【技术实现步骤摘要】
半导体器件，显示单元和电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2013年3月27日提交的日本在先专利申请JP2013-66219的权益，通过引用将其全部内容结合于本文中。
本技术涉及具有氧化物半导体膜的半导体器件、显示单元和电子设备。
技术介绍
包含诸如锌(Zn)和铟(In)的元素的氧化物作为半导体器件的活性层表现出优良的特性，并且近年来发展为应用于TFT、发光器件以及透明的导电膜。特别地，已知与使用通常用于液晶显示器的非晶硅(a-Si =HM^TFT的电子迁移率相比，使用包含诸如Zn、In和Ga的元素的复合氧化物的TFT的电子迁移率较大，并且表现出优良的电特性。 在使用这样的氧化物半导体的TFT(薄膜晶体管)中，迄今为止报道了底栅型的TFT和顶栅型TFT。底栅型TFT具有这样的结构，其中，氧化物半导体的薄膜层设置在栅电极上，栅极绝缘膜设置在薄膜层和栅电极之间。该结构与目前商品化的TFT的结构类似，在TFT结构中，非晶硅用于沟道。因此，可以容易地将使用非晶硅的TFT的现有的制造处理转用至此，并且底栅型结构往往用于使用氧化物半导体的TFT。 ...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：晶体管；氧化物半导体膜；第一导电膜，电连接至所述氧化物半导体膜；以及第一绝缘膜，设置在所述第一导电膜和所述氧化物半导体膜之间。
【技术特征摘要】
2013.03.27 JP 2013-0662191.一种半导体器件，包括: 晶体管； 氧化物半导体膜； 第一导电膜，电连接至所述氧化物半导体膜；以及 第一绝缘膜，设置在所述第一导电膜和所述氧化物半导体膜之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括电容器，其中， 所述氧化物半导体膜和所述第一导电膜用作所述电容器的第一电极。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述电容器包括第二电极和第二绝缘膜，所述第二电极面对所述第一导电膜，且所述氧化物半导体膜介于所述第二电极和所述第一导电膜之间，并且所述第二绝缘膜设置在所述第二电极和所述氧化物半导体膜之间。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中: 所述第一导电膜设置在与所述晶体管的栅电极相同的层中，并且所述氧化物半导体膜设置在与所述晶体管的沟道膜相同的层中，以及 所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述沟道膜之间延伸。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中: 所述晶体管的所述栅电极和所述第一导电膜由相同的材料制成，以及 所述晶体管的所述沟道膜和所述氧化物半导体膜由相同的材料制成。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电膜包括金属材料。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：寺井康浩，石井孝英，佐藤步，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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