一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管制造技术

本发明专利技术公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括：漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度，从而降低比导通电阻，并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的，因此击穿电压和比导通电阻的优化可以得到最佳。

【技术实现步骤摘要】
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本专利技术涉及半导体功率器件
，具体涉及是一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LateralDouble-diffusedMOSFET，简称LDMOS)由于具有易于与低压器件集成等优点，而成为智能功率集成电路和片上系统设计中的关键器件。其主要特征在于基区和漏区之间加入一段相对较长的轻掺杂漂移区，该漂移区的掺杂类型与漏区一致，通过加入漂移区，可以起到分担击穿电压的作用，提高了LDMOS的击穿电压。LDMOS的优化目标是低的导通电阻，使传导损失最小化。基于超级结的垂直双掺杂MOS场效应管的想法被提出来用于提高击穿电压和高通电阻之间的矛盾关系。理论上，超级结通过N型和P型柱之间的电荷平衡得到高的击穿电压、通过重掺杂的N柱来降低导通电阻。通过低的导通电阻来最小化传导损失是在LDMOS(横向双扩散MOS场效应管)中十分想得到的性能，但是在SJ-LDMOS中，由于衬底辅助耗尽的缺陷，并且LDMOS漂移区用电场优化方法的方向在以往的结构中往往为两个方向或者三个方向，不能使电中性作用达到最优。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的基区和漂移区；位于所述基区表面的源区；位于漂移区表面的漏区；其特征在于：所述漂移区的上下左右均邻接有重掺杂埋层，所述重掺杂埋层的掺杂类型与半导体衬底相同。

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的基区和漂移区；位于所述基区表面的源区；位于漂移区表面的漏区；其特征在于：所述漂移区的上下左右均邻接有重掺杂埋层，所述重掺杂埋层的掺杂类型与半导体衬底相同；所述重掺杂埋层包括：位于半导体衬底表面、漂移区下方的重掺杂埋层一区；位于重掺杂埋层一区表面、漂移区左右两侧的重掺杂埋层二区；位于漂移区和重掺杂埋层二区表面的重掺杂埋层三区；重掺杂埋层的三个区域均与基区和漏区相邻接。2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述漂移区为一个整块区域，重掺杂埋层二区分为两块区域，分别位于漂移区的左右两侧。3.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述漂移区分为不...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宝兴，李春来，杨银堂，马剑冲，袁嵩，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61