所述源极的梳柄部和漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。由 于所述源极的梳柄部和漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域，切断与栅 极短路的梳齿部与其他梳齿部时，不会将栅极的结构损坏，维修后的TFT仍然可以正常工 作，对显示装置的图像显示不会造成影响。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的俯视示意图之一； 图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的俯视示意图之二； 图3为本专利技术实施例提供的仅包括栅极和有源层的TFT部分结构俯视示意图； 图4为仅包括有源层、源极和漏极的TFT部分结构俯视示意图； 图5为本专利技术实施例提供的具有短路不良的薄膜晶体管俯视示意图。 【具体实施方式】 本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其修复方法、G0A电路及显示装置，用以解决 现有TFT在出现不良现象后无法维修正常的问题。 以下将结合附图对本专利技术实施例提供的技术方案详细说明。 参见图1，为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管TFT的俯视示意图，TFT至少包括： 位于衬底基板上呈梳状的源极2和呈梳状的漏极3 ; 源极2包括多个梳齿部21和连接各梳齿部21的梳柄部22 ; 漏极3包括多个梳齿部31和连接各梳齿部31的梳柄部32 ; 还包括：位于源极2和漏极3的下方或上方与源极2和漏极3相绝缘的栅极4 ;源 极2的梳齿部21与漏极3的梳齿部31间隔排列；源极2的梳柄部22与栅极4在垂直方向 的投影无交叠区域；漏极3的梳柄部32与栅极4在垂直方向的投影无交叠区域。 需要说明的是，源极2的梳柄部22与栅极4在垂直方向的投影指在同一水平面内 的投影。漏极3的梳柄部32与栅极4在垂直方向的投影指在同一水平面内的投影。 由于本专利技术所述源极和漏极为具有一定图形结构的膜层，所述垂直方向为垂直于 所述源极和漏极的方向，当所述源极和漏极形成于衬底上时，所述垂直方向也可以理解为 垂直于衬底的方向，该衬底为表面平整的衬底。 上述TFT的结构类型不限，可以为底栅型或顶栅型。当TFT为底栅型，则栅极位于 源极和漏极的下方，当TFT为顶栅型，则栅极位于源极和漏极的上方。图1所示的TFT结构 为底栅型。 上述源极的梳齿部和漏极的梳齿部间隔排列仅用于说明二者之间相互穿插排列， 并不限制源极的梳齿部和漏极的梳齿部之间的相对距离以及是否平行等特征。 所述梳齿部一般地可以理解为条状结构。 优选地，所述间隔排列的源极的梳齿部和漏极的梳齿部平行设置，各相邻两个所 述梳齿部之间的距离相等，即任意一个源极的梳齿部和与其相邻的漏极的梳齿部之间的距 离相等。 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部；还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极；所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列；所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。
【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：呈梳状的源极和呈梳状的漏极，所述源极和漏 极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部； 还包括：位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极； 所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列； 所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域；所述漏极的梳柄部与所 述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的梳柄部和漏极的梳柄 部为沿与所述梳齿部垂直的第一方向延伸的带状结构。3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为沿所述第一方向延伸 的带状电极。4. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述源极和漏极下方 沿所述第一方向延伸的呈带状的有源层，所述有源层在垂直方向的投影位于所述栅极在垂 直方向的投影内。5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述呈带状的有源层的两个侧边 分别延伸至所述源极的梳齿部的末端和漏极的梳齿部的末端。6. 根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层延的两个侧边分别距 离源极的梳柄部和距离漏极的梳柄部相等。7. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隔排列的源极的梳齿部和 漏极的梳齿部平行设置，各相邻两个所述梳齿部之间的距离相等。8. -种权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管的修复方法，其特征在于，当...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛国琪，陈曦，苏盛宇，周冉一，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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