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本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括：漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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