晶体管、包含晶体管的可变电阻存储器件及其制造方法技术

一种可变电阻存储器件，包括垂直晶体管，该垂直晶体管包括：有源柱体，有源柱体包括沟道区、形成于沟道区的一端的源极、以及形成于沟道区的另一端的轻掺杂漏极(LDD)区和漏极；第一栅电极，被形成为围绕轻掺杂漏极(LDD)区的外围，且具有第一功函数；以及第二栅电极，被形成为连接至第一栅电极并围绕沟道区，且具有高于第一功函数的第二功函数。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2013年2月27日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0021164的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性具体实施例关于一种半导体集成电路器件，尤其关于一种晶体管、包含晶体管的可变电阻存储器件和其制造方法。
技术介绍
随着移动装置、数字信息通信和消费电子产业的快速发展，预期现有电子电荷控制器件的研究会面临到限制。因此，需要开发与现有电子电荷器件不同的新概念的新功能型存储器件，尤其需要具有大容量、超高速以及超低功耗的的下一代存储器件。现在，把电阻器件当作存储介质来使用的电阻存储器件已被建议作为下一代存储器件，一些例子为:相变随机存取存储器(phase-change random accessmemories, PCRAMs)、电阻随机存取存储器(resistance RAMs, ReRAMs)和磁阻随机存取存储器(magentoresistive RAMs, MRAMs)电阻存储器件基本上可以被配置有开关器件和电阻器件，并根据电阻器件的状态来储存数据“O”或“I”。即使在电阻存储器件中，最优先的是提高集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括：有源柱体，所述有源柱体包括沟道区、形成于所述沟道区的一端的源极、以及形成于所述沟道区的另一端的轻掺杂漏极区和漏极；第一栅电极，所述第一栅电极被形成为围绕所述轻掺杂漏极区的外围，且具有第一功函数；以及第二栅电极，所述第二栅电极被形成为连接至所述第一栅电极并围绕所述沟道区，且具有高于所述第一功函数的第二功函数。

【技术特征摘要】
2013.02.27 KR 10-2013-00211641.一种晶体管，包括: 有源柱体，所述有源柱体包括沟道区、形成于所述沟道区的一端的源极、以及形成于所述沟道区的另一端的轻掺杂漏极区和漏极； 第一栅电极，所述第一栅电极被形成为围绕所述轻掺杂漏极区的外围，且具有第一功函数；以及 第二栅电极，所述第二栅电极被形成为连接至所述第一栅电极并围绕所述沟道区，且具有高于所述第一功函数的第二功函数。2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一栅电极包括过渡金属层，所述过渡金属层包括选自包括钛T1、钽Ta、钴Co和钼Pt的群组中的一种。3.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述第二栅电极包括金属氮化物层。4.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述第二栅电极包括过渡金属硅化物层。5.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述第二栅电极被形成为厚度大于所述第一栅电极的厚度。6.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一栅电极形成于所述有源柱体的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴南均，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR