一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和半导体层，源极和所述漏极不同层设置；半导体层分别与源极和漏极电连接；在半导体层上对应源极和漏极之间的区域为沟道区域。本发明专利技术还提供了包括上述薄膜晶体管的阵列基板和显示装置，通过改变构图工艺，使得源极和漏极分别在不同的图层形成，减少薄膜晶体管的沟道长度，一般可以将沟道长度从原来的15um缩短到现在的5um以下，使沟道电阻大幅度减小，缩短沟道距离可以大幅提升薄膜晶体管的充电效率，缩短充电时间，从而提高晶体管的工作效率。由于器件沟道尺寸的缩减，还可以缩小晶体管的面积，有利于实现高集成度的产品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。 -种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
技术介绍
目前在液晶显示行业，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)的应用越来越受到客户的青睐。 现有技术中液晶显示器中薄膜晶体管的结构示意图如图1所示，包括衬底基板01 以及形成在衬底基板01上的栅极02,栅极02的上方覆盖有栅绝缘层03。在栅绝缘层03 上方还形成有半导体层04,该层与栅极02相对应，位于栅极02的上方。半导体层04上方 形成有刻蚀阻挡层05,刻蚀阻挡层05的上方还形成源漏金属层，经过构图工艺形成漏极06 和源极07。漏极06和源极07同层形成，但是两者之间具有一定的间距，受到构图工艺的限 制，为了保证源极06和漏极07通过刻蚀阻挡层05上的过孔与半导体层04实现完全接触， 漏极对应过孔，源极对应过孔，以及源漏电极的之间的沟道确保长度，漏极06和源极07在 半导体层04上方分别至少有5um的长度，因此沟道区域长度L'至少有15um以上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极、漏极和半导体层，所述源极和所述漏极不同层设置；所述半导体层分别与所述源极和所述漏极电连接；在所述半导体层上对应所述源极和所述漏极之间的区域为沟道区域。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极、漏极和半导体层，所述源极和所述漏 极不同层设置； 所述半导体层分别与所述源极和所述漏极电连接； 在所述半导体层上对应所述源极和所述漏极之间的区域为沟道区域。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极不同层设置具 体包括： 所述源极与所述漏极分别设置在所述半导体层的两侧；其中 所述源极设置在所述半导体层上方，所述漏极设置在所述半导体层下方；或者所述漏 极设置在所述半导体层上方，所述源极设置在所述半导体层下方。3. 如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述半导体层上方对应所述沟 道区域的位置上设置有刻蚀阻挡层。4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层还设置在所述半导 体层上方沟道区域以外的区域。5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层上对应所述漏极或 所述源极的位置上设置有过孔。6. 如权利要求1、2、4、5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层和所 述栅极之间还设置有栅绝缘层。7. -种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、薄膜晶体管、像素电极、栅线和数据线， 所述薄膜晶体管和所述栅线设置在所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管的源极和漏极不同 层设置； 所述薄膜晶体管的半导体层分别与所述源极和所述漏极电连接； 所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；所述薄膜晶体管的源极与所述数据线 电连接。8. 如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极不同层 设置具体包括： 所述薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：金熙哲，宋泳锡，刘圣烈，崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11